Ao,苯并环丁二烯和戊搭烯的拓扑共振能

为了阐述芳香性及磁性原因，用Ａｉｈａｒａ提出的ＴＲＥ概念计量了Ａｏ，苯并环丁二烯和戊搭烯等烃的共振能，环共振能和环电流。计算结果表明Ａｏ因有正共振能具有芳香性并产生反磁性环电流，而苯并环丁二烯和戊搭烯因有负共振能具有反芳香性并产生喘磁性环电流。     

二苯并七员杂环化合物的稳定性及共振能

本文用Aihara提出的拓扑共振能（TRE）方法和Gimarc提出的拓扑电荷稳定性（TCS）规则阐明了二苯并七员杂环化合物的稳定性及共振能．计算结果表明二苯并[b，f]和二苯并[b，d]七员杂环化合物因有正共振能而具有芳香性并且服从TCS规则．     

三苯并七员杂环化合物的稳定性及共振能

本文用Ａｉｈａｒａ提出的拓扑共振能（ＴＲＥ）方法和Ｇｉｍａｒｃ提出的拓扑电荷稳定性（ＴＣＳ）规则阐明了二苯并七员杂环化合物的稳定性及共振能。计算结果表明二苯并〔ｂ，ｆ〕和二苯并〔ｂ，ｄ〕七员杂环化合物因有正共振能而具有芳香性并且服从ＴＣＳ规则。     

吲哚类化合物的共振能和稳定性

为了阐明吲哚和异吲哚的芳香性及稳定性原因，按照拓扑共振能（TRE）概念计算了这两类化合物的共振能和环共振能，并且用拓扑电荷稳定（TCS）规则对它们的稳定性作出了解释．     

计算多环苯型芳烃共振能的新方法—苯环计数(BRC)法

本文提出一个计算多环苯型烃共振能的新方法:简称BRC法。应用BRC法计算了48个稠环芳烃的的共振能。REBRC与SRT、HS—HMO、A—Ⅱ、SCF—MO等法计算的共振能之间都有良好的线性关系,相关系数分别为0.9961,0.9955,0.9940,0.9874。良好的线性关系也存在于REPEERC与UV吸收中的P带能     

BRC共振能应用于定量探讨Diels—Alder反应

应用生成物和反应物之间的共振能差(△REBRC)可以判定多环苯型烃与马来酐起Diels—Alder反应的活性和确定反应中心。△REBRC和反应的二级速度常数的对数之间存在线性关系（r=0.9785。s=0.3897）,故可从定角度阐明线式稠合及角式稠合对反应活性的不同影响。     

BRC—PPC法计算芘系稠环烃的共振能

本文提出计算芘系芳烃共振能的苯环计数（BRC）公式,并结合母子加和（PPC）公式共计算了34个芘系烃的共振能。结果表明,芘系的BRC公式对省系的BRC公式有继承性。包括芘系在内的91个芳烃的REPEBRC,和REPEBRC-PPC与第一电离势能IP1之间仍保持较好的线性关系,r=0.9405（91）,S=0.1     

二氧化硅负载丙氧甲基苯并冠醚的合成与性能

烯丙氧甲基多缩乙二醇与１，２－双（羟乙氧基）苯双对甲苯磺酸酯在氢化钠存在下关环缩合，得到９－烯丙氧甲基－２，３－苯并１８－冠－６与１５－冠－５．二者分别依次以三乙氧基硅烷硅氢化，气相法二氧化硅固载，再与氯亚铂酸钾反应，得到二种新型二氧化硅固载苯并冠醚铂配合物，它们在用量为烯烃摩尔量１０－５时，烯烃与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应仍能顺利进行．     

侧向耦合量子点的量子线的自旋输运

提出了理想量子线通过量子点与铁磁导线侧向耦合系统，可实现电子自旋极化输运．并通过格林函数法计算表明：量子线上的电导产生自旋极化；电导极化率在反共振区有2个峰值，且与非共振区的极化方向相反；调整量子点和铁磁导线的耦合强度参数可使电导极化率达到极值．     

侧链烯丙酯化的生物可降解聚碳酸酯的酶促合成与功能化

报道了多孔硅球固定化猪胰脂肪酶（IE）催化合成侧链含活性烯丙氧碳基的聚（5-甲基-5-烯丙氧羰基-三亚甲基碳酸酯）（PMAC）的新方法．所得聚合物经核磁处振氢谱（^1H NMR），核磁共振碳谱（^13C NMR）以及凝胶渗透色培（GPC）表征．同时，研究了反心温度及反心时间对聚合反心的影响，结果表明：严格控制反应温度75℃、反应时间120min，可得到线型的PMAC分子，其数均分子量（Mn）和重均分子毓（Mw）分别达到34700和53800，分散度为1．55．进一步研究了所得聚合物的功能化，即侧链环氧化，12h可实现其完全的环氧化。     

改进型McMurray-Bedford逆变电路研究

本文对改进型McMurray-Bedford逆变电路作了改进,它不需要增加元件,就可起到回收换相电感能量的目的,这比文献中见到的同样目的的电路要简单;此外,本文从逆变电路的整个网络出发,并考虑到换相电感间耦合系数K<1的实际情况,分析逆变电路的换相过程,从而导出了一组换相参数。     

三值噪声及热噪声共同调制下RC串联电路的随机共振现象

研究了在三值噪声和高斯白噪声共同调制下RC串联电路所表现出来的现象.利用系综平均法和Shapiro-Loginov公式,推导得到了平均输出幅度增益的精确表达式.通过模拟及分析图示,表明平均输出幅度增益在输入信号频率ω、系统参量a取不同值时,其呈现为三值噪声参量d、q的非单调函数,即在适当的噪声参量和系统参量条件下,平均输出幅度增益呈现出1个最大值,而高斯白噪声对于平均输出幅度增益没有产生任何影响.     

三值噪声调制下电路中的随机共振现象

研究了在三值噪声和热噪声扰动下的RLC电路的平均输出幅度增益. 利用随机平均法和Shapiro-Loginov公式, 得到了平均输出幅度增益的精确表达式. 通过计算机模拟, 画出了平均输出幅度增益与平坦系数、有噪声和无噪声时, 输出信号振幅与输入信号频率之间的关系曲线. 从结果来看, 系统产生了双值噪声驱动的RLC电路中(文献[11])没有的随机共振现象, 甚至还出现了双共振峰.     

三值绝热门控串行数值比较器设计

通过对数值比较器、多值逻辑电路和绝热电路工作原理及结构的研究,提出一种新型的三值绝热门控高位先行串行数值比较器设计方案.该方案利用电路三要素理论,分别推导出构成三值绝热门控串行数值比较器的三值绝热文字电路和一位三值绝热数值比较器的元件级函数表达式及相应的电路结构.PSPCIE模拟结果表明,所设计的电路逻辑功能正确,具有绝热电路能量恢复的特点,将其与传统三值CMOS高位先行串行比较器相比,平均节省功耗约90%.     

三值移位寄存器与三值环形计数器

本文利用三值D型触发器和三值置态型触发器,提出了对三值移位寄存器和三值环形计数器的电路设计.讨论表明所设计的电路在结构和功能上与二值电路均有很好的对应关系,同时还揭示了三值环形计数器的各种结构与三值变量的极性变换有关.     

量子尺寸相关的金纳米环三阶非线性光学极化增强

基于金属颗粒与电磁场相互作用的Mie理论和非线性光学的基本原理，利用束缚元法等方法计算得到了不同环壁厚度下金纳米环的三阶极化率增强因子．当金纳米环壁厚度d逐渐减小时（d／a由1→0，其中a为环半径），其表面等离子共振吸收频率由684nm逐渐红移，且速率逐渐增大，而且其等离子共振频率处三阶极化率增强因子F^（3）（ωR）随着环壁厚度的减小先增大，而后逐渐减小（d／a≈0．2时，F^（3）（ωR）达到最大）．金纳米环的这种性质，为制备非线性光学器件提供了理论基础．     

电路模型的改进及若干相应结果

指出1段导线可以采用注上3个非负常数L,R，Q或分式（LP^2＋RP＋Q）／p的1段有2个端点的简单曲线来表示，且L恒≠0；可定义电路为有限条导线串并联而成的组件，使电路图可相应简化．提出用等价电路来简化电路的概念，从而得出用电路图来计算拉氏阻抗的较直观简洁的新方法，并证明了在任何电路中都存在拉氏阻抗，并且是个分子次数比分母次数高1的分式；也证明了拉氏电位降定理中的L{u（t）}=ZL{i（t）}可加强为L^s{u（t）}=ZL{i（t）}，其中L^s{u（t））则为u（t）的强拉氏变象．同时也证明了空载电路中电流可通过电路特征表达电路特征定理，即i（t）=g（t）·ue（t）=∫0^1g（t—τ）ue（t）dτ，而ue（t）为外接电动势两端之电位差，g（t）=L^-1{Z^-1}为拟连续、缓增的函数，也被称为电路的电路特征；又证明了电路特征测定定理ue（t）=δ0（t）时，i（t）即为g（t），并且电路特征定理和测量定理对一切电路均成立．     

基于CNFET的低功耗三值门电路设计

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指导,设计基于CNFET的三值反相器、与非门、或非门等单元门电路,最后利用HSPICE对所设计的电路进行仿真.结果表明:所设计电路具有正确的逻辑功能,与传统三值门电路相比,三值CNFET门电路平均传输速度提高52.7%,平均能耗节省54.9%.