红外成象器件用InSb MIS结构

研制了在 77°K测量时具有好的界面性能的InSb金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。从暗电流的测量确定,对用于CCD或CID方式工作时,其存储时间在0.2秒范围。最近器件C-t测量表明,暗电流存储时间为≤0.7秒。用红外辐照表明,单元InSb MIS结构是电荷注入作用(CID)的存储形式。然而,存储器件工作在红外应用,因为它积分背景和信号两者的辐射,所以背景光子流是个主要问题。按照恰当的界面性质的解释,提出了器件电荷存储作用中减少背景光子流影响的一个新方法。这个新技术结合电耦合原理采用多门电极结构。     

混合式红外成象器

这个红外成象器件是由一个InSb光电探测阵列和一个Si场效应晶体管(FET)开关阵列所组成。在Si薄片的上部,InSb形成一层薄片,每个InSb探测元和一个相应于Si开关元件下面的铟柱相连。如同128×128元阵列的FET开关一样,依次读出128×128元阵列光电探测     

先进的红外成象寻的器

洛克威尔公司按美国陆军合同发展了一种先进的红外成像寻的器,它和用直升机发射后飞机即可飞离的导弹系统(Hellfire)兼容。本文对这一工程的技术和现状作一评述。这一红外成像寻的器是在1979年末和1980年初作试验的。它采用了本公司发展的1024元InAsSb/硅混合焦平面阵列,该阵列在77K工作,红外灵敏波长范围3.4～4.0微米。采用的多模跟踪     

InSb混合红外焦平面工艺研究

InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。     

InSb红外焦平面探测器现状与进展

红外焦平面探测器技术是一种通过摄取景物热辐射分布图像,并将其转换为人眼可见图像的技术。近年来红外探测器技术发展迅速,在军事、工业、农业、医学等各领域显示出越来越重要的应用。本文对锑化铟红外焦平面探测器的应用及发展情况进行了分析,并对其发展前景进行了展望。     

InSb红外探测器芯片粘接工艺研究

基于InSb红外探测器的封装特点,采用正交试验法研究了芯片粘接过程中基板平整度、粘接剂抽真空时间、配胶时间、固化条件等工艺参数对芯片性能及可靠性的影响。通过计算极差和方差分析了各因素对芯片可靠性的影响大小。结果表明,固化条件对粘接后芯片的性能影响最大,其次是配胶时间,而抽真空时间和基板平整度影响相对较小。针对极差分析得出的较优参数组合和较差参数组合,利用X射线衍射(XRD)研究了不同参数组合对晶片粘接的应力大小,所得结果与正交试验一致。     

InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究

传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术。     

InSb红外探测器钝化前清洗工艺研究

对InSb红外探测器钝化前清洗工艺进行了研究。在传统清洗方法的基础上增加专用清洗液进行清洗,以优化钝化前InSb材料的表面质量。飞行时间二次离子质谱仪(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS)质谱检测表明,增加专用清洗液清洗工艺后,InSb材料表面的Si杂质浓度降低了约85%,主要有机物杂质浓度降幅约为30%~60%,表面整体杂质含量显著降低。经流片验证,增加专用清洗液进行钝化前表面清洗,I-V性能更优,InSb光伏芯片的长期可靠性显著提高。这说明钝化前InSb材料的表面质量对InSb红外探测器的性能和可靠性具有重要影响。本文提供的钝化前清洗优化方向具有一定的指导意义。     

InSb红外探测器芯片金丝引线键合工艺研究

InSb红外探测器芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合质量直接决定着光电信号输出的可靠性,对于引线键合质量来说,超声功率、键合压力、键合时间是最主要的工艺参数。从实际应用出发,采用KS公司4124金丝球焊机实现芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合,主要研究芯片镀金焊盘第一焊点键合工艺参数对引线键合强度及键合区域的影响,通过分析键合失效方式,结合焊点的表面形貌,给出了适合InSb芯片引线键合质量要求的最优工艺方案,为实现InSb芯片引线键合可靠性的提高打下了坚实的基础。     

红外成象敏感器的现状（上）

在过去的几年中,红外成象技术成熟科很快,该技术所取得的进步已在许多方面得到了反央,凝视列阵规格尺寸的改进,已与动态随机存取存储器尺寸的增加取向步,芯片接口正在不断简化,在有些情况下,输出格式已能直接与ＲＳ１７０视频标准瘘容,同时,诸如象元造反和电子变焦之类的新的芯片功能正在被融合到焦平面上。５μｍ中波凝视敏感器的工作温度已提高到１８０Ｋ,再过几年,便将可以买到非致冷型的８～１２μｍ长波敏感器,基于     

高灵敏度InSb红外探测器

1.前言 InSb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在77°K时,禁带宽0.23电子伏,因为载流子迁移率高,在红外波段(截止波长5.5微米)灵敏度较高,适于作快速响应的探测器材料。原来的测热辐射计和热电偶,至多只能探测几十赫的信号。而InSb元件可以探测1兆赫左右的信号,最近装在红外照相机里,用     

基于可靠性试验的InSb红外探测器失效机理研究

对于芯片加速寿命可靠性试验来说,温度是其中最重要的一环。首先,立足于芯片可靠性试验中温度的变化,探究高温烘烤对InSb红外探测器芯片光电性能的影响;然后对盲元的类型进行了分类,并总结出了像元损伤的可能原因;最后利用有限元分析软件对探测器结构进行了热应力仿真和分析,进一步明确了芯片碎裂的机理。由仿真结果可知,芯片中心位置受力较大,其值在680 MPa左右,这与InSb探测器中心位置易发生疲劳失效现象相吻合。提供了一种研究InSb探测器失效机理的新思路,对于高性能InSb红外探测器的研制具有一定的实际指导意义。     

美国红外电荷耦合成象器件的进展情况

一、引言国外红外多元器件的研制开始于六十年代初期,随着红外材料与器件的性能和工艺水平的提高,到七十年代已出现了多种多元多波段的扫描装置和红外前视装置。红外焦平面上的探测器元数已从单     

红外成象系统

红外被动系统可以分成两大类:(1)诸如搜索、跟踪和成象等扫描系统;(2)分光计、辐射计和干涉仪等测量系统。扫描系统在指定的视场内对辐射强度的分布进行扫描和取样。其输出可以是此分布的一个线性模拟信号,供成象用,也可以仅指示目标的存在及其位置,如在搜索-跟踪应用中那样。测量系统对入射在系统上的辐照进行测量。测量可以仅仅是在某一固定带宽内测出辐射强度,也可以是在一可变中心带宽内连