共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
OU Fa 《Chinese Journal of Lasers》1996,5(5):429-438
BifurcationofDickeModelDrivenbyLaserFieldandScalingTheoryofCriticalExponentsFarfromEquilibriumOUFa(CCAST(WorldLaboratory)P.O.... 相似文献
2.
通过引入描述扰动程度的参数X和描述掺饵光纤放大器(EDFA)饱和特性陡度的参数T,本文推出了一个归一化的EDFA增益表达式,并据此对系统受扰后的信号恢复特性和误码率变化进行了分析。结果表明:对EDFA饱和程度较浅的陆上光纤通信系统,出现小于1dB(X≥0.8)的微扰时,光功率经一级EDFA即可恢复其原值的90%;系统经3dB扰动(X=0.5)后,光功率(信号和噪音功率之和)经过三级EDFA方能恢复到原值的90%,但系统误码率(BER)的恶化则在两个量级以上,且随着扰动开始点的后移而更加恶化。这说明为保证系统受扰后能正常工作,其光信噪比应有相当大的裕量。EDFA饱和越浅,系统受扰动的影响就越严重。 相似文献
3.
BAO Xinxian ZHENG Shuzi) LI Chunfei 《Chinese Journal of Lasers》1998,7(2):164-171
Excited┐stateOpticalStorageinazoDyeDopedPVAFilmbyFour┐wavemixingBAOXinxianZHENGShuzi1)LIChunfei(DepartmentofPhysics,HarbinIn... 相似文献
4.
5.
本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体, 相似文献
6.
FENG Guogang GAO Junsi SHAN Yusheng 《Chinese Journal of Lasers》1998,7(1):17-24
OneDimensionalKineticStudyonE┐Beam┐ExcitedKrFLaserIncludingtheVibrationalRelaxationFENGGuogangGAOJunsiSHANYusheng(P.O.Box275... 相似文献
7.
PropagationandBeamQualityofFlattenedHermite-GaussBeams¥HUARenzhong;QIANLiejia,FANDianyuan;DENCXiming(ShanghaiInstituteofOptic... 相似文献
8.
ExperimentalandTheoreticalResearchorDFWMTunableNarowOpticalBandpasFilterZHANGXuemingYEJiaxiong(DepartmentofOptoelectronicEngi... 相似文献
9.
雷电电磁脉冲防护基本原理和初步实践经验 总被引:9,自引:0,他引:9
雷电电磁脉冲防护基本原理和初步实践经验关象石(北京华云克雷雷电防护工程技术有限责任公司,北京100081)(收稿日期:1998-04-28)BASICPRINCIPLESANDPRACTICEEXPERIENCEOFPROTECTIONAGAINST... 相似文献
10.
11.
Y. K. Zhu 《核聚变与等离子体物理》1996,(3)
DEUTERIUMINFLUXPROFILEALONGTHEAPEXOFTHEUPPERX-POINTTILESINJET¥Y.K.Zhu(SouthwesternInstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041... 相似文献
12.
一种探测光纤BSBS温敏效应的新方法黄民双(长沙铁道学院长沙410075)刘邦群(武汉大学物理学系武汉430072)ANewDetectionMethodofOpticalFiberThermalySensitiveEfectusingBSBSAbs... 相似文献
13.
Crystal Growth and Nonlinear Optical Properties of 4-Br-4'-Methoxychalcone(BMC)¥CAOYang;ZHUZhidong;SHENXiaoping(DepartmentofC... 相似文献
14.
D2EHPA萃取稀土的有机相红外光谱及添加DMHPA的影响 总被引:6,自引:1,他引:5
本文研究了部分皂化的二(2-乙基己基)磷酸(D2EHPA)-正庚烷体系萃取稀土离子Y^3+,Pr^3+,Nd^3+,Eu^3+后有机的傅里叶变换红外光谱(FT-IR)。发现不同稀土离子与萃取剂的配位能力有差异,并且皂化度对萃取有机相中的P=O谱带的频率和吸收强度皆有影响,在D2EHPA中加入二(1-甲基庚基)磷酸(DMHPA)导致P=O谱带形状和吸收强度发生变化。 相似文献
15.
用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
16.
本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
17.
Fabrication of Refractive Microlens Array with no Dead Area 总被引:1,自引:1,他引:0
CHEN Bo GUO Lurong TANG JiyueZHEN Hongjun PANG Ling TIAN Weijian 《Chinese Journal of Lasers》1998,7(2):146-151
FabricationofRefractiveMicrolensAraywithnoDeadAreaCHENBoGUOLurongTANGJiyueZHENHongjunPANGLingTIANWeijian(InformationOpticsRe... 相似文献
18.
19.
利用北京正负电子对撞机(BEPC)上的北京谱仪(BES)收集的7.8×106个J/事例,测量得到J/-A,AAv和八八三个衰变道的分支比分别为Br(J/一A八):(l.08::0.06::0.24)x10-a,(VAAN<l.6xl0-‘(90%Cu,和&(U’)=(23l0.7ll0.8)l10-t:第一个衰变道的角分布为:(1、acos‘0),a=0.520.330.13。 相似文献
20.
本文成功地合成了一系列新型Pb-1222相层状铜氧化物(Pb0.5Cd0.5)(Sr0.9R0.1)2(R'0.7Ce0.3)2。Cu2Ox,R=R'=Y,Pr,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho以及(R,R’)=(La,Eu),(Sm,Gd),(Sm,Eu),(La,Gd),(Eu,Gd),(Nd,Eu),(Nd,Dy),(Nd,Y),(Nd,Er).X-射线衍射和电子衍射表明它们属于四方晶系,其结构与(Pb,CU)-1222相结构相似.其中(R',R')=(Eu,Gd)的样品在氧气中成相得到23K的超导转变临界温度. 相似文献