饱和吸附H原子的Si（100）表面的光学二次谐波研究

测量了Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系，并与清洁的Ｓｉ（１００）（２×１）表面进行了比较。Ｓｉ（１００）（２×１）表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小，Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的，约在４７０Ｋ时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。     

氟化Si（100）表面的结构研究

用Ｈｅ原子衍射研究了氟化Ｓｉ（１００）表面的结构。由Ｈｅ衍射测定表明Ｓｉ的悬空键是氟吸附的位置。Ｆ２与Ｓｉ（１００）２×１反应并不扰乱Ｓｉ－Ｓｉ二聚键，在Ｆ２入射平动能低时反应实际上在氟的复盖度为一个单层上停止进行。提高了Ｆ２入射平动能可经活化而使Ｆ２与氟化的表面进一步反应，而且在高能Ｆ２暴露后观察到无序的表面结构。     

稀土金属Sm／Si（100）2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能…

利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构。实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集，反应扩散和金属Ｓｍ膜生长。与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到了加强。     

散射理论方法应用于重构的β-SiC(100)表面

用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的β-ＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．由二聚原子的成键和悬挂键的局域态密度定性地解释了二聚Ｓｉ原子的非对称性和二聚Ｃ原子的对称性     

稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构．实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集（Θ＜０.５ＭＬ）、反应扩散（０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）和金属Ｓｍ膜生长．与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ在Ｓｉ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到加强．结合理论模型，讨论了该界面的形成与界面结构     

Cd_xHg_（1－x）Te／SiO_2固溶体微晶掺杂玻璃三阶非线性光学性质的

本文首次报道了对采用溶胶凝胶和原位生长工艺制备的Ｃｄ_ｘＨｇ_(１－ｘ)Ｔｅ／ＳｉＯ_２固溶体微品掺杂玻璃进行的三阶非线性光学性质实验研究及其结果。利用回返式简并四波混频技术，测得该固溶体掺杂玻璃的三阶非线性极化率的值为１０￣（－１２）ｅｓｕ量级。此结果比纯ＳｉＯ_２基体提高了２个数量级。表明该固溶体掺杂玻璃三阶非线性明显增强，在同样条件下，测得ＣＳ_２的三阶非线性极化率ｘ（３）为（１．７±０．２）×１０￣(－１２)ｅｓｕ，与国际上报道完全一致。     

Rh（100）表面Mn的生长与结构：AES,UPS和LEED研究

在超高真空（ＵＨＶ）条件下，向Ｒｈ（１００）表面积蒸积Ｍｎ，利用ＡＥＳ，ＵＰＳ和ＬＥＥＤ等表面分析技术，研究了该Ｒｈ（１００）表面的两种生长模式，制备了一种未见报道的表面合金Ｒｈ（１００）ｃ（２×２）－Ｍｎ。     

低能粒子轰击对Si(001)-2×1表面原子行为的影响:分子动力学模拟研究

对１─１００ｅｖ的低能位子轰击Ｓｉ（００１）－２×１表面进行了分子动力学模拟研究，利用二维偶对相关函数分析了低能轰击对表面层原子行为的影响。研究表明，１０ｅＶ，１００ｅＶ粒子的轰击，一方面增强了表面原子形成二聚体的能力，使表面二聚体成键数量增加；另一方面，也使表面原子的排列更趋无序。１ｅＶ的粒子对表面原子行为的影响不大，只是使表面原子的振动加剧。     

清洁及氧修饰Cu（100）表面上水煤气变换反应的能量学

分别以清洁及氧修饰Ｃｕ（１００）表面作为金属态铜和部分氧化态铜的表面模拟，用键级守恒Ｍｏｒｓｅ势法研究了两种表面上水煤气变换（ＷＧＳ）反应的能量学。计算结果表明：清洁Ｃｕ（１００）表面上，ＷＧＳ反应有可能同时按表面氧化还原和甲酸根两种机理进行；表面氧化还原机理中，ＣＯｓ主要由ＯＨｓ（而不是Ｏｓ）氧化为ＣＯ２ｓ。与清洁铜表面相比，Ｃｕ（１００）ｐ（２×２）Ｏ表面上ＷＧＳ反应中活化能最大的基元步骤Ｈ２     

二溴邻羧基苯基重氮氨基偶氮苯光度法测定微量Cu（Ⅱ）的研究

本文报道了新显色剂二溴邻羧基苯基重氮氨基偶氮苯（ＤＢ－Ｏ－ＣＤＡＡ）与铜（Ⅱ）的显色反应及分析应用，研究结果表明，在ＴｒｔｉｏｎＸ－１００的存在下，于ｐＨ１０．０的Ｎａ２Ｂ４Ｏ７－ＮａＯＨ缓冲介质中，Ｃｕ（Ⅱ）与试剂形成１：２的红色配合物，配合物λｍａｘ＝５３０ｎｍ，表观摩尔吸光系数为１．０８×１０＾５Ｌ／ｍｏｌ．ｃｍ，铜量在０－０．３２μｇ／ｍＬ，范围内遵循比尔定律，方法用于合金及合成水样中微量     

新显色剂4,4′-二(2,6-二溴-4-硝基苯基重氮氨基)联苯与汞显色反应的研究

本文研究了新显色剂４，４′－二（２，６－二溴－４－硝基苯基重氮氨基）联苯与Ｈｇ（Ⅱ）的显色反应，在表面活性剂ＴｒｉｔｏｎＸ－１００的存在下，于ｐＨ８．８的Ｎａ２Ｂ４Ｏ７－ＨＣｌ缓冲溶液中，试剂与Ｈｇ（Ⅱ）形成２∶２橙红色配合物，其最大吸收峰位于４９０ｎｍ，表观摩尔吸光系数为７．６２×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１。Ｈｇ（Ⅱ）量在０－１２μｇ／２５ｍＬ范围内符合比耳定律。方法用于废水中微量Ｈｇ（Ⅱ）的测定，结果满意。     

用氢钝化Si（100）面抑制分子束外延界面的硼尖峰

采用一种新的简便的氢钝化方法，可以在Ｓｉ（１００）衬底表面获得稳定的钝化层，用俄歇电子能谱，反射式高能电子衍射，Ｃ－Ｖ和二次离子质谱等方法对衬底表面及其上面生长的分子束处延层进行检测，发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污，降低退火温度至少２００℃，并完全消除处延层与Ｓｉ（１００）衬底界面处的高浓度硼尖峰，在此基础上，结合衬底表面锗束处理的实验结果，对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化     

氰基团修饰的苯腙类有机分子掺杂极化聚合膜光学非线性的研究

采用实时测量光学二次谐波产生（ＳＨＧ）和吸收光谱的方法对苯腙类有机分子ＮＤＡ及一种新合成的经氰基团修饰的有机分子ＣＮＤＡ掺杂ＰＭＭＡ极化聚合膜的非线性光学性质进行了研究。实验中发现两种掺杂极化聚合膜的最佳电晕极化温度均低于它们的玻转温度,ＣＮＤＡ／ＰＭ－ＭＡ极化掺杂聚合膜的χ（２）较ＮＤＡ／ＰＭＭＡ极化聚合膜的大。结合极化前和极化后吸收峰强度的变化,得到ＣＮＤＡ分子的非线性极化率β约为１４６×１０－３０ｅｓｕ。在撤离极化场后,ＣＮＤＡ／ＰＭＭＡ的二次谐波强度的弛豫也比ＮＤＡ／ＰＭＭＡ的慢     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

溶胶-凝胶工艺制备香豆素掺杂SiO_2凝胶及其荧光特性研究

本文用溶胶－凝胶工艺制备了有机染料香豆素（ｃｏｕｍａｒｉｎ）掺杂ＳｉＯ２凝胶。观察分析了水解过程中的分相与凝胶干燥过程的开裂现象。通过改变反应条件以及引入添加剂，避免了分相与开裂现象，制备出尺寸约为２０×２０×１０ｍｍ完整透明的香豆素掺杂ＳｉＯ２凝胶。用差热分析和红外光谱研究了凝胶的结构和热性能。测定了凝胶的荧光激发光谱和发射光谱     

散射理论方法应用于重构的β—SiC（100）表面

用Ｐｏｌｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算理想的和重构的β－ＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度。结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与相符。     

Pb、La掺杂Bi2201相高质量单晶的生长和表征

自助熔法从富Ｂｉ２Ｏ３ 的Ｂｉ１ ．８ ＋ ｘＰｂ０ ．２Ｓｒ１ ．６５Ｌａ０ ．３５ＣｕＯｙ（ｘ＝ ０ ．１ ,０ ．２,０ ．３ ,０．４ ,０ ．５） 熔体中生长出了高质量的Ｐｂ、Ｌａ 掺杂的Ｂｉ２２０１ 相大单晶,最大尺寸达８ ×４ ×０ ．０５ｍｍ３ ．在生长单晶时不同程度过量的Ｂｉ２Ｏ３ 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定．通过单晶的（００ｌ） ＸＲａｙ 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为４ ×１ ．６ ×０ ．０３ｍｍ３ 的高质量单晶做了结构表征．由试验发现从富Ｂｉ２Ｏ３ 的熔体中生长高质量Ｂｉ２２０１ 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

YAG晶体中Cr~（3＋）→Tm~（3＋），Er~（3＋）→Tm~（3＋）的能量

研究了加入敏化离子Ｃｒ３＋和Ｅｒ３＋的Ｔｍ：ＹＡＧ晶体的吸收谱和荧光谱，计算了Ｃｒ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋离子的２Ｅ、４Ｉ１３／２、３Ｆ４能态的平均寿命及能量；转移效率、转移速率．得出Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋转移效率为８０％，转移速率为２．１×１０３ｓ－１．由（Ｅｒ，Ｔｍ）：ＹＡＧ的荧光谱可见存在Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋的有效的能量转移．讨论了Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋和Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋能量转移的不同．     

稀氢氟酸中硅表面氢终端的原位拉曼光谱研究

本文用共焦显微拉曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面氢终端原子在稀氢氟酸中的变化过程。研究表明：在硅片浸入氢氟酸溶液的初期,表面主要被硅和三个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ３）以及硅和两个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ２）所覆盖。随着腐蚀过程的延长,Ｓｉ Ｈ３越来越少,Ｓｉ Ｈ２的信号不断增强,并且,硅和单个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ）的信号也开始出现。最终,硅表面主要被Ｓｉ Ｈ２所覆盖,有少量Ｓｉ Ｈ３和Ｓｉ Ｈ键。本文还表明,拉曼光谱用来原位观察半导体材料表面终端原子键在溶液中的变化是很有用的工具