退火处理对SnO2薄膜光致发光性质的影响

实验研究表明,SnO2薄膜经过退火处理后其光致发光谱有明显的变化。在氧和氮两种不同气氛中进行热处理,其变化也有差异。这种变化主要是由于SnO2膜中氧空位和自由载流于浓度变化所致。     

Ca2SnO4∶Tb3+绿色荧光粉的制备及光致发光研究

采用高温固相法合成了Ca2 SnO4∶Tb3+绿色荧光粉.利用X射线衍射分析了Ca2 SnO4∶Tb3+物相的形成.测量了Ca2 SnO4∶Tb3+的激发和发射光谱,激发光谱由一个宽激发峰组成,研究了Tb3+浓度对样品激发光谱的影响,结果显示,随Tb3+浓度增大,宽带激发峰发生了红移.发射光谱由四个主要发射峰组成,峰值分别位于491,543,588和623 nm处,Tb3+以5 D4-7 F5(543 nm)跃迁发射最强,低掺杂浓度下,Tb3+的7 F6能级出现斯托克劈裂,劈裂峰(481 nm处)随Tb3+浓度增加,先增强然后减弱;在发光强度方面,随Tb3+浓度的增大呈现先增大后减小的趋势,当Tb3+摩尔浓度为9％时,发光强度最大,根据Dexter理论,确定了在Ca2 SnO4基质中Tb3+自身浓度猝灭机理.荧光寿命测试表明Tb3+在Ca2 SnO4基质中荧光衰减平均寿命为4.4 ms.     

Ca2SnO4∶Tb3+绿色荧光粉的制备及光致发光研究

采用高温固相法合成了Ca2 SnO4∶Tb3+绿色荧光粉.利用X射线衍射分析了Ca2 SnO4∶Tb3+物相的形成.测量了Ca2 SnO4∶Tb3+的激发和发射光谱,激发光谱由一个宽激发峰组成,研究了Tb3+浓度对样品激发光谱的影响,结果显示,随Tb3+浓度增大,宽带激发峰发生了红移.发射光谱由四个主要发射峰组成,峰值...     

Ca_2SnO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉的制备及光致发光研究

采用高温固相法合成了Ca2SnO4∶Tb3+绿色荧光粉。利用X射线衍射分析了Ca2SnO4∶Tb3+物相的形成。测量了Ca2SnO4∶Tb3+的激发和发射光谱,激发光谱由一个宽激发峰组成,研究了Tb3+浓度对样品激发光谱的影响,结果显示,随Tb3+浓度增大,宽带激发峰发生了红移。发射光谱由四个主要发射峰组成,峰值分别位于491,543,588和623nm处,Tb3+以5 D4—7 F5(543nm)跃迁发射最强,低掺杂浓度下,Tb3+的7 F6能级出现斯托克劈裂,劈裂峰(481nm处)随Tb3+浓度增加,先增强然后减弱;在发光强度方面,随Tb3+浓度的增大呈现先增大后减小的趋势,当Tb3+摩尔浓度为9%时,发光强度最大,根据Dexter理论,确定了在Ca2SnO4基质中Tb3+自身浓度猝灭机理。荧光寿命测试表明Tb3+在Ca2SnO4基质中荧光衰减平均寿命为4.4ms。     

锡薄膜等温氧化研究

采用电子束蒸发制备金属锡薄膜,将其在250—400℃温度范围内进行等温氧化,研究锡薄膜的热氧化动力学机制.采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和X射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结构等演变.实验结果表明,在250—400℃温度范围内,锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长;转变活化能为0.34eV;锡膜氧化受到氧扩散机制的控制.研究得到氧化层的生长首先从形成SnO相开始,随着氧化的深入,SnO相分解形成Sn₃O₄相,最后转变为SnO_{2< 关键词：}     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

Cd对CaLaBaCu3Oy体系超导电性的淬灭作用

研究了Cd替代Ca对CaLaBaCu_5O_7体系超导电性的影响.电阻率测量结果表明,T_c随Cd含量x的增加单调下降,同时正常态电阻率随x增加而上升.在x=0-1范围内,体系经历超导-类半导体-绝缘体转变.Hall测量结果表明,CuO_2面内迁移空穴浓度p_(ab)随Cd含量增加而单调下降,这与Tc的变化相对应.样品的热重测量结果表明,氧含量对Ca_(1-2)Cd_5LaBaCu_5O_7,体系的正常态和超导态性质产生很大影响.Cd替代Ca导致Cu-O链上的氧空缺.随着Cd含量的增加,氧含量单调下降.C 关键词：     

p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明，掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明，掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明，空穴浓度与热处理温度有很大的关系，525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内，空穴的浓度与In的含量有直接的关系，并随In含量的增加而增加. 关键词： SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电     

负载型聚酰亚胺/SnO2杂化膜的结构和性能

通过溶胶凝胶法， 以硅藻土-莫来石陶瓷膜管为支撑体，TiO2为过渡层， 利用具有大量支链的聚酰亚胺和SnO2溶胶制备了系列不同SnO2含量的负载型聚酰亚胺/SnO2杂化膜．采用TEM、FTIR、XPS、TG/DTA、DSC、BET和气体渗透测定对系列膜的微观型态、化学结构、热稳定性、孔结构和气体渗透性能进行了表征和测试． 结果表明，SnO2相与聚酰亚胺支链羧酸基发生化学键连； 杂化膜具有较好的有机无机兼容性， 当SnO2达到15%时，SnO2相在杂化膜中以颗粒状存在， 其粒径约为5 nm；SnO2相与聚酰亚胺间的化学键连有效的提高了杂化膜的玻璃化温度； 随着SnO2含量的增加， 杂化膜的热分解温度逐渐下降； 系列膜具有均匀的孔道结构， 其孔径分别为3.8、3.1、2.8和2.4 nm． 相对于聚酰亚胺膜， 杂化膜对H2、CO2、CO和H2O具有较高的分离性，SnO2为15%的杂化膜对H2/N2、CO2/N2、CO/N2和H2O/N2的分离因子分别达到54.1、30.2、35.9和40.1．     

Effects of annealing on structural,optical and electrical properties of Al-doped ZnO thin films

Transparent conducting oxide (TCO) thin films such as SnO2, In2O3, and Cd2SnO4, have been used extensively as sensor devices, surface acoustic wave devices, coating to heat glass windows and transparent electrodes for solid state display devices, solar cells[1,2] because of their high optical transparency in the visible range, infrared reflec-tance and low d.c. resistivity. Although SnO2 film was developed early, nowadays Sn-doped In2O3 (ITO) films are the predominant TCO thin film in …     

基片温度和退火对CdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd In合金靶制备的透明导电CdIn2 O4薄膜 ,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱 ,光学常数和载流子浓度的影响。结果表明 :提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度 ,退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高 ,薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移 ,而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2 O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中 ,这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。     

p-type ZnO thin films grown by RF plasma beam assisted Pulsed Laser Deposition

The high exciton binding energy and band gap energy of ZnO thin films open the prospect of fabricating semiconductor lasers in the ultraviolet spectral range. A prerequisite for laser diode fabrication is highly p-doped ZnO which was not reproducibly obtained up to now. Without intentional doping ZnO exhibits n-type conduction. ZnO thin films have been obtained by radio-frequency assisted pulsed laser deposition. A metallic Zn target was used for ablation in an oxygen and nitrogen RF discharge. The electrical and morphological properties of the films grown on Si were studied by Atomic Force Microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Transmission Electron Microscopy (TEM), optical absorption and Hall Effect measurements for different ratios between the nitrogen and oxygen content. The AFM images of the as-grown ZnO films reveal high quality surfaces with low values for the surface roughness and a sharp distribution of grains sizes as an effect of the RF discharge. The XRD patterns for all samples exhibit only (002) and (004) peaks indicating that the c-axis is always oriented normal to the substrate surface. The films present p-type conductivity with different carrier concentration and mobility depending on the nitrogen/oxygen ratio.     

不同退火温度下氧化锌薄膜可见发光与n型导电研究

采用脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备出可见光发光良好的氧化锌薄膜, 在不同的温度下进行了后退火处理. 随着退火温度的升高, 薄膜的可见光发光发生了显著改变, 载流子浓度、迁移率、电阻率也呈现出一定的变化规律. 结合 X射线衍射、扫描电子显微镜、光致发光谱及霍尔测量, 探讨了本征氧化锌薄膜可见光发光的发射机理, 并分析了其 n型导电的原因. 关键词： 氧化锌薄膜 可见光发光 n型导电     

反应前驱物中n(S)∶n(Cd)对CdS薄膜结构及发光特性的影响

采用化学水浴以CdCl2·H2O、CS( NH2)2、NH4Cl、NH3·H2O和去离子水作为反应前驱物制备CdS纳米晶薄膜.采用扫描电镜( SEM)、X射线衍射(XRD)、透射光谱和稳态荧光光谱,研究了反应前驱物中不同的n(S)∶n(Cd)对所制备的CdS薄膜的形貌、结构和光学性能的影响.结果表明:反应前驱物中n(S...     

透明导电Cd2SnO4薄膜的光学特性研究

报道了射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜在0.2～6.0μm波长范围内的透射和反射谱及其光致发光谱的测量结果,并由此对CTO膜光学性质进行了较详细的理论分析和讨论.     

SO2薄膜气敏传感器光学特性的分析

采用光度法以及椭圆偏振法测量技术对掺有贵金属或过渡金属元素的SnO2薄膜以及在不同Po2/PAr比条件下制备的VOx系列的薄膜进行了系统的光学气敏特性测试。比较了各种薄膜对SO2气体的光学气敏特性,发现在一定条件下制备的SnO2/Pd、VOx薄膜对SO2气体在可见光区有很好的灵敏性,SnO2/Zr薄膜对SO2气体在近红外区有很好的的灵敏性。定性地用光学能隙的变化和自由载流子浓度的变化说明了薄膜在吸附气体后的光学性质的变化。     

通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性

使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到10¹⁶ cm^-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。     

A first-principles study of the effect of oxygen vacancy on rutile Ti1−xCdxO2

A first-principles study has been performed to understand the effect of oxygen vacancy on the electronic properties of cadmium doped rutile TiO₂. We observe that Cd incorporation on rutile TiO₂ induces Cd p-states on the top of the valence band which is consistent with an earlier result of Zhang et al. (2008) [5]. Furthermore, by creating an oxygen vacancy, some new states are induced, which originate from the Ti 3d electrons at the middle of the band gap and spread up to the conduction band. Therefore, the band gap of the material reduces significantly, making it suitable to act as a better photocatalyst.     

Co，Cu共掺杂ZnO薄膜的结构及发光特性

采用电子束蒸发沉积成膜工艺在单晶Si(111)衬底上制备出Co,Cu共掺杂的Zn0.85-xCo0.15CuxO(x=0,0.04,0.06)多晶膜。采用X射线衍射(XRD)研究了Co、Cu掺杂对其微结构的影响;室温下测量了Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜的光致发光谱,发现随着Cu掺杂量的增加,样品发光增强,当Cu掺杂x=0.06时,Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜的PL谱中出现了较强的双峰蓝光发射;分析了掺杂含量对其发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,并推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁。