串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型,并且应用该模型,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关,采用全波分析方法,进行了瞬态电磁场分析.由于开关尺寸为微米量级,而驱动电压高达40～60V,这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响.理论仿真结果显示,开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在.实验结果同样显示,耦合到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60%的失真.     

串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型 ,并且应用该模型 ,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关 ,采用全波分析方法 ,进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级 ,而驱动电压高达 4 0～ 6 0V ,这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示 ,开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示 ,耦合到信号路的信号可以输入信号产生最大值为 6 0 %的失真     

MEMS光开关技术进展

介绍了MEMS光开关的特点，分析了MEMS光开关的需求背景和应用范围，详细介绍了国内外MEMS光开关及其相关技术发展状况，提出了我国发展MEMS光开亲技术的紧迫性和重要意义。     

超短激光脉冲触发GaAs体光导开关的三维瞬态分析

本文采用时域有限差分法，超吸收边界条件，利用半导体物理学的有关成果，归纳的适合体光导开关的三维载流子复合动力学数学模型，完成了对半导体光导开关的三维全波分析，计算了光导开关内部场和载流子的瞬态分布，本文提出的最佳设计方案，可使对激光能量的要求成倍数的降低，本文还讨论了静态场量对数值计算的影响。     

MEMS开关及其应用

介绍MEMS开关的分类、特性、制造、可靠性和应用。     

悬臂梁接触式RF MEMS串联开关工艺设计

报道了一款用于X波段的悬臂梁接触式RF MEMS串联开关的微加工工艺设计。首先,介绍了该悬臂梁接触式MEMS串联开关的基本工作原理;然后,简单描述了其结构组成和尺寸参数;最后,对掩膜版和对位标记的设计做了相应介绍。工艺方案设计包括初步工艺设计和根据实际加工条件的方案优化设计。初步工艺方案中加工步骤繁琐并需要两层牺牲层,制作难度大,难以保证较高的成品率。考虑实际加工条件的优化设计,采用聚酰亚胺作为牺牲层,使得牺牲层减少到一层。利用PECVD工艺沉积SixNy和溅射Au工艺得到了悬臂梁结构,简化了工艺流程,可提高工艺成品率。     

开关点电可调节的MEMS冲击加速度锁定开关

介绍了一种基于机电耦合原理的新型冲击加速度MEMS开关.此开关的阈值开关点可以通过偏置电压的改变进行调节设置,同时具有自锁定功能.文中分析了这种开关的准静态加速度静力学平衡条件和在阶跃冲击加速度输入情况下的响应特性,并通过CoventorWare软件模拟,得到悬臂梁型开关在各种加速度输入信号(阶跃、脉冲和半正弦)情况下的瞬态响应过程.开关的实际阈值范围为1000~5000g,响应速度小于60μs.采用MEMS技术制造开关,并通过冲击加速度测试验证了设计结果.     

用于瞬态电磁场测量的宽带脉冲天线

脉冲天线是脉冲雷达、瞬态电磁场测量等应用的关键设备之一。本文描述了用于瞬态电磁场测量的一种宽带脉冲天线的设计，给出了测量结果，测量结果表明，该天线具有高保真和宽频带特性，有有效地发射或接收毫微秒脉冲信号。实际制作的天线已成功地应用于外场瞬态电磁测试系统。     

RF MEMS单刀四掷矩阵开关的研究

介绍了一个RF MEMS单刀四掷矩阵开关的设计，用四个串联式、电阻接触型、悬臂梁RF MEMS开关制作在微带电路板上完成。在频带1～5GHz内，单刀四掷矩阵开关的插入损耗〈0．8dB，开关隔离度〉38dB，驻波系数〈1．2。悬臂梁开关的激励电压为直流电压35～45V。     

MEMS光开关的研究与进展

光开关是光通信网络的重要功能器件,MEMS光开关是最具发展前景的光开关之一。在简介不同种类光开关原理特点的基础上,详细分析了当前主要的MEMS光开关的分类、结构、工艺与性能特点,并给出这一领域的研究与发展状况。     

Wideband DC-contact MEMS series switch

The demonstration of a wideband DC-contact MEMS series switch on an alumina substrate is reported. The switch is based on a cantilever beam design. The tip of the cantilever beam was formed into a fork tip design, and its RF performance was measured and compared with a regular rectangular tip. This design reduced up-state capacitance from 10 to 3.8 fF. The beam with fork tip exhibited high isolation: -39, -32 and -17.3 dB at 5, 10 and 77 GHz, respectively. The measured insertion loss was -0.142, -0.172 and 0.36 dB at 5, 10 and 77 GHz, respectively. The switch had low actuation voltage (⩽39 V) and a relatively fast switching time of 45 s. To our knowledge, this is the first demonstration of a high-performance cantilever beam design DC-contact MEMS series switch at W-band frequencies.     

一种串联RFMEMS开关的隔离度补偿措施

提出了采用陷波电路结构来补偿串联RFMEMS开关断开时的耦合电容,提高其隔离度的一种方法。理论分析显示,采用这种方法,在2～5GHz的频率范围内,可以使开关的隔离度最多提高15郾6dB,而插入损耗只受到0郾07dB的影响。     

RF MEMS开关

由于能耗低、隔离度好、工作频带宽,MEMS开关在RF领域得到了广泛的应用。本文着重介绍了RF MEMS开关的基本参数、分类以及典型制造工艺和设计时考虑因素等一些基本的概念。     

RF MEMS waveguide switch

This paper presents a novel concept for an RF microelectromechanical systems (MEMS) waveguide switch. The proposed switch employs a ridge waveguide integrated with MEMS rotary actuators based on a thermal plastic deformation approach. The switch promises to be useful in high-power applications, as well as in millimeter-wave applications. Two switch implementations are presented: one with a waveguide interface and the other with a coplanar-waveguide interface for wide-band applications. Electromagnetic simulation results are presented showing the ultimate potential of the proposed concept. Both switch implementations have been fabricated and tested. The achievable measured results are very encouraging and demonstrate the feasibility of such novel types of MEMS switches. The power-handling capability of the switch is also investigated both theoretically and experimentally.     

全光网络中的MEMS光开关

介绍了目前国内外光纤通信系统中所涉及的电磁驱动移动式MEMS光开关、静电驱动式光开关、基于MEMS光大器的可扩展型光开关矩阵、喷墨气泡MEMS光开关、开环式1×N波长选择MEMS光开关。对这些器件的结构原理,制造方法及其性能指标作了分析。把这些器件的性能指标和当前光纤通信系统中的光开关的性能要求进行比较,分析了这些器件的应用前景。最后,对MEMS光开关做出了展望,指出了今后MEMS光开关的进一步研究方向。     

一种用于隔离放大器的微机械开关

介绍了一种新型的隔离放大电路,采用微机械开关实现“飞电容”结构。这种隔离放大电路具有许多优点:电路结构简单、尺寸小、成本低、隔离电压高、电磁兼容性能优良,很容易组成多通道隔离电路等;在30V驱动电压下测试,微机械开关的延时小于50μs,隔离电压大于110V。对设计、制造出的微机械开关隔离放大器进行了测试,证明该电路的精度优于2%。     

A DC-contact MEMS shunt switch

This paper presents the design, fabrication, and performance of a metal-to-metal contact micro-electro-mechanical (MEMS) shunt switch. The switch is composed of a fixed-fixed metal beam with two pull-down electrodes and a central DC-contact area. The switch is placed in an in-line configuration in a coplanar waveguide transmission line. This topology results in a compact DC-contact shunt switch and high isolation at 0.1-18 GHz. The isolation at MM-wave frequencies is limited by the inductance to ground and is -20 dB at 18 GHz. The application areas are in wireless communications and high-isolation switching networks for satellite systems     

Active series switch for switched-opamp circuits

A series switch to be used in switched-opamp circuits is proposed. The circuit can be implemented in standard CMOS technology and allows rail-to-rail input and output signals to be processed without a voltage multiplier. Using a 0.5 μm CMOS technology, with a 1 V supply, the circuit exhibits a total harmonic distortion better than -60 dB for a differential signal amplitude up to 1.8 Vpp     

MEMS光开关有望催生下一代网络

一种速度为1ms的多信道光开关样品有望提供开发全光通信网络所需的快速光交叉连接。