HT－6M托卡马克等离子体电子密度分布研究

根据等离子体电子密度诊断原理，建立了七道远红外ＨＣＮ激光干涉仪。用电子密度分布特征参数研究了ＨＴ－６Ｍ托卡马克上的边界欧姆加热（ＥＯＨ）、抽气限制器（ＰｕｍｐｉｎｇＬｉｍｉｔｅｒ）和离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）实验中的密度分布变化规律和约束特性。对于ＨＴ－６Ｍ托卡马克装置欧姆放电，密度分布特征参数ｕ约为１．１～１．３；约束改善的放电模式，ｕ上升到１．８～２．０，电子密度分布展宽；当密度分布特征多数ｕ≤０．９时，密度分布峰化，这是大破裂的先兆。     

HT－6M托卡马克等离子体电子密度分布研究

根据等离子体电子密度诊断原理，建立了七道远红外ＨＣＮ激光干涉仪。用电子密度分布特征参数研究了ＨＴ－６Ｍ托卡马克上的边界欧姆加热（ＥＯＨ）、抽气限制器（ＰｕｍｐｉｎｇＬｉｍｉｔｅｒ）和离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）实验中的密度分布变化规律和约束特性。对于ＨＴ－６Ｍ托卡马克装置欧姆放电，密度分布特征参数ｕ约为１．１～１．３；约束改善的放电模式，ｕ上升到１．８～２．０，电子密度分布展宽；当密度分布特征多数ｕ≤０．９时，密度分布峰化，这是大破裂的先兆。     

HT－6M装置上离子回旋波的传播和吸收

本文从波与粒子相互作用的线性理论出发，结合ＨＴ－６Ｍ托卡马克少数离子为氢，基本离子为氘［Ｈ（Ｄ）］的等离子体离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）为例，讨论了离子回旋波在这特定的等离子体中传播、吸收与少数离子氢的浓度ＲＨ（定义为ｎＨ／ｎｅ，ｎＨ为氢离子密度，ｎｅ是等离子体总密度）和平行波数ｋ‖的关系。文中最后还给出了ＨＴ－６Ｍ托卡马克离子回旋共振加热的优化实验方案。     

HT—6M托卡马克可见光谱中的锯齿振荡现象

本文介绍了ＨＴ－６Ｍ托卡马克可见光谱信号中锯齿振荡现象，分析了电子温度，电子密度以及原子基态密度对光谱信号的影响，认为主要由边界电子温度变化引起。     

等离子本离子温度和角向旋转速度的测量

利用多道光学分析仪测量了ＨＴ－６Ｍ托卡马克ＣＶ２２７．１ｎｍ谱线线形分布,通过选点拟事得到了等离子体离子温度和旋转速度。     

HT—6M装置上离子回旋波的传播和吸收

本文从波与粒子相互作用的线性理论出发，结合ＨＴ－６Ｍ托卡马克少数离子为氢，基本离子为氘的等离子体离子回旋共振加热为例，讨论了离子回旋波在这特定的等离子体中传播、吸收与少数离子氢的浓度ＲＨ和平行波数ＫⅡ的关系。文中最后还给出ＨＴ－６Ｍ托卡马克离子回旋共振加热的优化实验方案。     

LHCD的径向扩散效应

根据低杂波驱动电流的准线性理论，利用二维Ｆｏｋｋｅｒ－Ｐｌａｎｋ方程模拟程序，求出速度空间扩散的驱动电流，考虑快电子的径向扩散效应对驱动电流的影响，对原有程序加以完善，并ＨＴ－７，ＨＴ－６Ｍ装置进行了大量模拟计算，结果表明，考虑径向扩散后，原有的驱动电流以分变平很宽，并且变得光滑，同时驱动电流明显减小，驱动效率降低，另外，对于不同的径向扩散系数，电流密度的分布也有较大的差异。     

HT—6M托卡马克等离子体平衡的1MW反馈控制系统

针对ＨＴ－６Ｍ托卡马克成功地研制出１ＭＷ快响应等离子体平衡反馈控制系统。主电源采用ＧＴＯ直流斩波器。主控采用带微分反馈环节的开关斩控模式。     

高计数率软X射线能谱仪诊断高温等离子体

本文给出了在ＨＴ－６Ｍ托卡马克装置上做ＥＣＲＨ实验时，用软Ｘ射线诊断等离子体电子温度的数据及处理结果。还尝试了能够提供每次放电数据的方法。如果在实验中要求温度的时间分布，本方法能够及时提供每次放电的电子温度及其随时间变化的情况。     

M_4S~(6 )(M=Cd,Zn)Clusters的电子结构和光谱性质的SCC-DV-X_α方法的计算研究

通过ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法对Ｍ４Ｓ６＋电子结构和光谱性质的计算研究得出Ｃｌｕｓｔｅｒｓ的第一吸收峰；同时，对Ｍ４Ｓ６＋的稳定性、电荷转移及轨道成分对ＬＵＭＯ和ＨＯＭＯ的影响进行了讨论。     

用分子轨道法研究三乙基铝的结构与性质

采用从头算ＨＯＮＤＯ８．１程序分别选用ＳＴＯ－３Ｇ、６－３１Ｇ、６－２１Ｇ在ＨＦ水平上计算了三乙基铝的电子结构，用半经验分子轨道法ＭＯＰＡＣ６计算了三乙基铝的生成热等热力学性质     

M4S^6＋（M=Cd,Zn）Clusters的电子结构和光谱性质的SCC—D…

通过ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法对Ｍ４Ｓ＾６＋电子结构和光谱性质的计算研究得出Ｃｌｕｓｔｅｒｓ的第一吸收峰；同时，对Ｍ４Ｓ＾６＋的稳定性，电荷转移及轨道成分对ＬＵＭＯ和ＨＯＭＯ的影响进行了讨论。     

利用环向电场提升等离子体电流以改善约束状态

利用一个小的环向涡旋脉冲电场（４．４Ｖ／ｍ，０．４５ｍｓ）成功地将ＨＴ－６Ｍ托卡马克等离子体电流从第一平顶（５５ｋＡ）提升到６０ｋＡ的第二平顶。其电流上升率大于１２ＭＡ／ｓ，电流上升时间远小于经典趋肤时间，实验中观察到了标志等离子体约束改善的明显物理现象。等离子体电流提升后，粒子约束时间提高了２．１倍，能量约束时间提高了１．６倍。 关键词：     

丝光沸石的Monte Carlo研究 Ⅰ,原粉丝光沸石的硅,铝分布

丝光沸石原粉样品骨架上硅、铝原子占据是不违反Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ＇ｓ ｒｕｌｅ。而且Ａｌ－Ａｌ彼此次最近邻回避的随机分布。基于这个设想模型，Ｍｏｄｅｌ－２的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ计算所得到的Ｓｉ－Ａｌ近邻分布｛Ｓｉ（ｎ－Ａｌ）｝相对于未考虑Ａｌ－Ａｌ次最近邻回避原则的Ｍｏｄｅｌ－１或二项分布模型计算与＾２９Ｓｉ ＭＡＳＮＭＲ实验观测有较好的符合。根据Ｍｏｄｅｌ－２我们也计算了Ａｌ－Ａｌ次邻分布｛     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ＺｎＳ∶Ｔｂ薄膜电致发光器件．测量了发射强度比Ｉ（５Ｄ３－７Ｆ６）／Ｉ（５Ｄ４－７Ｆ４）随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率，计算了碰撞截面，分析ＺｎＳ∶Ｔｂ的过热电子的分布，并与ＺｎＳ∶Ｍｎ进行了比较．指出了ＺｎＳ∶Ｔｂ效率与ＺｎＳ∶Ｍｎ效率差异的可能原因．     

在小硅化物SiX^m（X=Be,B,C,N,O,F,Ne,m=～4—＋2）中分子成…

此文用从头计算法，在ＨＦ，ＭＰ２，ＭＰ３水平下，使用基组６－３１Ｇ，６－３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分析ＳｉＸ＾ｍ（Ｘ＝Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电相关效应，并考虑了不同其函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频     

AGS能量下π~－π~－的Bose—Einstein关联

全同粒子间的玻色－爱因斯坦关联可以用来研究相对论性核碰撞中次级粒子源分布及有关的物理问题．本文用强子级联模型（ＨＣＭ）模拟２８Ｓｉ（１４．６ＡＧＣＶ／ｃ）＋Ａｕ反应，得到π－粒子的ｆｒｅｅｚｅ－ｏｕｔ状态，进而计算了π－π－关联函数，取得与实验一致的结果．还计算了ｆｒｅｅｚｅ—ｏｕｔπ－源的均方根线度，并讨论了它与拟合方法抽取的源参数间的关系．     

人工神经网络方法预测八面体六卤化物MX~(n-)_6的ν_1和ν_2模的振动频率

利用ＡＮＮ－ＢＰ算法，采用逐步改变训练步长和两个惯性项的权重系数惯性调整策略，分别以单目标和双目标的三层网络对八面体六卤化物ＭＸｎ－６的八面体ν１和ν２模振动频率进行了预测，发现单、双目标下预测的结果相差不大，双目标时权重系数调整得较快，［ＭｏＦ６］２－，［ＢｉＦ６］－和［ＡｕＦ６］２－的振动频率文献值与网络的计算值或预测值相差偏大。     

含MoFe3S4单元的μ2-OR或μ2-SR桥联双类立方烷簇合物的红外光谱研究

对下列含ＭｏＦｅ３Ｓ４ 单元的μ２－ＯＲ或μ２ －ＳＲ桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究：（Ｅｔ４ Ｎ）３［Ｍｏ２Ｆｅ６ Ｓ８Ｃｌ６ （ＯＭｅ）３ ］（１）,（Ｅｔ４ Ｎ）３ ［Ｍｏ２ Ｆｅ６ Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（２）,（Ｂｕ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（３）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＢｕｔ）６（ＯＭｅ）３］（４）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）９ ］（５）。通过这系列簇合物特征振动频率和结构参数及与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的比较,对其νＭ ｏ－μ２Ｏ（Ｒ） ,νＭ ｏ－μ２Ｓ（Ｒ）,νＭ ｏ－Ｓ,νＦｅ－Ｓ,νＦｅ－ＳＲ,νＦｅ－Ｃｌ 进行了归属。对其中两条途径的亲电诱导效应及Δν（即νＭ ｏ－Ｓ－νＦｅ－Ｓ）与Ｆｅ→Ｍｏ 电荷迁移的关系进行了探讨。最后,讨论了桥联双类立方烷与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的共性和差异。