脉冲激光沉积制备YBa2Cu3O7-δ/Nb-doped SrTiO3双层结

超导体/半导体结(Superconductor/semiconductor p-n junction)在制备场效应管,晶体管方面具有巨大的潜力.本文通过脉冲激光沉积的方法,使用Nb掺杂的(100)方向SrTiO3作为薄膜衬底,沉积了厚度约为350nm c轴取向的YBa2Cu3O7-δ薄膜,从而得到YBa2Cu3O7-δ/Nb:SrTiO3双层结.R～T曲线,以及XRD曲线显示YBa2Cu3O7-δ薄膜具有良好的超导电性和晶体结构,在零磁场不同温度下测量得电流-电压曲线显示YBa2Cu3O7-δ/Nb:SrTiO3构成的超导体/半导体双层结在小于YBa2Cu3O7-δ临界转变温度Tc时具有p-n结整流特性,当大于YBa2Cu3O7-δ超导转变温度时,呈现出非典型肖特基结的特性.     

对靶溅射技术制备的La2/3Ca1/3MnO3/YBa2Cu4O8/La2/3Ca1/3MnO3薄膜中Tc的降低

本文用对靶溅射技术制备了La2/3Ca1/3MnO3/YBa2Cu4O8/La2/3Ca1/3MnO3薄膜.与YBCO单层薄膜相比,由于超导/铁磁系统中的磁性邻近效应,三层薄膜表现出较低的超导转变温度.薄膜的R～T测量曲线显示出超磁阻(CMR)效应和超导转变,预示着超导和铁磁特性共存于LCMO/YBCO/LCMO三文治结构.     

在SrTiO3, NdGaO3衬底上生长的HgBa2CaCu2Oy超导薄膜

通过两步法,在SrTiO3, NdGaO3衬底上制备了HgBa2CaCu2Oy 高温超导薄膜,X射线衍射实验结果证明了薄膜是c-轴外延生长的.电阻温度测量表明薄膜的超导零电阻转变温度(Tc)>115K和临界电流Jc>0.4MA/cm2(77K,零磁场),而且重复性很好.扫描电镜实验揭示了薄膜是层状生长的,晶粒是四方形和八角形的,实验证实基于碳酸盐的靶也是适合于制备汞系铜氧化物高温超导膜的.     

Y2Ba4CuMoOy的添加和Mo替代Cu位对YBa2Cu3O7-δ超导体性能的影响（英文）

本文用固相反应法制备了YBa2(Cu1-xMox)3O7-δ+x mol Y2Ba4CuMoOy(x=0.00～0.08)的一系列多晶样品.利用X射线衍射法、标准四端引线法分别对样品的物相进行了表征和超导转变温度进行了系统的测量,发现随着掺杂量的增加,样品的晶体结构有从正交相向四方相转变的趋势,超导转变温度呈金属状态到半导体状态转变的趋势,并伴有两步转变过程;同时也观察到了超导转变温度降低且转变宽度增加的现象.然而,导致低Tc和宽T的可能原因是逐渐出现的非超导相Mo2411和样品的微观结构不均匀性.通过进一步的比较观察得到,样品超导转变温度出现两步转变最可能的原因不仅与非超导相Mo2411的增加有关而且与低Tc相的形成有关.     

NdBa2Cu3O7-δ/YBa2Cu3O7-δ多层膜体系的外延结构和磁通钉扎的研究

采用脉冲激光沉积技术.在单晶SrTiO3基底上外延生长了一系列名义结构为p×(NdBa2Cu3O7-δ(m)/YBazCu3O7-δ(n))的多层膜和准多层膜(单元层NdBa2Cu3O7-δ较厚而YBa2Cu3O7-δ呈非连贯的岛状分布,m,n为激光脉冲数,p为重复周期).样品的超导转变温度在87-91 K范围,具体大小取决于不同的调制结构,多层膜的重复周期越大,层状界面越多,超导转变温度就越低.磁传输测量表明,准多层的样品不仅具有较高的超导转变温度,而且具有较强的磁通钉扎性能,77 K零场下的临界电流密度高达4×106 A/cm2,显示出良好的应用前景.     

无氟MOD方法制备GdBCO薄膜

采用无氟金属有机物沉积方法(MOD)在单品基底SiTrO3(100)上制备GdBa2Cu3O7-x(GdBCO)薄膜.所用的无氟MOD方法制备GdBCO薄膜具有前驱溶液稳定、薄膜致密性好以及相比于TFA-MOD方法在热处理过程中无HF气体的产生等优点.经过一系列热处理工艺后,对薄膜进行X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)分析以及超导性能的测试.通过熔融外延生长,得到c轴织构良好、表面平整致密、临界超导转变温度为90 K的GdBCO薄膜,77K自场下的临界电流密度约为0.6 MA/cm2.     

喷雾沉积热分解法在SrTiO3和织构的Ag基底上制备YBa2Cu3O7-x涂层超导膜

本文研究了用喷雾沉积热分解法在(110)Ag单晶、{110}<011>Ag带、(100)SrTiO3三种不同的基底上制备YBa2Cu3O7-x涂层超导薄膜.通过对溶液成份,载气流量,沉积温度,退火时间等条件的系统研究,我们发现上述参数与薄膜的成份,表面形貌,织构以及超导性能有密切的关系.在Ag单晶基底上所获的YBCO薄膜具有很强的平面双轴织构,起始转变温度达到了90K,Jc值超过了104A/cm2(77K,0T);改进试验装置后,以织构Ag为基底,制备出了15cm长的YBCO超导带材,Jc值达到了104A/cm2(77K,0T).同时,我们发现温度梯度在热分解区间内对薄膜的形成起到了重要的作用.随后我们又在喷雾加热系统中附加一个金属加热圆筒,以改善加热区间的温度梯度,薄膜的性能得到了明显的提高.在(100)SrTiO3上的YBa2Cu3O7-x薄膜,(102)极图的FWHM值达到了0.70°,薄膜的起始超导转变温度为91K(ΔTc=1.5K),Jc值接近105A/cm2.     

Ca掺杂对Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-δ)(0.05≤x≤0.20)薄膜超导电性的影响

本文利用脉冲激光沉积法在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(LSAT)的(001)面上外延生长了系列Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ(0.05≤x≤0.20)超导薄膜.充分退火后的样品均为富氧材料,其X射线衍射(XRD)数据显示样品具有良好(001)取向,随着掺杂量x的增大,样品有由正交相变为四方相的趋势.低场下M～T测量数据显示超导态时样品具有抗磁性,随着Ca含量的增加超导转变温度(Tc)降低,当x=0.2时,仅有46K.当外加磁场达到10kOe时,磁化发生反转出现正值,表现为顺磁迈斯纳效应.     

用脉冲激光淀积制备具有光滑表面的A-轴取向YBa2Cu3O7薄膜

我们采用脉冲激光淀积方法在(100)SrTiO3基底上制备了a-轴取向外延的YBa2Cu3O7-x薄膜.通过采用活性氧,降低氧压和淀积速率,制备出了Tc超过80K、表面平均粗糙度为4.43nm的薄膜.X-射线衍射谱表明,实验得到的YBa2Cu3O7-x外延薄膜是高度A-轴取向的.     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜制备工艺对体系结构和性能的影响研究

采用起始原料无氟的工艺和含氟的Ba-TFA工艺制备YBa2Cu3O7-δ(YBCO)前驱体溶胶,在LAO(001)基板上制得YBCO凝胶膜,热处理后都可以获得表面光滑、无裂缝的YBCO薄膜。薄膜的性能利用X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)以及光电子谱(XPS)等手段进行测试,结果表明:无氟工艺制备的薄膜由于热处理过程中生成了BaCO3相而严重地影响到薄膜的超导性能,而Ba-TFA法所获得的薄膜则表现出了良好外延生长,临界转变温度Tc=89K,转变温度宽度△Tc<1 K,临界电流密度Jc=2.8MA/cm2。     

Luminescence of nanocrystalline ZnS:Cu

Temperature dependent luminescence and luminescence lifetime measurements are reported for nanocrystalline ZnS:Cu²⁺ particles. Based on the variation of the emission wavelength as a function of particle size (between 3.1 and 7.4 nm) and the low quenching temperature (T_q=135 K), the green emission band is assigned to recombination of an electron in a shallow trap and Cu²⁺. The reduction in lifetime of the green emission (from 20 μs at 4 K to 0.5 μs at 300 K) follows the temperature quenching of the emission. In addition to the green luminescence, a red emission band, previously only reported for bulk ZnS:Cu²⁺, is observed. The red emission is assigned to recombination of a deeply trapped electron and Cu²⁺. The lifetime of the red emission is longer (about 40 μs at 4 K) and the quenching temperature is higher.     

Synthesis and magnetic properties of multilayer Ni/Cu and NiFe/Cu nanowires

Highly ordered composite nanowires with multilayer Ni/Cu and NiFe/Cu have been fabricated by pulsed electrodeposition into nanoporous alumina membrane. The diameter of wires can be easily varied by pore size of alumina, ranging from 30 to 100 nm. The applied potential and the duration of each potential square pulse determine the thickness of the metal layers. The nanowires have been characterized by transmission electron microscopy (TEM), magnetic force microscopy (MFM), and vibrating sample magnetometer (VSM) measurements. The MFM images indicate that every ferromagnetic layer separated by Cu layer was present as single isolated domain-like magnet. This technique has potential use in the measurement and application of magnetic nanodevices.     

压力对非晶铜形成影响的分子动力学模拟

用分子动力学模拟法研究了Cu熔体在冷却过程中形成非晶的能力. 结果表明，压力使Cu熔体在冷却过程中形成晶体的倾向增加. 高压下冷却形成的Cu非晶中含有较多的晶态原子团，有序度较高.     

Cu2+对鲁米诺阳极电致化学发光的抑制作用

本文研究了Ｃｕ＾２＋对碱性鲁米诺阳极电致化学发光的影响,发现Ｃｕ＾２＋对发光峰强度有明显的抑制作用。通过对溶液ｐＨ值及离子强度、溶液中支持电解质种类、理米诺浓度和ＥＤＴＡ对抑制作用影响的讨论,结合Ｐｔ电极表现ＸＰＳ谱图的分析结果,给出了可能的抑制机理;非常微小的Ｃｕ（ＯＨ）２分子聚体参与了电极氧化过程中双电层的形成,阻碍了电化学发光活性物质的生成和传质速率。在一定条件下,发光峰强度的减小量与Ｃｕ＾     

Synthesis and thermoelectric properties of Cu excess Cu2ZnSnSe4

Quaternary stannites with an excess of copper were successfully synthesized by reacting the constituent elements and subsequent solid state annealing, followed by densification by hot‐pressing. The composition for each specimen was confirmed with a combination of Rietveld refinement and elemental analysis. Their high temperature thermoelectric properties were measured from 300 K to 800 K and compared with that of Cu₂ZnSnSe₄. The thermal conductivity decreases significantly with increasing Cu content at elevated temperatures due to the crystal structure of this material system. A maximum ZT value of 0.86 was obtained at 800 K for the specimen with the highest Cu content, Cu_2.2Zn_0.8SnSe₄. (© 2014 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

Cu掺杂无水芒硝的光致发光特性

在气温1 100℃下,将纯天然无水芒硝(Na2SO4)和Cu的混合粉末加热20 min,制备了Na2SO4:Cu发光材料.在室温中测量了光致发光谱.通过实验结果发现发射光谱形状依赖于激发波长,在260nm激发下的发射光谱是由峰值位于430 nm处的宽带谱构成,所得到的宽带谱归属于Cu+内电子的3d94s→3d10跃迁....     

健康人与糖尿病患者红细胞中Cu,Zn-SOD活性测定及分析

本文报导了通过紫外可见分光光度计,对末梢血中ＳＯＤ抽提液在ＰＨ８．４０Ｔｒｉｓ－ＨＣｌ缓冲介质中与试剂配合,于４２０ｎｍ处以试剂空白为参比测定吸光度,即可得出ＳＯＤ活性值,由此测定健康人与糖悄病２红细胞中Ｃｕ,Ｚｎ－ＳＯＤ活性,结果表明,同年龄组糖尿病患者与健康人比较,前者ＳＯＤ活性明显低于后者,这说明红细胞中Ｃｕ,ＺＮ－ＳＯＤ活性是糖尿病患者一项较为敏感的检查指标。     

组分调制Cu3NPdx的大温区恒定电阻率

单一固体材料的电阻率是关于温度的复杂函数。目前尚未见关于相当大的温度范围内恒定电阻率的报道；对恒电阻的需求仍然是通过材料结构组合或电路设计实现的。Cu3NPdx随组份的变化会经历半导体-半金属相变，在Cu3NPd0.238中可以在240K的温度范围内测得不变的电阻率，这一发现至少表明大温区内恒电阻是可以在单一材料内实现的，它对固体物理的理解本身以及诸多应用都有重要的意义。     

基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究

提出了一种基于微观晶粒尺寸分布的Cu互连电迁移失效寿命模型. 结合透射电子显微镜和统计失效分析技术, 研究了Cu互连电迁移失效尺寸缩小和临界长度效应及其物理机制. 研究表明, 当互连线宽度减小, 其平均晶粒尺寸下降并导致互连电迁移寿命降低. 小于临界长度的互连线无法提供足够的空位使得铜晶粒耗尽而发生失效. 当互连长度大于该临界长度时, 在整个电迁移测试时间内, 部分体积较小的阴极端铜晶粒出现耗尽情况. 随着互连长度的增加该失效比例迅速增大, 电迁移失效寿命减小. 当互连长度远大于扩散长度时, 失效时间主要取决于铜晶粒的尺寸, 且失效寿命和比例随晶粒尺寸变化呈现饱和的波动状态. 关键词： Cu 互连 电迁移 微观结构     

纳米铜团簇扩散性质研究

本文通过分子动力学模拟研究了纳米铜团簇的自扩散性质,结果表明Nc8949铜团簇自扩散系数随温度的升高而增大,在温度为1000 K时纳米铜团簇的扩散系数随团簇半径的倒数基本呈线性增加.同时指出在常温下团簇几乎无扩散行为,而某些文献中关于常温下晶粒扩散分子动力学模拟结果是模拟体系宏观转动造成的虚假现象.?