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对于具有3m点群结构的PMNT和PZNT单晶,按照三方晶系标准定向的要求,z轴应取(111)方向,但一些文献中的d33来表示在(100)晶面上受到正应力作用时的压电模量,这种表示中z轴的取向不符合三方晶系的标准定向,影响PMNT和PZNT单晶压电性能的研究,文章详细讨论了具有3m点群结构的晶体,在其(100)晶面上受正应力作用时的压电模量和机电耦合因数的表示关系,通过对压电系数和机电耦合因数的分析 相似文献
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弛豫铁电单晶PMNT具有优异的压电性能,它可以替代传统的压电陶瓷,在声呐探测,超声成像,高应变驱动器等方面得到广泛的应用。我们已经成功地生长地了尺寸为φ40&;#215;80mm的PMNT单晶,其主要性能为,压电系数d33&;gt;3000pC/N,介电常数ε-5000,损耗tanδ&;lt;0.9%,纵向长度伸缩机电耦合k33-94%,厚度伸缩机电耦合kt-62%,我们成功地制备出了在电声成像系统中的PMNT单晶压电换能器,使探测器的电声信号幅度有显著提高,充分显示了新型压电单晶在电声换能技术中具有巨大的应用前景。 相似文献
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PbTiO3—F24压电复合材料的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用PbTiO3陶瓷微粉和氟树脂F24制备压电复合材料,研究了PbTiO3-F24复合材料配方和工艺,测试和分析了该材料的物理性能和压电性能。 相似文献
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采用浇注法制备出了并联式2-2型PZT-环氧树脂复合压电材料,对其相关性能进行研究,结果表明,浇铸发生固化反应的最佳配比工艺为环氧树脂与聚酰胺650体积比为4∶1,室温下固化3~5天。复合材料的介电损耗随着测试频率的增大而下降并趋于稳定;随着锆钛酸铅(PZT)含量的增加,压电常数(d33)、介电常数(ε)、介电损耗(tanδ)数值均逐渐增大。在1kHz的测试频率下,复合材料的d33=146.5pC/N,ε=2 100,tanδ=0.090。弯曲强度(σf)=162.2 MPa。当复合材料的PZT的体积分数为63.5%时,σf=162.2 MPa,挠度为6%~10%。 相似文献
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新型压电材料——La3Ga5SiO14单晶 总被引:7,自引:3,他引:4
介绍了一种性能优异的新型压电材料-La3Ga5SiO14单晶的结构及其性能,叙述了La3Ga5SiO14单晶的生长条件及其原料制备方法,同时对这种晶体在声体波及声表面波领域的良好的应用前景进行了讨论。 相似文献
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四硼酸锂单晶的弹性,压电及介电性能 总被引:5,自引:0,他引:5
由描述各向异性固体中弹性波的耦合波方程,推导出确定四硼酸锂(Li_2B_4O_7)弹性常数所必须的完整关系式。使用几种不同取向的晶体样品,用传输线路法和脉冲回波重合法测量了六种不同振动模式的谐振频率和声速,由这组数据计算出它的弹性、压电及介电常数。 相似文献
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单腔结构压电陶瓷—金属复合体研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研制出一种单腔结构压电陶瓷-金属复合体,该复合体不仅压电常数高,而且具有压电常数的位置依赖性小、制作更为简单、便于稳定地安装使用等优点。由实验研究得出了较佳尺寸的复合体,相应的有效压电应变常数为7890pC/N,为其中PZT压电陶瓷压电应变常数的24倍。 相似文献
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光子晶体光纤的奇异特性包括无休止单模特性、大模面积特性、可调的色散特性、高双折射特性和非线性特性。介绍了光子晶体光纤的制备技术,阐述了不同的结构和特性的光子晶体光纤的几种制备方法,指出其中较为完善和常用的制备方法如堆积法、挤压法、起泡法等。 相似文献
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压电陶瓷—金属复合体及其应用 总被引:2,自引:1,他引:2
叙述了压电陶瓷-金属复合体在压电复合材料中的地位、意义与基本结构;从正逆压电效应的角度,简明地论述了其基本原理;介绍了其在水声换能器、致动器、触觉传感器及加速度传感器方面的应用;指出了今后研究与开发的方向。 相似文献
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