共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
研究了DC应力n.MOSFET热载流子退化的Sfγ噪声参量.提出了用噪声参数和Sfγ表征高、中、低三种栅应力下n-MOSFET抗热载流子损伤能力的方法.进行了高、中、低三种栅压DC应力下热载流子退化实验.实验结果和本文模型符合较好. 相似文献
2.
3.
4.
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,栅氧化层厚度5 nm器件更强。分析结果表明,随着器件沟长继续缩短和栅氧化层减薄,由于衬底正偏置导致的阈值电压减小、增强的寄生NPN晶体管效应、沟道热电子与碰撞电离空穴复合所产生的高能光子以及热电子直接隧穿超薄栅氧化层产生的高能光子可能打断S i-S iO2界面的弱键产生界面陷阱,加速n-M O S器件线性漏电流的退化。 相似文献
5.
6.
7.
双极晶体管在低频段的噪声主要成分是1/f噪声,其参数f_L和γ的获取目前尚很困难。本文给出了这两个参数的测量提取方法,其基本思想是基于噪声电压谱测量和最小二乘曲线拟合获得。最后给出了测量提取的实例与结果。 相似文献
8.
9.
10.
理论分析得知:1/f噪声的功率谱S(t)是确定的,在广度上发现了1/f噪声的新天地,在深度上获得普适关系式S(f)∝|logf|/f. 相似文献
11.
12.
从理论分析的角度,得出结论:1/f噪声拥有一定的能谱.得到了一个普适的公式,扩展了1/f噪声理论的应用范围. 相似文献
13.
本文利用非线性随机微分方程来合成间歇混沌信号,针对该信号表现出的1/f噪声特征,在不同消失矩的小波基下进行相关特性分析.仿真结果发现,在功率谱的中间频段内,该信号的功率谱密度表现出典型的1/f噪声特性,其小波变换系数方差与相应的小波尺度呈对数线性关系;且在该频段内,部分尺度下该间歇性信号的小波变换系数的相关性随小波基的消失矩的增大而减小,在另一部分尺度下该相关性则随着消失矩的增大而增大.实验结果表明,随小波消失矩的增大,并非在所有尺度下小波变换对该间歇性信号均具有去相关作用.论文讨论了小波变换系数的方差和尺度的关系,详细分析了小波变换系数的相关性随小波消失矩的变化趋势. 相似文献
14.
对不同栅氧化物n-MOSFETs的GIDL(Gate-InducedDrainLeakage)特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究.发现GIDL的漂移对栅电压十分敏感,在VG=0.5VD的应力条件下呈现最大.通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟,引入“亚界面陷阱”概念,对所涉及的机理提出了新见解,认为:在应力期间,亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于VG=0.5VD和VG=VD两种典型应力下GIDL的漂移.实验还观察到N2O氮化,特别是N2O退火NH3氮化的n-MOSFETs比常规热氧化n 相似文献
15.
16.
17.
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷. 相似文献
18.
MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取 总被引:1,自引:4,他引:1
基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测 相似文献
19.
20.
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比,在小电流区,r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明.低电流区GaAlAs IRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。 相似文献