1keV以下的电子荧光及四极彩色荧光显示器结构探讨

本文分析了开发彩色荧光显示器(VFD)所存在的问题;论述了带螺旋端点阴极、前发光型四极平板VFD的结构;探讨了在新型VFD中使用Y_2O_2S:Eu、ZnS:Cu,Al和ZnS:Ag为三基色发光材料、在阳极电庄≤1keV时实现彩色显示的原理,并给出了一个有十二种发光颜色的频谱显示器件的实例.     

超薄发光层结构的荧光型白光有机发光器件

使用蓝、绿、红超薄发光层结构来制备荧光型非掺杂白光器件,其器件结构为ITO/MoO3(5 nm)/TCTA(40 nm)/C545T(1 nm)/TCTA(2 nm)/BePP2(1 nm)/Bphen(2 nm)/DCJTB(1 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(1nm)/Al(1 000 nm).白光器件的最大发光亮度和电流效率分别为16 154.73 cd/m2和11.58 cd/A.在电压为7V时,器件的色坐标为(0.322 2,0.335 1),而且色坐标在大的电压变化范围内的变化值仅为(0.017 4,0.002 9).与掺杂结构的白光器件相比,超薄发光层结构的白光器件拥有高的电流效率和稳定的电致发光光谱,原因是超薄发光层结构的载流子捕获效应能使激子有效限制在复合区域内.     

固体材料中稀土离子荧光寿命的研究

本文用激光激发和荧光探测技术测定了Eu2+、Eu3+、Ce3+、Dy3+、Nd3+和Tb3+离子在一些发光材料和激光晶体等固体中的荧光寿命,其寿命值从几十纳秒到几毫秒.为此对寿命测量技术进行了探讨以适应如此宽广的时间范围.从测得的寿命数据解释了材料内激活离子的性质和相互作用.     

稀土激活的荧光热增强材料研究进展

自从尺寸依赖的上转换荧光热增强现象在稀土激活的纳米荧光材料中被发现以来,开发具有显著荧光热增强效应的稀土荧光材料俨然成为了一个研究热点。近期的探索发现荧光热增强效应在非纳米尺度稀土荧光材料体系以及非上转换发光过程中均可实现,这进一步拓展了这一有趣光学现象的应用场景。本文总结和归纳了稀土激活荧光热增强材料的最新研究进展,概述了所提出的几类机理以及稀土荧光热增强材料的潜在应用场景,并展望了该类材料的研究发展方向。     

荧光材料的色度测定

介绍荧光材料发光的辐射特性及总光谱辐亮度因数的组成，对单单色仪法及双单色仪测量荧光样品进行比较分析。讨论了测量系统的几何形状、标准照明体及参考标准对光谱测量精度的影响。     

稀土与对硝基苯乙酸配合物的合成、表征及荧光性质

本文合成了三种稀土与对硝基苯乙酸 (HL)的二元固体配合物 ,通过元素分析等手段确定了其配合物的组成为ReL3·H2 O(Re=Eu ,Sm ,Tb)。用红外光谱、紫外光谱、荧光光谱对该类配合物的结构与性质进行了表征。红外谱表明配体以—COO- 形式与中心离子配位 ,同时这一点也被自由配体和配合物的UV谱所证实。EuL3·H2 O的强红色荧光分属于Eu3+ 的 5D0 → 7F1 和5D0 → 7F2 跃迁。     

钴原子团簇电子结构的理论研究

应用多重散射自治场理论对钴原子团簇(N=3—13)的电子结构进行了理论研究.通过电离阈值在不同构型、不同组态的理论值与实验值的对比,初步探讨了合适的电子组态及团簇构型.根据电子组态的局域3d价电子布局,发现钴团簇的平均原子磁矩,总体来说随原子数增加而下降.根据团簇构型,推测了钴原子团簇的稳定性及多种生长方式. 关键词：     

高温超导体MgB_2的电子结构研究

用第一性原理能带理论计算了高温超导体MgB-2的电子结构.计算得出的电子能带说明MgB-2是一种宽能带化合物,价带主要由Mg和B原子s和p的杂化形成.费米能级处的态密度N(EF)是0.72(states/eV).根据这些结果,初步推断出MgB-2的超导电性的微观机制不可能是电子-声子耦合的BCS模型,而是有待于探索的新机制.     

AB INITIO STUDY ON THE ELECTRONIC STRUCTURE AND MAGNETISM OF MnAs, MnSb, AND MnBi

We report the results of first-principles calculations on the electronic structure in ferromagnetic and non-magnetic hexagonal MnV (V=As, Sb, Bi). The calculations are based on the local-spin-density approximation (LSDA) of the density-functional theory (DFT) as well as the atomic sphere approximation (ASA) in the linear muffin-tin orbitals (LMTO) method. For the non-spin-polarized case, the calculated bands in these compounds exhibit p-d mixing in the vicnity of Fermi energy and the Mn 3d bands dominate the antibonding parts of p-d hybride. The spin-polarization in ferromagnetic states are mainly due to the splitting of anti-bonding bands from p-d mixing. The calculated spin moments in these compounds agree fairly well with experimental values and refine previous band calculations. In the spin-polarized band structure, the Mn 3d electrons are found to exhibit week dispersions.     

卟啉和金属卟啉的荧光研究

本文研究了四-(邻氯苯基)卟吩,几种天然卟啉以及它们的金属络合物的室温荧光光谱,荧光量子产额和计算了辐射寿命。初次得到了Mg(OClTPP)和Cd(OClTPP)的量子产额,Cd(OClTPP)的荧光产额比Cd(TPP)的数值大很多。出现了类似文献已报导过的Zn(OClTPP)的反常现象,此现象解释为邻氯取代基削弱了锌的重原子效应.     

C60分子电子激发态结构的理论研究

C₆₀分子有较丰富的分子键轨道,同时C₆₀分子离子是稳定存在的,因此预期C₆₀分子的里德伯轨道也是稳定存在的。本文在独立电子近似的基础上,应用多重散射自洽场方法,从理论上统一自洽地探讨了C₆₀分子的分子键轨道和分子里德伯轨道的能级结构。这些轨道能级结构在独立电子近似的层次上模拟了C₆₀分子的电子结构。所得结果和已有的理论和实验结果进行了比较和分析,说明本文结果是自洽合理的,并和已有的实验值符合良好 关键词：     

金红石TiO2晶体中F型色心电子结构及其吸收光谱研究

运用Ｆ型色心的类氢离子波函数结合电荷自洽离散变分法,对ＴｉＯ２晶体中Ｆ型色心的电子结构进行了计算,并利用能量最小原理优化了色心格点周围的Ｔｉ,Ｏ离子结构,得到了ＴｉＯ２晶体中Ｆ,Ｆ＋和Ｆ＾２＋心的能带、态「密度,并讨论了色心的光学跃迁模式,计算结构表明,Ｆ,Ｆ＾＋心在ＴｉＯ２晶体的禁带中引入的旋主能级,Ｆ＾２＋心在禁带中引入了浅受主能级,Ｆ和Ｆ＋心的光学跃有分别是０．８５ｅＣ,１．６７ｅＣ,经还原     

第一过渡金属酞菁分子的电子结构的第一性原理计算

对第一过渡金属酞菁化合物(Metal Phthalocyanine,MPc,M=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni和Cu)的电子结构和基本物理化学性质进行了第一性原理计算.理论模拟出来的STM图像表现出亚分子结构,与已有的实验观察结果相当吻合,且跟金属原子的d电子组态明显有关.在小偏压条件下,第一过渡金属首尾端ScPc,NiPc和CuPc分子的中央金属离子在STM图像表现为空洞,其他所有金属酞菁分子的中央金属离子均为亮斑.同时还研究了ScPc和NiPc分子的STM图像与偏压的关系,当针尖偏压分别 关键词： STM图像模拟 金属酞菁 电子结构     

电子与类锂离子碰撞激发

本文提出一种计算电子与离子碰撞激发截面的理论方法。同时,此方法也可作为一种检验和掌握电子碰撞激发数据的手段。在电子的低能区域,利用多通道量子数亏损理论,我们可从精确测得的能谱数据中推算出电子碰撞激发截面。在电子的高能区域,我们利用Bethe理论计算了电子碰撞激发截面。对中间能域,如果将截面的局部共振结构平均,则可以用内插法得到平均激发截面。比较可靠的电子与离子激发数据,对受控聚变的研究是有帮助的。本文以电子与类锂离子碰撞激发为实例说明所提出的理论方法。 关键词：     

抗菌素甲磺酸培氟沙星荧光分析法的研究

甲磺酸培氟沙星是一种新型的抗菌素。本对其荧光分析进行了研究。该物质在ｐＨ＝３的三酸缓冲溶液中有很强的荧光发射光谱。线性范围较宽，检出限较低，在浓度为１×１０＾－９￣１×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ间均成直线。同时，本对甲磺酸培氟沙星在人血清和尿液中进行了回收测定，回收率在９５￣１０５％之间，相对标准偏差小于６％，     

C72 富勒烯的电子结构与电子传导研究

本文利用基于密度高泛函理论(DFT)和非平衡格林函数的第一性原理方法对富勒烯C72分子及连接电极构成的C72分子器件进行了电子结构及电子输运性质的研究.计算出了电子透射谱和分子轨道分布,分析了器件的电子结构和输运性质的产生原因. 结果显示C72分子器件的电子传输主要集中在分子壳上. 伏安曲线显示C72分子具有半导体特征.