共查询到14条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
电子的电荷自由度与自旋自由度是现代电子器件的基础核心之一。随着二维材料,尤其是二维过渡族硫化物(TMDCs)的研究深入,另一个自由度——能谷——也引起了人们极大的研究兴趣。由于TMDCs中自旋与能谷的强耦合,自旋(能谷)可以通过能谷(自旋)方便地进行调控和探测,为电子自旋和能谷的相关领域提供了新的手段和方法。文章首先对能谷自由度以及TMDCs中自旋与能谷的强耦合进行了介绍,然后介绍基于圆偏振光激发和自旋注入两种方式进行的自旋调控和探测的理论和实验工作,最后对基于能谷的自旋调控进行了总结和展望。 相似文献
3.
4.
首先把本征值方程投影到导带的子空间中, 进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α 1, α 2)和子带间自旋-轨道耦合系数η12. 然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α 1, α 2和η12, 并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献. 结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数, 子带间自旋轨道耦合系数η12比Rashba自旋劈裂系数α 1, α 2小, 但基本在同一数量级. 相似文献
5.
We present a theoretical study of the energy levels with two-dimensional ring confining potential in the presence of the Rashba spin-orbit interaction. The features of some low-lying states in various strengths of the Rashba spin-orbit interaction are investigated. The Rashba spin-orbit splitting can a/so be influenced by the width of the potential barrier. The computed results show that the spin-polarized electronic states can be more easily achieved in a weakly confined dot when the confinement strength for the Rashba spin-orbit interaction is larger than a critical value. 相似文献
6.
7.
近年来,得益于拓扑物理理论和二维材料制备的迅速发展,以量子自旋霍尔绝缘体为代表的二维拓扑材料的研究受到热切关注[1,2]。早在2005年前后,理论表明在二维材料体系如石墨烯[3]和HgTe量子阱体系[4]中由于自旋轨道耦合作用而存在拓扑量子自旋霍尔效应。然而石墨烯中的碳是轻元素,自旋轨道作用非常微弱,所以其拓扑能隙太小。HgTe由于由重元素组成,自旋轨道耦合作用较强,其拓扑量子自旋霍尔态在2007年的实验中得到验证[5],但仍需在很低的温度下才能得以实现。人们期望能在更高温度乃至室温下工作的具有更大拓扑能隙的量子自旋霍尔体系的发现。 相似文献
8.
The effect of k-cubic Dresselhaus spin–orbit coupling on the decay time of persistent spin helix states in semiconductor two-dimensional electron gases
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
We study the theoretical effect of k-cubic (i.e, cubic-in-momentum) Dresselhaus spin-orbit coupling on the decay time of persistent spin helix states in semiconductor two-dimensional electron gases. We show that the decay time of persistent spin helix states may be suppressed substantially by k-cubic Dresselhaus spin-orbit coupling, and after taking the effect of k-cubic Dresselhaus spin-orbit interaction into account, the theoretical results obtained accord both qualitatively and quantitatively with other recent experimental results. 相似文献
9.
类石墨烯氮化碳结构(C3N)作为一种全新的碳基二维半导体材料,由于其优异的机械和电子性能引起了研究者们的广泛关注,不同结构C3N的热输运和声子输运机制还待进一步研究.本文构造了4种不同结构的C3N,采用非平衡分子动力学与晶格动力学方法对不同结构的C3N的热传导机理进行了研究.研究结果表明:1)在4种结构中M3热导率最高,M1次之,M4热导率最低;2)不同结构的C3N的热导率具有明显的尺寸效应和温度效应.当样本长度较短时,声子主要以弹道输运的方式进行传输;当样本长度增大,扩散输运占主导地位;随着温度的升高,Umklapp散射在热输运中占据主导地位,使得热导率与温度具有1/T的依赖性.3)与M3相比,M1和M4结构中都存在更大的声子带隙,色散曲线进一步软化,低频和高频声子同时出现了局域化的特征,对热导率产生了显著的抑制作用.本文为更好地设计热管理材料提供了思路. 相似文献
10.
We theoretically study indirect spin coupling strength between two magnetic impurities located on honeycomb Kane-Mele zigzag ribbon (KMZR) with periodic and open boundary (PB and OB). We show that spin interaction J in PB ribbons displays an AFM-FM oscillating behavior with increasing the staggered potential and electron density, and approaches to maximum at the edges. While the spin coupling in OB KMZR shows a trivial smooth AFM coupling with varying staggered potential. Such a novel J( A) behavior is the combining effect of finite size, topological edge states and inversion symmetry breaking induced by the staggered potential. We propose that one could control the edge magnetism electrically in two-dimensional buckled honeycomb materials, e.g., silicence, germanene and stanene. 相似文献
11.
12.
13.
塞贝克效应与温差发电 总被引:3,自引:0,他引:3
将两种半导体的一端结合在一起并使之处于高温状态(热端),而另一端开路且处于低温状态(冷端),则在冷端(T1)存在开路电压ΔV,这个效应称塞贝克效应。如图1所示。塞贝克电压ΔV与热冷两端的温度差ΔT成正比,即ΔV=αSΔT=αSΔ(T2-T1)(1)图1塞贝克效应其中αS称为塞贝克系数,其单位是V/K或μV/K。塞贝克系数由材料本身的电子能带结构决定的。 相似文献