InGaAsp／InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹

讨论了ＭＯＣＶＤ外延膜Ｘ射线衍射摇摆曲线中干涉指纹的各种特征。指出了由干涉指纹测定薄膜最度的精确性。研究了影响干涉指纹的，为正确识辨材料结构和改进生长工艺提供方便。     

MQW结构材料的X射线双晶衍射摇摆曲线的分析与比较

本文归纳了不同材料，不同组分下ＭＱＷ结构材料的Ｘ射线双晶衍射遥摆曲线的几种类型；从光衍射理论的角度，分析，计算和讨论了卫星峰的间隔与厚度，应力与线型对称性的关系。     

半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析

本文介绍Ｘ射线晶体衍射的测试原理，讨论了半导体薄片异质结构材料Ｘ射线晶体衍射测量中正、负失配，晶片微弯曲，摇摆曲线的对称性，复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ工艺调整的重要性。     

X射线双晶衍射测试曲线的计算机模拟分析

介绍了Ｘ射线双晶衍射动力学理论和基于光干涉行为的Ｐｅｎｄｅｌｌｏｅｓｕｎｇ现象，给出了几种典型的模拟摇摆曲线和其组分与结构参数，较详细地介绍了采用计算机模拟摇摆缸线逼近并分析实测摇摆曲线的方法。     

飞秒X射线衍射研究进展

介绍X射线脉冲光源的三种产生方式及其在飞秒X射线衍射实验中的应用,着重介绍了飞秒射线衍射实验研究的进展状况,最后对实验结果进行了详细的理论分析。     

应变量子阱结构材料X射线双晶衍射摇摆曲线的测试与分析

报告了多薄层质结构材料Ｘ射线衍射模拟摇摆曲线和压应变，张应变量子阱材料的实测摇摆曲线，指出了计算机模拟分析实测摇摆曲线是精确求得失配率，量子阱周期的科学方法，分析和讨论了与失配率，量子阱周期有关的简单计算公式的适用性。     

4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析

用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析.研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响.     

MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究

用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17",GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.015 6%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2.     

GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究

作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在实验样品具有一定曲率半径(在本实验条件下10—30米)的情况下,用X射线双晶形貌法摄取了这种干涉条纹相,并对弯曲外延片的成相几何进行了分析;通过测量貌相图上干涉条纹的振荡周期,计算出了外延片的曲率半径.     

干涉条纹自动判读方法的研究

提出了一种全新的干涉条纹自动判读算法。该算法利图像自身的灰度信息构建合适的权函数，进而确定条纹对应的曲线，使得条纹上各点到该曲线距离的平方的加权积分最小。该算法不仅可以提取条纹的多样化信息，而且同时还具有图像处理的功能；当权函数是图像灰度的奇函数时，该算法对图像的随机噪声不敏感。     

迈克耳逊干涉条纹计数器的研制

文中计数器主要由信号接收、信号调理放大、模数转换、信号处理及计数显示几部分组成,其中信号处理以Atmel 89C52为中央处理器,信号接收所用的传感器由光电二极管阵列构成,对激光波段敏感并且能够有效抑制紫外和红外波长的光,信号放大器采用直流模拟调制技术,避免了大多数隔离放大器模块所存在的电磁干扰问题。实验证明,该计数器操作简单,缩短了测量时间,提高了计数精度。     

连续波穿透雷达柱面成像的干涉条纹抑制研究

在进行单频连续波表层穿透雷达的柱面2维无损检测成像扫描时,发现明暗相间的条纹现象,这是雷达成像扫描的一种主要干扰,会严重降低目标的成像效果。该文简单分析了曲面干涉条纹的产生机理,并且基于柱面与目标的谱域分布特性差异,提出谱域干涉条纹滤波方法。针对小目标具有较规律的谱域角度分布特性,沿角度进行谱域插值的补偿,以消除谱域滤波丢失目标谱信息的影响。此外,结合波前成像算法,给出了实现简单、处理高效的谱域滤波成像处理流程。通过仿真分析和实测数据实验,结果表明该文方法能够有效去除柱面的干涉条纹,形成清晰的目标图像。与传统的减平均方法的对比证实该文方法更有效。     

InP和InGaAsP晶体上衍射光栅的刻制技术

采用全息光刻的技术,在InP 和InGaAsP晶体上刻制亚微米衍射光栅,获得较好的重复性和均匀性,并已应用于研制长波长分布反馈激光器.     

消除散斑杨氏条纹图中衍射晕影响的新方法

提出了杨氏条纹观察屏处放置衍射晕负片消除衍射晕影响的新方法。用该方法对实际双曝光散斑底片进行了处理。结果表明．对解决由于衍射晕强度变化引起的条纹极值漂移和条纹对比度下降问题行之有效。     

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的X射线双晶衍射研究

本文阐述了一种基于X射线动力学衍射理论的计算机模拟方法,该方法可用于分析超晶格材料的X射线双晶摆动曲线,用模拟计算方法得到了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的各种结构参数。     

InGaAsP／InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究

介绍应为量子阱材料的稳定性理论－－能量平衡模型,报告几个典型的与晶体质量蜕化有关的光荧光谱,计算机几种常用应奕多量子阱结构材料的临界弹性应变量,指出非应变盖层可提高阱层临界应变量,初步讨论实际可允许应变量与理论计算应变量之间差异的可能根源。     

InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备

借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5 μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV.在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50 μm×50 μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1 550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%.