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测量了Si(100)(2×1)-H表面和Si(100)(3×1)-H表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系,并与清洁的Si(100)(2×1)表面进行了比较。Si(100)(2×1)表面和Si(100)(3×1)-H表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小,Si(100)(2×1)-H表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的,约在470K时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。 相似文献
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本文报道了在超高真空环境下,首次利用光学二次谐波法研究乙醇与预吸附分子态氧的多晶银表面相互作用的过程,发现乙醇与分子态氧的相互作用是由两个过程组成:一个是乙醇在表面因分子态氧的存在而导致的吸附增强过程;另一个是乙醇与分子态氧的反应过程。从测量这一体系的二次谐波信号升温谱,还可以得到乙醇与分子态氧作用强弱的信息。 相似文献
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本文利用密度矩阵方法研究了表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响,并且导出了三次谐波振荡的表达式。然后,以GaAs柱形量子线为例作了数值计算。研究表明,当柱形量子线的横向半径d非常小时,电子和表面光学声子之间的耦合强度就非常大,表面光学声子对三次谐波振荡的影响就更强。 相似文献
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利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论. 相似文献
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为了提高二次谐波产生转换效率,本文提出将一维周期光学超晶格两端贴上未被极化的厚度可以改变的非线性介质层,通过调整附加介质层的厚度来调制基频波的场,从而观察二次谐波产生转换效率的变化情况.结果表明:基频渡场可以很大程度地调制二次谐波产生;随着能量的增加,二次谐波产生转换效率增加,随着能量的减小,二次谐波产生转换效率减小;... 相似文献
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二维WTe2由于特殊的晶格对称性而衍生出量子自旋霍尔效应、非线性霍尔效应等奇异性质.确定其晶体结构的细节,是理解这些性质的重要出发点.本文利用温度、偏振依赖的拉曼光谱与光学二次谐波产生,详细研究了一至三层WTe2的晶格对称性.实验发现,单层样品具有可观的二次谐波产生信号,表明其晶格中心对称性破缺,且偏振依赖符合Cs点群,与此前普遍认为的中心对称的1T’结构不同.双层样品具有更为显著的二次谐波产生信号,且信号强度的温度依赖与铁电相变一致,表明层间堆叠产生了更强的中心对称性破缺,提供了该体系中存在层间滑移铁电的证据.三层样品的二次谐波产生信号约为单层样品的五倍,但比双层样品弱一个数量级,表明层间堆叠导致其具有较弱的中心对称性破缺.仅单层与双层样品中出现了多个显著的二阶拉曼散射峰,其温度依赖反映出电子结构对层间耦合高度敏感.这些结果将有助于完善对原子级厚度WTe2物理性质的理解. 相似文献
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Formation of rippled surface morphology during Si/Si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition 下载免费PDF全文
The Si epitaxial films are grown on Si (100) substrates using pure Si2H6 as a gas source using ultrahigh vacuum chemical vapour deposition technology. The values of growth temperature Tg are 650 ℃, 700 ℃, 730 ℃, 750 ℃, and 800 ℃. Growth mode changes from island mode to step-flow mode with Tg increasing from 650 ℃ to 700 ℃. Rippled surface morphologies are observed at Tg = 700 ℃, 730 ℃, and 800 ℃, but disappear when Tg = 750 ℃. A model is presented to explain the formation and the disappearance of the ripples by considering the stability of the step-flow growth. 相似文献
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利用超构表面优异的波前调控能力将片上光子集成电路对光场的操控拓展至自由空间是当前一项重要课题.本文采用传输相位方法设计了一种基于波导模式激发的内嵌式超构表面,其相位分布同时满足导模的基频以及二倍频的聚焦.在此基础上,将内嵌式材料限定为相变材料,结合其在不同相态时的折射率差异,通过仿真手段实现了两种相态下分别针对于基波和二次谐波的聚焦.在基波(或二次谐波)实现高质量聚焦时,焦点处二次谐波(或基波)的成分得到了很大程度上的抑制,更有利于后续完全滤波.进一步地,通过在波导层底面嵌入与顶面完全相同的超构表面,并横向错开半个周期,最终将关于基波聚焦和二次谐波聚焦的器件效率提升为原先单阵列情形的2.2倍和3.7倍.本文的研究为导波驱动(或激发)超构表面的线性及非线性多功能复合调控提供了一种新的可能途径. 相似文献