铁氰化镍修饰电极对抗坏血酸电催化氧化的研究

抗坏血酸(AH_2)在玻碳和铂电极上的过电位较大,其电极反应不可逆.有关AH_2在碳及其它修饰电极上的电催化氧化已有一些报道,如减压热处理、Al_2O_3微粒研磨、普鲁士蓝修饰膜和聚乙烯二茂铁修饰膜等.本文研究了铁氰化镍修饰膜电极催化AH_2氧化的电化学行为.发现其阳极峰电流与AH_2浓度呈线性关系,可测定1×10~(-7)mol/L的AH_2,其灵敏度比聚乙烯二茂铁修饰电极提高一个数量级.用于蔬菜、水果中AH_2的测定,结果满意.     

电化学方法制备石墨烯-铁氰化镍复合物及对抗坏血酸的电催化氧化研究

采用电化学还原方法制备了铁氰化镍-石墨烯复合薄膜电极,扫描电子显微镜(SEM)表征电还原石墨烯和铁氰化镍-石墨烯复合材料的表面形貌。采用循环伏安和计时电流技术研究了该修饰电极对抗坏血酸(AA)的电催化氧化性能,据此建立了一种测定AA的电化学分析新方法。由于石墨烯和铁氰化镍纳米颗粒之间的协同效应,使得该复合修饰电极对抗坏血酸具有优异的电催化活性。在0.1 mol/L pH 7.00的PBS溶液中,抗坏血酸的催化氧化电流与其浓度在1.0×10-4~7.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.1×10-5mol/L(S/N)。     

铁氰化钆修饰电极对鸟嘌呤的电催化氧化及应用

用电化学沉积法制备了稀土铁氰化钆修饰玻碳电极(GdHCF/GC/CME),考察了该电极对鸟嘌呤的电催化氧化性能,同时根据Fenton反应产生的羟基自由基对鸟嘌呤的氧化作用和修饰电极氧化作用之间的竞争机理,对抗坏血酸清除羟基自由基进行了初步评价.实验结果表明,修饰电极对鸟嘌呤具有很好的电催化氧化性能.在HAc-NaAc缓冲液(pH=5.1)中,鸟嘌呤在1.0×10-6～4.6×10-5 mol/L浓度范围内与其氧化峰电流呈良好的线性关系,其线性回归方程为Ip(μA)=0.1112C 2.8715,r=0.9889;检出限为3.3×10-7 mol/L.以此电极评价抗坏血酸对羟基自由基的清除作用,取得了较好的效果,为羟基自由基清除剂的筛选提供了一种新的方法.     

铁氰化镍化学修饰电报对多巴胺电催化氧化及其测定

本文采用电化学方法在导电基体电极上制备出性能追定的铁氰化锌（ＮｉＨＣＦ）修饰膜电极，对Ｎｉ－ＨＣＦ膜电极的电化学行为进行了表征，并研究了其对神经传导物质，多巴胺（ＤＡ）的电催化氧化作用。结果表明对于在空白玻碳电报（ＧＣ）上氧化电位较高的ＤＡ，ＮｉＨＣＦ在可通过媒介作用促其氧化电位降低约２００ｍＶ，大大提高了其电子转移速率；而且在ＤＡ的浓度为１．０×１０－６—１．０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ范围内，催化峰电流与ＤＡ浓度呈良好的线性关系，检测限可达５．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ。用于ＤＡ药物针剂的测定，结果良好。     

铁氰化镍化学修饰电极对亚硫酸根离子的电催化氧化及其应用

本文采用电化学方法在玻碳(GC)基体上制备出性能稳定的铁氰化镍(NiHCF)修饰膜电极,表征了NiHCF膜的电化学行为,研究了其对SO_3~(2-)离子的电催化氧化作用。结果表明,SO_3~(2-)离子在NiHCF/GC上氧化是受NiHCF媒介作用的,属EC平行催化反应。催化峰电流与SO_3~(2-)离子浓度在1.0×10~(-6)～2.0×10~(-2)mol/L范围内呈线性关系,检测限可达5.0×10~(-7)mol/L。用于测定空气中SO_2含量,结果良好。     

电化学法制备电还原的氧化石墨烯-铁氰化镍修饰电极检测亚硝酸根

通过静电作用,在氧化石墨烯(GO)表面吸附一层均匀分散的Ni2+形成GO-Ni2+复合物,利用循环伏安法,把GO-Ni2+修饰电极上的Ni2+转化为铁氰化镍(Ni HCF),再通过电还原制备电还原的氧化石墨烯-铁氰化镍修饰的玻碳电极(ERGO-Ni HCF/GCE)。采用扫描电子显微镜(SEM)对其表面结构进行了表征。研究了NO-2在不同修饰电极上的电化学行为,ERGO-Ni HCF/GCE对NO-2的氧化反应有很好的电催化活性,NO-2的浓度与其氧化峰电流呈良好的线性关系。     

基于纳米铁氰化镍修饰二氧化钛纳米管阵列电极的非酶葡萄糖传感器

以二氧化钛纳米管阵列(TNTs)为基底,利用脉冲电沉积的方法将Ni纳米粒子沉积在TNTs管内,通过循环伏安法将Ni转化为铁氰化镍(NiHCF),构造了新型的非酶型葡萄糖生物传感器(NiHCF/TNTs修饰电极)。在优化的实验条件下,传感电极的灵敏度为663μA/(mmol cm2);响应电流与葡萄糖浓度在1～23mmol/L范围内呈现良好的线性关系。在低浓度检测下,线性范围为2×10-3～1.0 mmol/L;检出限为0.5μmol/L。本传感电极具有灵敏度高、稳定性好和抗干扰能力强等特点。     

铁氰化钐修饰电极的制备、表征及电催化

铁氰化钐修饰电极的制备、表征及电催化;铁氰化钐;多巴胺;化学修饰电极;电催化     

Amperometric Determination of Inositol Based on Electrocatalytic Oxidation on a Glass Carbon Electrode Modified by Nickel Hexacyanoferrate Films

Abstract

A novel method to determinate inositol based on the electrocatalytic oxidation of inositol on the surface of a nickel hexacyanoferrate (NiHCF)–modified electrode was reported. The determination of inositol can be performed in the range of 1.0×10^?4 to 5.8×10^?3 mol/L with a detection limit of 5.0×10^?5 mol/L.     

聚对苯二酚修饰玻碳电极的制备及其对抗坏血酸的催化氧化作用

采用循环伏安(CV)法制备了聚对苯二酚薄膜修饰玻碳电极,利用其电催化氧化作用建立了抗坏血酸的定量分析方法,探讨了其催化氧化机理。研究发现:在0.2 mol/L Na2HPO4-NaH2PO4(PBS,pH 7.0)缓冲溶液中,以0.1 mol/L KC l作支持电解质,聚对苯二酚修饰电极(PHQ/CME)对抗坏血酸(AA)存在灵敏的催化氧化作用,氧化峰电位负移177 mV。应用微分脉冲伏安法(DPV)对AA进行定量分析,其氧化峰电流与AA浓度在3.3×10-5~1.7×10-2mol/L和1.7×10-2~1.2×10-1mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.3×10-6mol/L。机理研究结果表明:PHQ/CME上带有的酚羟基与脱氢抗坏血酸自由基之间形成的氢键是电催化氧化的主要原因。     

铁氰酸镍膜修饰金电极的研制及应用

通过层层组装的方法,将Ni^2＋和[Fe（CN）6]^3-交替沉积在巯基乙酸功能化的金电极表面．首次成功制备了铁氰酸镍多层膜修饰电极,用循环伏安法研究了该多层膜的电化学行为,实验表明峰电流随膜层数的增加而增加,膜均匀增长．该修饰电极对一价金属离子Na^＋,K^＋,NH4^＋具有选择性响应,尤其对K^＋存在准能斯特响应,响应范围0．01～1．0mol／L;而且该电极对抗坏血酸（AA）和S2O3^2-体系的氧化具有良好的电催化作用,线性范围分别为：1．14×10^-4～1．14×10^-3mol／L和5．0×10^-4～3．1×10^-3mol／L．     

L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极对抗坏血酸的电催化作用及其测定

金电极表面对L 半胱氨酸 (L Cys)有特性吸附 ,而L Cys分子在等电点pH附近因静电引力和氢键作用形成分子对 ,从而在电极表面自组装形成L Cys双层膜。L Cys修饰金电极对抗坏血酸 (AA)具有良好的电催化作用。用示差脉冲伏安法对AA进行了测定 ,氧化电流与AA的浓度在 1.0× 10 -3 ～ 4× 10 -6mol/L范围内呈良好的线性关系 ,线性相关系数为 0 .9981;检出限为 4× 10 -7mol/L。用于药片中AA含量的测定 ,结果令人满意。     

碳纳米管修饰电极对多巴胺和抗坏血酸的电催化氧化

研究了碳纳米管修饰玻碳电极 (NTCME)的制备方法及对多巴胺 (DA)和抗坏血酸 (AA)的电催化氧化作用。在磷酸盐缓冲溶液 (PBSpH 7.4)中 ,以NTCME为工作电极时 ,DA与AA的氧化电位分别为 0 .2 6和 0 .0 1V(vs.SCE) ,比在裸玻碳电极 (GC)上分别降低了 0 .0 7和 0 .6 2V。NTCME能消除DA与AA共存时测定的相互干扰。利用二阶导数卷积伏安法测定 ,DA与AA分别在 2 .0 0× 10 - 6～ 3.84× 10 - 4 和 7.99× 10 - 5～ 3.6 6× 10 - 3 mol L浓度范围内 ,峰高与浓度呈线性关系 ;检出限分别为 1.90× 10 - 7和 5 .96× 10 - 5mol L。     

羧基化碳纳米管嵌入石墨修饰电极对多巴胺和抗坏血酸的电催化

采用涂层和嵌入修饰法 ,将羧基化多层碳纳米管制成两种修饰电极。以多巴胺 (DA)和抗坏血酸(AA)为模型化合物 ,研究了两种修饰电极对DA和AA共存时的电催化作用。结果表明 :嵌入的方式比涂层的方式显示了更多的优点。嵌入修饰电极不仅使峰电流增加 ,并且使两者共存时的氧化峰位分离达 16 0mV ,同时 ,该电极对DA的响应灵敏于AA ,这有利于在大量的AA存在下实现对DA的测定。在 1× 10 - 3 mol/L的AA的存在下 ,还原电流的一阶导数与DA浓度在 5× 10 - 7～ 1× 10 - 4 mol/L范围内呈良好的线性关系 ;检测下限达 1× 10 - 7mol L。     

抗坏血酸在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的催化氧化

多壁碳纳米管;抗坏血酸;修饰电极;电催化;伏安法