一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环

提出了一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环.由于环路带宽可根据输入频率进行自动调节,电路性能可在整个工作频率范围内得到优化.为了进一步提高电路的抖动特性,在电荷泵电路中采用匹配技术,并在压控振荡器中应用电压-电压转换电路以减小压控振荡器的增益.芯片采用SMIC 0.35μm CMOS工艺加工.测试结果表明该锁相环电路可在200MHz～1.1GHz的输出频率范围内保持良好的抖动性能.     

一种快捕获宽调节范围的锁相环

提出了一种快捕获,低抖动,宽调节范围的增益自适应锁相环的设计.在这个方案中,采用了双边触发的鉴频鉴相器(dual-edge-triggered phase frequency detector)和自调节压控振荡器(self-regulated voltage controlled oscillator)并进行了详细的分析.芯片的加工工艺是0.5μm 1P3M CMOS标准数字逻辑工艺.测试结果表明输入频率变化在捕获范围的37%时,捕获时间为150ns;输出频率为640MHz时,均方根抖动为39ps.     

一种快捕获宽调节范围的锁相环

提出了一种快捕获,低抖动,宽调节范围的增益自适应锁相环的设计.在这个方案中,采用了双边触发的鉴频鉴相器(dual-edge-triggered phase frequency detector)和自调节压控振荡器(self-regulated voltage controlled oscillator)并进行了详细的分析.芯片的加工工艺是0.5μm 1P3M CMOS标准数字逻辑工艺.测试结果表明输入频率变化在捕获范围的37%时,捕获时间为150ns;输出频率为640MHz时,均方根抖动为39ps.     

一种自适应带宽低抖动PLL设计

设计了一种宽调节范围自适应带宽的低抖动锁相环倍频器(PLL)。通过采用自偏置技术,使得电荷泵电流和运算放大器的输出阻抗随工作频率成比例变化,从而使阻尼因子保持固定、环路带宽跟随输入参考频率自动调整,以及PLL在整个输出频率范围内保持最佳的抖动性能。电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,后仿真验证表明,该PLL电路能够在0.35~2.1 GHz的输出频率范围内输出良好的低抖动信号,输出频率为2.1 GHz时,均方根抖动为2.47 ps。     

一款低抖动宽调节范围锁相环频率合成器的设计

提出了一种基于SMIC公司0.18μm工艺、输出频率范围为1 GHz～3 GHz的低抖动电荷泵锁相环频率合成器设计方法.该设计方法采用一种新型自动调节复位脉冲的鉴频鉴相器结构,可以根据压控振荡器反馈频率自动调节不同的脉冲宽度,用以适应不同的输出时钟.仿真结果显示该器件能够有效降低锁相环频率合成器的抖动,其最大峰-峰值抖动为20.337 ps,锁定时间为0.8μs,功耗为19.8 mW.     

一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器

设计一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器,输出频率为400 MHz~1 GHz。电路采用电流型电荷泵自举结构消除电荷共享效应,同时实现可编程多种输出电流值。通过具体的频率范围来选择使用的VCO,获得更小的锁相环相位抖动。电路采用0.13μm 1.2 V CMOS工艺,芯片面积为0.6 mm×0.5 mm。Hsim后仿真结果显示当输出频率为1 GHz时,锁相环频率合成器的锁定时间为4.5μs,功耗为19.6 mW,最大周对周抖动为11 ps。     

一种应用于阵列TDC的低抖动锁相环设计

传统的PLL（Phase Locked Loop）电路受限于环路参数的选定,其相位噪声与抖动特性已经难以满足大阵列、高精度TDC（Time-to-Digital Converter）的应用需求.本文致力于PLL环路带宽的优化选取,采取TSMC 0.35μm CMOS工艺实现了一款应用于TDC的具有低抖动、低噪声特性的锁相环（Phase Locked Loop,PLL）电路,芯片面积约为0.745mm×0.368mm.实际测试结果表明,在外部信号源输入15.625MHz时钟信号的条件下,PLL输出频率可锁定在250.0007MHz,频率偏差为0.7kHz,输出时钟占空比为51.59%,相位噪声为114.66dBc/Hz@1MHz,均方根抖动为4.3ps,峰峰值抖动为32.2ps.锁相环的相位噪声显著降低,输出时钟的抖动特性明显优化,可满足高精度阵列TDC的应用需要.     

一种应用于TDC的低抖动延迟锁相环电路设计

本文采用双延迟线和防错锁控制结构,结合对电荷泵等关键模块版图对称性的匹配控制,设计了一种针对（Time-to-Digital Converter,TDC）应用的宽动态锁定范围、低静态相位误差延迟锁相环（Delay-Locked Loop,DLL）电路.基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,完成了电路的仿真和流片验证.测试结果表明,DLL频率锁定范围为40MHz-200MHz;静态相位误差161ps@125MHz;在无噪声输入的理想时钟驱动下,200MHz频率点下的峰-峰值抖动最大为85.3ps,均方根抖动最大为9.44ps,可满足亚纳秒级时间分辨的TDC应用需求.     

一种基于自偏置技术的低抖动锁相环

设计了一种环路带宽与输入频率的比值固定的自偏置锁相环。对VCO延迟单元进行改进,降低了抖动。采用SMIC 65 nm CMOS工艺,在1.2 V的工作电压下对锁相环进行仿真,输出频率范围为0.5~3.125 GHz。仿真结果表明,在输出频率1.875 GHz处的峰峰值抖动为8.7 ps,电路的核心功耗为45 mW,相位噪声为-79.7 dBc/Hz。     

一种低抖动低杂散的亚采样锁相环

设计了一个5.156 25 GHz低抖动、低杂散的亚采样锁相环,使用正交压控振荡器产生4路等相位间隔时钟。分析了电荷泵的杂散理论,使用差分缓冲器和互补开关对实现了低杂散。使用Dummy采样器和隔断缓冲器,进一步减小了压控振荡器对杂散的恶化。该亚采样锁相环在40 nm CMOS工艺下实现,在1.1 V的供电电压下,功耗为7.55 mW;在156.25 MHz频偏处,杂散为-81.66 dBc;亚采样锁相环输出时钟的相位噪声在10 kHz~100 MHz区间内积分,得到均方根抖动为0.26 ps。     

新型宽可调范围CMOS电调谐第二代电流传输器(ECCII)

提出了一种具有宽电流可调谐范围的新型CMOS电调谐第二代电流传输器( ECCII),通过引入基于差分差动电流传输器( DDCC)的对数反对数电流放大器,使电流增益通过偏置电流连续可调,在一定偏置电流下,调节系数0相似文献   

一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO

设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO).电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分.在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功耗;在振荡器的控制电源部分,采用gain-boost结构,设计了一款理想的可控双电流源,实现了振荡器的宽频率调谐范围.基于SMIC 65 nm工艺,在1.8V工作电压下,对振荡器进行了后仿验证.结果表明,在频率为900 MHz时,振荡器的功耗仅为3.564 mW;当控制电压在0.6～1.8 V变化时,振荡器的频率调谐范围可宽达0.495 ～1.499 GHz.     

用90nm CMOS数字工艺实现的低抖动时钟锁相环设计

用90nmCMOS数字工艺设计实现了一个低抖动的时钟锁相环.锁相环不需要"模拟"的电阻和电容,采用金属间的寄生电容作为环路滤波器的电容.测试结果显示,锁相环锁定在1.989GHz时的均方抖动为3.7977ps,周期峰峰值抖动为31.225ps,核心功耗约为9mW.锁相环可稳定输出的频率范围为125MHz到2.7GHz.     

用90nm CMOS数字工艺实现的低抖动时钟锁相环设计

用90nmCMOS数字工艺设计实现了一个低抖动的时钟锁相环.锁相环不需要"模拟"的电阻和电容,采用金属间的寄生电容作为环路滤波器的电容.测试结果显示,锁相环锁定在1.989GHz时的均方抖动为3.7977ps,周期峰峰值抖动为31.225ps,核心功耗约为9mW.锁相环可稳定输出的频率范围为125MHz到2.7GHz.