射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究

采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜，并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性．运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析．结果表明，SnO2薄膜具有四方金红石结构，适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响；薄膜晶粒粒径小于150nm，且粒径随退火温度的升高而增大．采用Debye—Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径，分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因．经700℃的温度退火后，掺原子比Pd为2％和Sb为2％的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度．     

电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质

采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜。研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响．X射线衍射测试结果表明。相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜，硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm。结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜．退火之后，各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转；400℃退火时。薄膜逐渐结晶；600℃退火时，ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势，晶粒长大，晶化程度提高，大部分晶粒发生了织构．在400℃退火后。掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级，但掺入MgO的薄膜电阻率变大。这是由于MgO掺杂起到了补偿作用，掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的P型掺杂．     

MgO-SnO2薄膜乙醇气敏元件的研制

采用真空镀锡膜、锡膜氧化，浸泡掺杂的方法研制了掺MgO的SnO2薄膜气敏元件，在对乙醇、丙酮等八种气体的测试结果表明：MgO-SnO2元件提高了对乙醇的灵敏度和选择性，而对其余气体的气敏特性同未掺杂元件相类似，实验发现，随着浸泡液浓度的增大，元件对乙醇的灵敏度并不是单调地随之增大，而是出现了一个峰值，实验还发现经Mg(NO3)2溶液处理过的元件对乙醇的灵敏度与乙醇浓度之间的线性关系大大拓宽，在敏感机理方面，提出了流过元件电泫I的公式，该公式可以较好地解释实验现象，利用化学方法在SnO2薄膜中掺入MgO，所制备的元件既克服了烧结型元件的缺点，又克服了薄膜元件物理方法掺杂时掺杂量难以控制的不足之处，为开发新型薄膜气敏元件作了一种尝试。     

β-FeSi2薄膜的结构与光电特性

用磁控溅射法沉积了Fe／Si多层膜和Fe单层膜，在真空和Ar气中热退火2h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe／Si多层膜在880℃温度下热退火后，制备的β-FeSi2薄膜的XRD结果均呈现p（220）／（202）择优取向，而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向。原子力显微镜分析表明，Ar气退火的样品表面粗糙度大于真空退火的样品。根据光吸收谱测量，Fe／Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度室温下为0．88eV。由Fe／Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜具有明显的光电导效应，这种效应在真空退火样品中更为显著，在40W光源照射下，光电导效应大于30％。     

稀土—SnO2薄膜气敏特性的研究

本文用真空镀锡膜，氧化和化学浸渍技术研制了稀土氧化物的SnO2薄膜气敏元件，并测试了薄膜的气敏特性，掺杂元件改善了对乙醇，丙酮蒸气的灵敏度和选择性，而对苯，丁烷，游化石 经石油气，NH3，H2和煤气等不敏感。     

三氧化钼薄膜的制备和结构研究

采用溶胶－凝胶法成功制备了三氧化钼（MoO3)薄膜，首先，以CH3COCH2COCH3，MoO3,C6H5CH3和HOCH2CH2OCH3为原料合成三氧化钼溶胶和凝胶。凝胶的热重和差热分析（TG－DTA）显示三氧化钼的晶化出现在508℃附近的140℃范围内。其次，利用旋转涂布法在硅（111）基片上通过450℃退火处理制备了三氧化钼薄膜。XRD和FTIR谱表明薄膜为α－MoO3相。SEM形貌像显示薄膜中晶粒分布均匀致密，在基片表面无择优取向；晶粒尺度范围在0．5－1μm之间。     

C掺杂型NiCr合金薄膜的电性能和微观结构

利用闭合磁场非平衡磁控溅射工艺制备出C掺杂型NiCr合金薄膜电阻材料,获得了电性能优于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜电阻材料.实验结果表明:NiCr薄膜中掺杂C元素后,薄膜的择优取向由Ni(011)变为Ni(111);薄膜的缺陷和应力得以减小;薄膜中C元素具有类石墨性质.     

LNO薄膜的射频磁控溅射制备及其电学性能与红外吸收性能

用磁控溅射法在Si（111）基片上以不同溅射功率沉积LaNiO3（LNO）薄膜,基片温度370℃,对沉积的薄膜样品进行快速热退火处理（500℃,10min）。使用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）精确测量不同溅射功率沉积的LNO薄膜退火前后的组分情况。分析发现：LNO薄膜经退火处理后,其中的Ni／La的比值随着溅射功率增大而越接近理想比1：1,其导电性能也越好。另外,我们以相同工艺制备了不同厚度的LNO薄膜顶电极,四探针电阻测试仪和红外椭圆偏振光谱仪测试其电学与红外吸收性能,实验发现：（1）LNO薄膜的电阻率随膜厚的增加而降低,在大约300nm厚时略又有增加趋势;（2）LNO薄膜的红外吸收系数随其厚度的增加而增加,且随红外波长的增大而减小。     

化学溶液沉积法制备YBa2Cu3O7超导薄膜

用钇、钡、铜的环烷酸盐溶液为原料,采用化学溶液沉积法在LaAlO3(001)衬底上制备了YBa2Cu3O7超导薄膜．X射线衍射分析表明薄膜主要沿[001]方向外延生长．原子力显微研究显示晶粒排列严密、整齐有序,表面也较为平整．电阻测量显示该薄膜的超导起始转变温度为87K．本方法有望应用于大面积高温超导薄膜及带材的制备．     

掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3／Si衬底上制备了Pb(Zrx，Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zr，Ti1-x)O3(PC—ZT)铁电薄膜，实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响．不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05uC／cm^2，矫顽场Ec=26．35kV／cm，而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度，当掺杂钴达到12%时，Pr=36．26uC／cm^2，矫顽场减小．同时，掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流。     

答YapH.P.和TeoS.K.问题

本文证得：如果Ｆ是Ｃｎ中的一条种路，则Ｇ中同时通过ｋ余弦ｅ１，ｅ２，．．．，ｅｋ而不通过Ｆ中的任一条边的圈最多只有一个且Ｇ中同时通过ｋ条弦ｅ１，ｅ２，．．．，ｅｋ的圈最多只有２个，进而由之给出了Ｍ（ｋ）的上界和ｍ（ｋ）的下界及ｍ（ｋ）＝（ｋ＋１）（ｋ＋２）／２成立的一个条件，否定地回答了ＹａｐＨ．Ｐ．和ＴｅｏＳ．Ｋ．１９８４年提出的一个问题。     

关于无理数的丢番图逼近的一个注记(英)

本文得到关于无理数的丢番图逼近的一个定理和一系列重要推论，指出并订正了[1]中的一个错误．     

江西3种红鲤血清转铁蛋白遗传多态性

采用不连续聚丙烯酰胺垂直电泳(PAGE)和不连续十二烷基磺酸钠-聚丙烯酰胺垂直电泳(SDS-PAGE)对兴国红鲤、玻璃红鲤、荷包红鲤的血清转铁蛋白(Tf)进行研究。PAGE电泳结果表明3种红鲤的Tf图谱具有3条带,荷包红鲤与玻璃红鲤Tf表型由Tfb、Tfc组成,兴国红鲤Tf表型由Tfa、Tfb、Tfc组     

蝇子草属和女娄菜属分合问题的研究

本文对新疆所产蝇子草属(Silene)31种、1变种和女娄菜属(Melandrium)11种从器官形态特征、花粉形态特征及把这些特征数量化分析三方面做了研究。认为把蝇子草属与女娄菜属合并,属下只分为44个平行的组(Section),或仅以子房内隔膜的有无来划分蝇子草和女娄菜为两个属的观点都是欠妥当的。提出将蝇子草属和女娄菜属作为两个亚属,置于广义的蝇子草属中,并将新疆所产的共42种1变种在蝇子草亚属(Subgen Diaphragm X.L.Pan)中分为5组,在女娄菜亚属(Subgen Melandrium(Roehl.)X.L.Pan)中分为3组的设想,并绘出新疆所产的这两属植物修订后的分类系统。     

Web Services身份认证与授权系统的研究与实践

讨论了构建Web Services身份认证与授权系统的若干相关问题，着重阐述了如何使用SOAP标头解析模块实现Web Services的身份认证与授权，并给出了这种模式在Microsoft.Net平台上的实现。     

三角组列完全收敛性的注记

设{Xi,i≥1}为独立同分布或m-相依的平稳随机变量序列,h为R2→R的实可测函数.考虑三角组列{h(Xi,Xn),i＜n,n＞1},利用Fubini定理,得到其部分和的完全收敛性,推广了DEHLING、邓学斌等和蔡小云的结果,并研究了邓学斌和苏中根提出的推测.     

F-对小白鼠红血细胞代谢影响的微量热法研究

用LKB2277生物活性检测系统研究了用含不同量NaF饮水喂养的小白鼠红血细胞的代谢.实验结果表明,其代谢产热曲线形状相似,单个细胞发热功率和平均产热150×10-6g@mL-1组＞正常组＞50×10-6g@mL-1组;产热曲线测定完毕后的样品ATP浓度分析表明,系统中的ATP浓度随饮水中NaF浓度增加而减小,以正常组为最大.从理论上对上述实验结果进行了探讨.     

新疆蝇子草属一新种

本文报道了新疆蝇子草属一新种——霍城蝇子草(Silene huochenensis X.M.Pi et X.L.Pan sp.nov).     

用正电子谱学研究高聚物材料的压力弛豫过程

用正电子谱学研究了高分子材料聚苯乙烯和聚氯乙烯压力弛豫过程中微观结构的变化，测量了聚苯乙烯及聚氯乙烯在加压力后的样品中正电子寿命随弛豫时间的变化。并讨论了正电子辐射效应和实验方法对实验结果的影响。