蒸镀次序对Pd,Ge双层膜固态反应的影响

蒸镀次序对Ｐｄ、Ｇｅ双层膜固态反应的影响陈志文，张庶元，谭舜，李凡庆，卢江，吴自勤（中国科技大学结果构分析开放研究实验室，中国科技大学基础物理中心，合肥２３００２６）本文研究了不同蒸镀次序Ｐｄ、Ｇｅ双层膜的固态反应行为。通过真空镀膜机在新解理的ＮａＣ...     

a—Ge／Al双层膜中分形和退火温度的关系

侯建国等曾系统地研究了a-Ge/Au双层膜体系,发现a-Ge晶化形成的分形结构与退火温度、Au的晶粒尺寸等物理因素间存在着很强的关联。最近我们报道了Al/Ge膜中分形的形成与Al/Ge的厚度比有关,随着Al/Ge厚度比减小,分形结构变得越来越密集,维数增大,并用逐次触发成核模型(PSN)解释了观察到的现象。     

半导体／金属膜中分形形成的机制

本文综述了半导体／金属膜中分形形成的若干机制。在二元共晶系中分形由金属诱导非晶态半导体晶化和二组元横向互扩散引起。在有中间相的二元系中存在界面反应过程和金属诱导晶化过程之间的竞争。     

Al／Ge双层膜分形晶化及阻抗特性研究

本文用高分辨透射电镜ＨＲＥＭ（ＪＥＯＬ２０１０）观察了Ａｌ／Ｇｅ双层膜的分形行为及其微结构特征，并采用四探针法对具有不同分形维数薄膜样品的电阻率进行了测量，获得了一些有探讨价值的实验结果     

Au／a—Ge膜退火行为的多重分形研究

研究了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜退火后形成花样的分布及其分维。单个分形枝叉的疏密可用简单分维定量描述。多重分形谱可以很好地定量描述了多个分形区的分布的变化，分形花样稀少且分布不均匀的图形对应的分形谱较宽。经１００℃退火６０ｍｉｎ后薄膜中出现分布不均匀的很少的分形花样，经１２０℃退火６０ｍｉｎ后分形花样布满整个薄膜表面，相应的分形谱宽度△α从３．７０减小到０．２３。     

分形Ge团簇的晶化行为

Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜中各种图案的形成是一种远离平衡态的非平衡生长现象。近年来，随着非线性科学的发展，这方面工作引起了人们极大的兴趣，具有代表性的工作是侯建国等人［１－４］在各种膜厚比和各种退火温度下的Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形生长行为。由于非线性系统...     

Pd／a—Si双层膜退火后的两种新亚稳相

近些年来,人们在Pd_(80)Si_(20)玻璃合金中发现大量的亚稳相。然而对Pd/a-Si双层膜的一些实验结果(IERS和TEM)也发现低温退火后存在少量的未知结构,本文针对这个问题对Pd/a-Si双层膜低温退火进行了研究。发现在组分为含Si 34at%的退火样品(185C)中局部区域存在的两种亚稳相(NSA和NSB),并确定了其结构。结构分析方法是利用二张不同的电子衍射图,     

真空分层蒸镀InSb薄膜的研究

采用双源分层蒸镀的方法制作ＩｎＳｂ薄膜，将区域熔融技术用于ＩｎＳｂ薄膜的热处理，提高了薄膜的纯度和择优定向程度，室温下电子迁移率达到３００００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）。在此基础上，分析了影响ＩｎＳｂ薄膜性能的几个主要因素。     

Au／a—Ge双层膜分形晶化及其V—I非线性研究

本文报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶化现象，测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜在分形晶化后的Ｖ－Ｉ特性。实验结果表明：Ｗ发形晶化后的Ａｕ／Ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特生，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）。模型对该合理的解释。     

分形晶化的Au／a—Ge双层膜的非线性V—I特征

本报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶体现象，并首次测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜分形晶化的Ｖ－Ｉ特性，实验结果表明：分表晶化后的Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特征，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）模型对实验结果给予了合理的解释。     

Si1—xGex薄膜Ge表面偏聚的Monto Carlo模型

目前已经有许多学者研究了用UHV／CVD方法生长Si-1xGex薄膜时Ge在表面，次表面的偏聚，一种对这种实验结果的解释是由于化学原因（例如氧化）造成铸原子的化势差，这种化学势差成为锗原子迁称匀生锗偏聚的动力，本文通过应用一个简单的统计热力学模型，对在这种机芈 产生的锗偏聚进行了研究，这种用Motnte Carlo方法建立了模型所得到的计算结果与实验结果相当吻合。     

薄膜蒸镀光学控制中的一种现象的数学分析

证明了在连续蒸镀两层高，低折射率介质膜过程中，当第一层厚度不足λ／４厚时，刚开始蒸镀第二层膜时其反射率变化趋势与第一层膜相同，并由此展开，说明两层厚度不足λ／４的薄膜在很大程度上等价于一层λ／４的薄膜。     

SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究

本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10~(20)/cm~3,获得了一种TiSi_2/n~+-Si/SiO_2/Si的多层结构。形成TiSi_2后,As原子在上层Si中的分布与SIMOX薄膜厚度有关,当上层Si很薄时,As原子在上层Si与SiO_2埋层的界面上的堆积是明显的。     

退火Ge－Au／Au双层膜中出现的缩聚型分形

利用透射电子显微镜观察了不同温度下退火的Ｇｅ－２２ａｔ．％Ａｕ／Ａｕ双层膜，原态双层膜由Ｇｅ．Ａｕ多晶相和少量Ｇｅ＿（０．４）Ａｕ＿（０．６）亚稳相组成，其中Ａｕ的晶粒很不均匀，没有观察到非晶态Ｇｅ。６０℃至３５０℃退火后均能出现分形图形，但和非晶Ｇｅ晶化形成的多枝叉形貌显著不同。温度升高，分维数增大。认为Ｇｅ－Ａｕ／Ａｕ双层膜中较粗大的Ａｕ晶粒吸收Ａｕ小晶粒引起的缩聚是形成分形的主要原因。     

Pd/Sb(Mn)薄膜的光学性质研究

本文系统地研究了用固相反应再生长法在Ｐ型ＧａＡｓ衬底上制备的Ｐｄ／Ｓｂ（Ｍｎ）薄膜的光学性质．通过对不同薄膜厚度、材料组分、退火温度和时间下的反射与透射率谱的研究表明,在近红外区存在一个较强的反射峰;当薄膜厚度为５０ｎｍ左右,退火温度在３００℃到３５０℃,钯与锑原子比为１∶１时,可以得到较大的反射和一定的透射,有可能用作垂直腔面发射半导体激光器的Ｐ型边谐振腔镜兼注入电极．     

Si_(1-x)Ge_x薄膜Ge表面偏聚的Monte Carlo模型

目前已经有许多学者研究了用 UHV/CVD方法生长 Si1-x Gex 薄膜时 Ge在表面、次表面的偏聚。一种对这种实验结果的解释是由于化学原因 (例如氧化 )造成锗原子的化学势差 ,这种化学势差成为锗原子迁移产生锗偏聚的动力。本文通过应用一个简单的统计热力学模型 ,对在这种机理下产生的锗偏聚进行了研究。这种用 Monte Carlo方法建立的模型所得到的计算结果与实验结果相当吻合。