电阻分压器-3 dB频率与上升时间的关系

研究了无电感补偿和有电感补偿的一级和两级电阻分压器的幅频特性-3 dB频率与阶跃响应10%~90%上升时间的关系。无电感补偿一级分压器的-3 dB频率与阶跃响应上升时间之积为常数0.350;对无电感补偿两级分压器,该乘积在0.349附近很小范围内变动;对电感补偿一级分压器,该乘积由过冲决定,当过冲在0~10%范围内变化时,该乘积在0.35~0.29之间线性变化;对电感补偿两级分压器,该乘积随过冲和分压器参数变化,在不大于10%的确定过冲下,变化范围约为±10%;当两级分压器第一级的时间常数远大于第二级的时间常数时,可能难以在第二级进行有效的电感补偿。     

用于脉冲功率装置调试的高功率电阻分压器型负载

介绍了电阻分压器型负载的结构、分压原理和设计方法,分析了高频作用下趋肤效应对负载阻值的影响,计算了负载和真空腔内的电场强度分布以及负载的等效电感和等效电容,利用Pspice程序模拟了回路参数对输出信号的影响。对负载的分压比进行了标定,标定结果为7.59×10-5。为避免闪络现象的发生,设计加工接地金属套筒,用来降低负载阴极三结合点处的电场强度。负载工作电压幅值428 kV,电流幅值9.48 kA,工作阻抗45 Ω,电压和电流波形与设计值符合得较好,满足设计要求。     

磁绝缘传输线实验用电阻分压器型大功率负载设计

研制了一种用于磁绝缘传输线（MITL）实验的分压器型大功率水电阻负载,其阻值可在2.0~14.0 变化。利用MATLAB系统辨识工具箱和ANSYS电磁分析模块,分别获取了分压器的系统传递函数和沿面电场分布,给出了其幅频响应特性和沿面闪络可靠性分析,负载设计充分考虑了集肤效应和温升的影响。该负载已用于强光一号1.0 m长MITL特性研究实验,并获得了较好的测量波形,在负载阻值2.1 条件下,负载峰值电压为1.2 MV,峰值电流为494.4 kA,峰值时间约125 ns。将实验测量结果同TLCODE计算结果进行了对比,获得了较为一致的对比结果。     

磁绝缘传输线实验用电阻分压器型大功率负载设计

研制了一种用于磁绝缘传输线（MITL）实验的分压器型大功率水电阻负载,其阻值可在2.0~14.0 变化。利用MATLAB系统辨识工具箱和ANSYS电磁分析模块,分别获取了分压器的系统传递函数和沿面电场分布,给出了其幅频响应特性和沿面闪络可靠性分析,负载设计充分考虑了集肤效应和温升的影响。该负载已用于强光一号1.0 m长MITL特性研究实验,并获得了较好的测量波形,在负载阻值2.1 条件下,负载峰值电压为1.2 MV,峰值电流为494.4 kA,峰值时间约125 ns。将实验测量结果同TLCODE计算结果进行了对比,获得了较为一致的对比结果。     

用于脉冲功率装置调试的高功率电阻分压器型负载

 介绍了电阻分压器型负载的结构、分压原理和设计方法,分析了高频作用下趋肤效应对负载阻值的影响,计算了负载和真空腔内的电场强度分布以及负载的等效电感和等效电容,利用Pspice程序模拟了回路参数对输出信号的影响。对负载的分压比进行了标定,标定结果为7.59×10^-5。为避免闪络现象的发生,设计加工接地金属套筒,用来降低负载阴极三结合点处的电场强度。负载工作电压幅值428 kV,电流幅值9.48 kA,工作阻抗45 Ω,电压和电流波形与设计值符合得较好,满足设计要求。     

一种在真空中测量脉冲高电压的电阻分压器

为测量快脉冲直线变压器驱动源（LTD）二极管负载的脉冲高电压,设计了在真空环境中使用的电阻分压器。分压器使用绝缘堆结构,采用静电场模拟分析了分压器的电场分布。建立了包含分布参数的等效电路,并进行了频率响应仿真,可得分压器的频响上限为200 MHz。使用标准高压探头对分压器进行在线标定,分压比标定结果为5 400∶1,与设计值相符合。在LTD调试实验中,模块充电85 kV时二极管电压为1.08 MV,与理论估算结果一致。     

一种在真空中测量脉冲高电压的电阻分压器

为测量快脉冲直线变压器驱动源（LTD）二极管负载的脉冲高电压,设计了在真空环境中使用的电阻分压器。分压器使用绝缘堆结构,采用静电场模拟分析了分压器的电场分布。建立了包含分布参数的等效电路,并进行了频率响应仿真,可得分压器的频响上限为200 MHz。使用标准高压探头对分压器进行在线标定,分压比标定结果为5 400∶1,与设计值相符合。在LTD调试实验中,模块充电85 kV时二极管电压为1.08 MV,与理论估算结果一致。     

S-Band 3dB定向耦合器的优化设计及应用

3dB定向耦合器在组成微波器件中有着广泛的应用, 在我们的实验室中最常用到的带有3dB向耦合器的微波器件是移相器、衰减器和能量倍增器等, 3dB定向耦合器的性能参数对上述器件的性能起着决定性的作用. 在对原有S-band 3dB定向耦合器模拟研究的基础上, 通过对不同组数据的分析比较, 提出了此结构的优化设计方案. 重新设计后的3dB定向耦合器不仅简化了加工工艺, 而且驻波比、不平衡度、隔离度都达到了更好的效果. 将新设计的定向耦合器应用到移相器中, 通过对新老移相器的模拟和测试结果的比较可以看到移相器的各项指标均比原来有所提高, 而这也是以往移相器所无法达到的新指标. 对新加工的移相器试验件的测试数据表明, 实验测试和模拟计算的一致性很好.     

混频技术测量单次脉冲微波频率的实验研究

介绍了用混频技术测量单次脉冲微波频率的方法,用50ns、5GHz的单次脉冲微波对混频系统进行了实验研究。目前, 已用此技术测量了虚阴极振荡高功率微波锁频产生的单次微波的频率,并对混频输出的中频信号进行快速傅里叶变换(FFT),得到单次脉冲微波的3dB带宽。     

混频技术测量单次脉冲微波频率的实验研究

 介绍了用混频技术测量单次脉冲微波频率的方法,用50ns、5GHz的单次脉冲微波对混频系统进行了实验研究。目前, 已用此技术测量了虚阴极振荡高功率微波锁频产生的单次微波的频率,并对混频输出的中频信号进行快速傅里叶变换(FFT),得到单次脉冲微波的3dB带宽。     

磁绝缘线振荡器的起振电压与注入电压关系的分析

粒子模拟和实验研究发现磁绝缘线振荡器(MILO)的起振电压会随注入工作电压的增大而增大, 通过进一步的分析与研究, 找到了引起该现象的根本原因, 即随着注入工作电压的增大, 工作电压上升前沿的斜率必然增大, 上升前沿斜率的增大必然引起起振电压的增大, 当斜率无限大时, MILO的起振电压等于工作电压. 因此, 工作电压上升前沿斜率的变化是引起MILO器件起振点变化的根本原因; 当注入电压上升沿的斜率固定不变时, 同一MILO器件的起振点不变, 即对应的起振电压值不变; 当注入电压上升沿的斜率增大时, 同一MILO器件的起振点对应的起振电压值随之增大. 对MILO器件的自磁绝缘临界电流公式进行了部分修正. 关键词： 磁绝缘线振荡器 工作电压 起振电压 工作曲线     

HL-2Aװ��LHCD������3.7GHz 3dB���������

根据微波叠加原理、阻抗匹配和相位补偿理论计算出3dB功率分配器的理论数据,再利用高频电磁场仿真软件进行电磁仿真和参数优化。实物测量结果:输入端口的反射损耗RL--31.12dB;隔离度Iso--34.35dB;输出端口功分性能为-3.09dB,-3.07dB;相位差1.8°;输入驻波比VSWR=1.070,与理论数据基本符合。     

Correlation between crystallinity and resistive switching behavior of sputtered WO3 thin films

The as-deposited WO₃ thin films were post-annealed at different temperatures (300 °C and 600 °C) in air to investigate a correlation between crystallinity and switching behavior of WO₃ thin films. Associating the results of XRD, FTIR, XPS and FESEM measurements, the annealing-caused crystallinity change contributes to the variation of the switching behaviors of the WO₃ thin films. The as-deposited WO₃ films with low crystalline structure are preferred for random Ag conducting path, resulting in large switching ratio but fluctuating I–V hysteresis, whereas the annealed WO₃ films with crystallized compact structure limits Ag conducting path, favoring the stable I–V hysteresis but small switching ratio. It is therefore concluded that electrochemical redox reaction-controlled resistance switching depends not only on electrode materials (inert and reactive electrodes) but also on crystallinity of host oxide.     

甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究

采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明：随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m×0.8m的大面积平行板电极上应用40.68和60MHz两种激发频率,通过功率馈入点数量和位置优化,计算获得非均匀性分别为±2.5%和±5.5%的真空电势差分布.这些数值计算结果为大面积平行板电极在VHF-PECVD中应用提供了重要的理论指导. 关键词： 二维准平面电路模型 甚高频等离子体增强化学气相沉积 电势驻波效应     

Unusual current‐voltage characteristics of single crystalline and bicrystalline La0.7Ca0.3MnO3 films

The current‐voltage characteristics of single crystalline and bicrystalline La_0.7Ca_0.3MnO₃ films were measured and analyzed. Several epitaxial films, as well as 45° [001]‐tilt grain boundaries, display current‐voltage characteristics which are asymmetric with respect to polarity reversal of the bias current. One epitaxial film has a polarity dependent resistance of ～340kΩ and of ～670kΩ in forward and in reverse direction, respectively.     

磁绝缘线振荡器阴极烧蚀与电压波形的关系研究

通过粒子模拟和实验研究相结合的方法,研究了磁绝缘线振荡器的阴极烧蚀与输入电压波形的关系,找到了造成阴极烧蚀的根本原因,给出了电子束回轰阴极的清晰图像,并通过对低阻抗加速器平台输出电压波形的调整,抑制了反向电压,解决了器件的阴极烧蚀问题.研究结果表明:在正向电压作用下已经发射出来的电子束在超过一定幅度的反向电压作用下发生反向运动并回轰阴极,产生反向电流并造成器件阴极的烧蚀,因此注入电压下降沿之后的反向电压是引起磁绝缘线振荡器的阴极烧蚀的最根本因素.     

Au/SrTiO3/Au界面电阻翻转效应的低频噪声分析

本文研究了Au/SrTiO₃/Au三明治结构中的双极电阻翻转效应, 观察到高、低阻态的电阻弛豫现象. 低频噪声测量表明高、低阻态的电阻涨落表现出1/f行为. 对比试验表明, 高阻态的低频噪声来源于反向偏置肖特基势垒和氧空位的迁移, 强度较大, 低阻态的噪声则源于类欧姆接触底电极区域的氧空位迁移导致的载流子涨落, 强度较低. 同时, 界面上氧空位浓度的弛豫导致了高、低阻态的弛豫过程. 关键词： 电阻翻转效应 低频噪声 氧空位     

3-环丙基卟吩f-3甲酯与转铁蛋白的相互作用

用荧光光谱法、分光光度法研究了3-环丙基卟吩f-3甲酯（Mf3-3）与转铁蛋白（Transferrin,Tf）的相互结合反应。计算了反应的表观平衡常数、结合位点数,获得了不同温度下两者结合的热力学常数,推测了二者之间的主要作用力。