1.5—4.5MeVα粒子引起Lu,Ta和Au L亚壳层电离的研究

以能量为１．５－４．５ＭｅＶ的α粒子轰击Ｌｕ，Ｔａ和Ａｕ靶，测得Ｌ亚壳层Ｘ射线产生截面，利用荧光产额和Ｃｏｓｔｅｒ－Ｋｒｏｎｉｇ跃迁几率等原子参数得到Ｌ亚壳层电离截面，将实验所得Ｌ亚壳层电离截面与ＥＣＰＳＳＲ预言值进行比较，对Ｌ１和Ｌ３亚壳层，理论值与实验结果符合较好。     

质子激发K壳层电离截面的测定

通过测量质子轰击固体薄靶产生的特征X射线和卢瑟福散射粒子,确定了在1.6-2.4MeV能区内质子激发Ag、Cu、Ni等元素的K壳层电离截面,测量误差约为10%。用OPSSR、PWBA等模型做了相应的计算,OPSSR计算结果与实验符合得较好,PWBA计算结果与实验相比有一致性偏高。     

电子、质子轰击核靶原子K壳层的电离截面初步计算

介绍了利用电子、质子分别轰击核靶原子K壳层电离截面的计算方法，给出了摸（Mg）、铝（Al）、钙（Ca）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、铬（Cr）等核靶的计算结果。最后进行了简要讨论。     

铝—K壳层电离截面的测量

叙述了质子轰击铝靶原子K壳层电离截面的测量。文中给出了实验原理、方法和结果,并与计算做了比较,还进行了讨论。     

电子、质子轰击核靶原子K壳层的电离截面初步计算

介绍了利用电子，质子分别轰击靶原子K壳层电季截面的计算方法，给出了镁（Mg),铝（Al)，钙（Ca),钪（Sc)，钛（Ti),钒（V），铬（Cr)等核靶的计算结果，最后进行了简要讨论。     

由21—40keV电子轰击钼引起的k壳层电离截面的测量

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量能量为２１－４０ｋｅＶ电子引起的Ｍｏ的特征Ｘ射线，从而确定ｋ壳层的电离截面。描述了衬底影响测量结果的方法。同各种理论计算的比较表明，实验结果和Ｒｕｄｇｅ的计算吻合较好。     

铝—K壳层电离截面的测量

叙述了质子轰击名靶原子Ｋ壳层电离截面的测量,文中给出了实验原理,方法和结果,并与计算做了比较,还进行了讨论。     

Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag原子的K壳层电离截面的理论计算

利用修改后的MBELL模型,研究K壳层的相对论效应和离子效应对快电子离子碰撞电离K壳层产生截面的影响;在BELL模型中,引入相对论效应和离子效应,基于相对论效应的K壳层电子离子碰撞电离截面的理论,计算Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag的K壳层电子碰撞电离截面。研究结果表明:考虑到相对论效应和离子效应后,修改后的MBELL的K壳层产生截面的结果明显优于BELL的计算结果和其他半经验公式的计算结果,其计算结果可用来模拟K壳层激光等离子体的超热电子能谱和产额,且可为一些电子仪器的制造提供精确的碰撞电离参数。     

电子碰撞Ag的L壳层电离截面的测量

作者用Si(Li)探测器测量了能量为5～2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面；用Monte Carlo方法计算的电子反射能谱，修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响．作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较．     

250MeV以下能区中重核能谱和双微分截面的计算方法

给出了在中能区(≤250 MeV)多次粒子发射过程中计算6种出射轻粒子(n,P,a,d,t,3He)及各种 反冲核之能谱和双微分截面的方法.对p+208Pb反应给出了发射中子能谱和双微分截面的部分计算结果与实验数据的比较.     

慢电子与高Z原子Xe、Rn碰撞总截面和动量转移截面的计算

本文采用Roothaan-Hartree-Fock波函数,运用等效势模型,并使用不含任意参数的交换势计算了0.1-30eV的慢电子与高Z原子Xe、Rn弹性碰撞的总截面和动量转移截面。对于Xe原子我们的计算结果与实验数据符合的比较好,对于Rn原子我们的计算结果和其他理论计算结果数据总的趋势是一致的。但至今尚未见有实验结果的报道,仍需以后实验来验证。     

18Ar^q＋（q=1,2）与H和He碰撞的电荷剥离截面

采用二体碰撞近似和托马斯费米近似计算了多电荷离 子１８ Ａｒｑ＋ （ ｑ ＝ １ ,２） 与中性原子 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面以及离子势函数和电子动量分布．计算结果与文献［５］ 中数据符合得较好．所用的计算公式和计算程序可以计算任何一个多电荷离子 Ａｑ＋ 与 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面,因而具有一定的普遍意义     

14.8 MeV中子引起的172Yb(n,p)172Tm,173Yb(n,p)173Tm,170Yb(n,2n)169Yb和176Yb(n,2n)175Yb的核反应截面测量

用活化法以93Nb(n,2n)92mN反应截面为中子注量标准,然后对172Yb(n,p)172Tm,173Yb(n,P)173Tm,170Yb(n,2n)160Yb,176Yb(n,2n)175Yb的反应截面进行了测量,测得由(14.84±03)MeV中子引起的173Yb(n,p)172Tm的反应截面为(9.4±L0.9)mb,173Yb(n,p)173Tm的反应截面为(3.64±0.2)mb,170Yb(n,2n)169Yb的反应截面为(2 130±81)mb,176Yb(n,2n)175Yb的反应截面分别为(2169±81)mb.把测量的数据和其他作者的数据进行了比较,且利用HFTT程序计算了中子能量在7～18 MeV范围内两个(n,2n)反应和中子能区在5～30 MeV内两个(n,p)反应的截面,给出了这4个核反应的激发函数曲线.