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AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的C0的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通人1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能. 相似文献
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研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的CO的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通入1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能. 相似文献
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基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源.基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEC)的大量数据.例如,2DEG密度随着AlGaN层厚度、Al组分的变化的原因.当A10.3Ga0.7N/GaN结构中生长一层5 nm厚的GaN冒层时,2DEG浓度由1.47×1013cm-2减少到1.20×1013cm-2,减少是由于表面类施主态离化减少.由于充分厚的GaN冒层导致GaN/AlGaN/GaN上界面形成二维空穴气(2DHG),所以在超出特定的冒层厚度时2DEG浓度达到饱和. 相似文献
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本文论述了AlGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的特性,该结构使用Al组分为7%的AlGaN来代替传统的GaN作为缓冲层。Al0.07Ga0.93N缓冲层增加了二维电子气沟道下方的背势垒高度,有效提高了载流子限阈性,从而造成缓冲层漏电的显著减小以及击穿电压的明显提高。对于栅尺寸为0.5100μm,栅漏间距为1μm的器件,AlGaN/GaN 双异质结器件的击穿电压(~100V)是常规单异质结器件的两倍(~50V)。本文中的双异质结器件在漏压为35V、频率为4GHz下,最大输出功率为7.78W/mm,最大功率附加效率为62.3%,线性增益为23dB。 相似文献
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研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响.利用传输线模型(TLM)对样品的电学性能进行测试,使用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品的剖面微结构和界面反应进行表征与分析.实验结果显示,采用Ti/Al/Ni/Au(20 nm/120 nm/45 nm/55 nm)金属和源漏整体刻蚀欧姆接触结构,在合金温度870 c℃,升温20 s,退火50 s条件下,欧姆接触电阻最低为0.13 Ω·mm,方块电阻为363.14 Ω/□,比接触电阻率为4.54×10-7Ω·cm2,形成了良好的欧姆接触,降低了器件的导通电阻. 相似文献
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AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on 6H-SiC with varying field-plate length and gate-drain spacing were fabricated and analyzed. The classical small signal FET model and the well-known ColdFET method were used to extract the small signal parameters of the devices. Though the devices with field plates exhibited lower better fT characteristic, they did demonstrate better fmax, MSG and power density performances than the conventional devices without field plate. Besides, no independence of DC characteristic on field-plate length was observed. With the increase of the field-plate length and the gate-drain spacing, the characteristic of fT and fmax degraded due to the large parasitic effects. Loadpull method was used to measure the microwave power performance of the devices. Under the condition of continuous wave at 5.4 GHz, an output power density of 4.69 W/mm was obtained for device with field-plate length of 0.5 μm and gate-drain length of 2 μm. 相似文献
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Egorkin V. I. Bespalov V. A. Zaitsev A. A. Zemlyakov V. E. Kapaev V. V. Kukhtyaeva O. B. 《Semiconductors》2021,55(13):1039-1044
Semiconductors - Conventional AlGaN/GaN transistors are depletion-mode devices. For most applications, the E-mode, where the channel current is zero at the zero gate voltage, should be implemented.... 相似文献
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由于AlGaN/GaN HEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaN HEMT 的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应. 相似文献
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A Smart Sensor System for Carbon Monoxide Detection 总被引:1,自引:0,他引:1
G. C. Cardinali L. Dori M. Fiorini I. Sayago G. Faglia C. Perego G. Sberveglieri V. Liberali F. Maloberti D. Tonietto 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》1997,14(3):275-296
This paper illustrates a smart sensor system for carbonmonoxide detection. An innovative technological approach hasbeen pursued to fabricate gas sensors on silicon substrate, compatiblewith IC fabrication. A mixed analog-digital electronic interfaceprocesses the outputs of three sensors to compensate relativehumidity and interfering gases. Sigma-delta signal processingand low-frequency noise reduction techniques are used to minimizesilicon area and to meet the required performance in a standardCMOS technology. 相似文献
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为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对fmax,栅场板对fT、fmax和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15~0.25μm;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10~20nm;为了提高fmax,栅金属厚度应大于0.4μm;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3~0.4μm左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研究具有参考意义。 相似文献