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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿CdTe及不同量Hg掺杂HgxCd1-xTe的电子结构,给出了相应的的能带结构、态密度、差分电荷分布及光吸收谱。计算结果表明,随着Hg掺杂含量的增加,体系禁带宽度逐渐变窄,并给出了禁带宽度变窄的微观机理。 相似文献
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采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究. 通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制. 随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象. 此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致Cd
关键词:
密度泛函理论
电子结构
Cd掺杂ZnO 相似文献
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采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究. 通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制. 随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象. 此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致Cd 相似文献
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采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致Be
关键词:
密度泛函理论
电子结构
Be掺杂ZnO 相似文献
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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO,N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子对In-N共掺杂ZnO的影响.计算结果表明:N掺杂ZnO在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近.而加入激活施主In的In-N共掺杂ZnO,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能级带变宽、非局域化特征明显、提高了掺杂浓度和系统的稳定性.文章的结论与实验结果相符,从而为实
关键词:
密度泛函理论(DFT)
第一性原理
N掺杂ZnO
In-N共掺杂ZnO 相似文献
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By employing a density functional theory plane-wave pseudopotential method, we investigated band gap reduction and magnetism as well as electronic structures of (Cu, S)-codoped ZnO. Our calculations indicated that Cu and/or S-doped ZnO can reduce the band gap of ZnO. The (Cu, S)-codoped ZnO has a large band gap reduction of 0.37 eV, two times larger than that in Cu-doped ZnO. S atom has no contribution for the total magnetic moment of (Cu, S)-codoped ZnO, whereas it plays a central role in spin-polarizing of both Cu and S dopants due to strong coupling between Cu 3d and S 3p states. This would offer a new strategy for designing narrow band gap devices with magnetism. 相似文献