采用约瑟夫逊结器件制作RAM

采用约瑟夫逊结器件制作ＲＡＭ据《学会志》１９９３年第５期报道，日本电子技术综合研究所采用集成约瑟夫逊结（ＪＪ）器件的方法已制成１６ｋｂ级ＲＡＭ。所用的ＪＪ器件，在两种金属银之间夹一层铝绝缘膜结构；在极低温下的娘之间会产生隧道现象，就会有超导电流流动。...     

采用气体等离子体制作掩模

一、引言最近,气体等离子体被用于大规模集成电路制片工艺中,其实用性已有许多报导,另外,在照相制版工艺使用的光掩模的制作上也采用气体等离子体,并研究了把工艺的一部分干式化。本报告发表了在使用气体等离子体制作掩模工艺中(尤其是关于图形尺寸的精度和图形缺陷发生率、其曝光条件以及腐蚀条件的依赖关系)的研究结果。     

点接触约瑟夫逊结宽带探测器

本文分析了点接触约瑟夫逊结远红外宽带探测器的工作原理、点接触约瑟夫逊结的高频响应和制备。     

约瑟夫逊结芯片的新突破

日本电电公社宣称,该公司在实验室条件下,在1K随机存取存储器芯片上成功地集成了大约10,000个约瑟夫逊结. 新器件有10级开关链,约瑟夫逊结按照2.5微米规则,应用铅铟金合金制成.在-269℃温度下工作,     

相移掩模的制作

本文阐述相移掩模技术研究中，常用的几种主要相移掩模制作方法，重点介绍了无络ＰＳＭ、Ｌｅｖｅｎｓｏｎ交替型ＰＳＭ、边级ＰＳＭ、亚分辨辅助ＰＳＭ以及激光直写制作ＰＳＭ的方法。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

掩模制作中的邻近效应

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。     

采用金属掩模和电解离子水清洗的Cu/HSQ镶嵌技术

为了逻辑器件高速化 ,必须做到布线低阻化及层间介质膜低电导率。为此 ,本次采用低阻Ｃｕ布线和低电导率ＨＳＱ (ＨｙｄｒｏｇｅｎＳｉｌｓｅｑｕｉｏｘａｎｅ) ,首次制作了Ｃｕ/ＨＳＱ结构。采用如下新工艺克服了制作上的难题 (ＨＳＱ膜劣化 )。即 :(1)采用金属 (ＴｉＮ)掩模制作ＨＳＱ槽技术。 (2 )ＣＭＰ后清洗时 ,可有效去除粒子玷污的纯水电解水清洗技术。结果 ,此Ｃｕ/ＨＳＱ布线的层间电容与原来采用抗蚀剂掩模的工艺相比 ,可约低 17% ;而且与Ｃｕ/ＳｉＯ2 相比 ,电容可减小近 30 %。同时 ,采用由本工艺形成的Ｃｕ/ＨＳＱ结构制作器…     

灰度掩模制作系统掩模图形的生成及工艺研究

灰度掩模法是目前正在积极探索的一种二元光学器件制作方法。从基于空间光调制器的灰度掩模制作方法出发,就“掩模图形的生成”和“工艺”这两个难点问题进行了深入的研究,并具体地制作了几种常用的二元光学器件的灰度掩模,为该方法进一步投入实用提供了一条较好的思路。     

灰度掩模制作统掩模图形的生成及工艺研究

灰度掩模法是目前正在积极探索的一种二元光学器件制作方法.从基于空间光调制器的灰度掩模制作方法出发,就"掩模图形的生成"和"工艺"这两个难点问题进行了深入的研究,并具体地制作了几种常用的二元光学器件的灰度掩模,为该方法进一步投入实用提供了一条较好的思路.     

LIGA技术的掩模制造

ＬＩＧＡ技术是近几年才发展起来的一门新的技术，包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度Ｘ光曝光，所用的同步辐射Ｘ光较硬，这一曝光条件相应就需要Ｘ光掩模吸收全有较大厚度和较高的加工精度，这样才能够阻档住Ｘ光，同时保证较高的光刻精度。     

用金刚石薄膜制造X射线掩模版

用金刚石薄膜作为支撑层，金作为吸收体；同时，采用Ｎｉ合金过渡层来解决金刚石与金之间结合力小，热匹配性能差等问题。制作的掩模版具有较好的反差效果。同时，还具有工艺简单，成品率高等特点。     

喷雾显影技术在亚微米制版中的应用研究

阐述了离心式中心喷雾显影工艺技术在精细图形制作中的重要性,实验装置、工作原理、工艺参数选择、实验结果以及在制版中的应用实例。     

镓液态金属离子源的制备

镓液态金属离子源广泛应用于聚焦离子束技术 ,本文介绍了一种利用电子轰击的方法制备镓液态金属离子源的工艺和设备 ,测试了源的 I- V发射特性曲线 ,d I/ d V≈ 0 .0 5 ( μA/ V) ,进行了新旧工艺下电流发射稳定度的比较 ,最佳源发射稳定度大于 95 % ,寿命大于 1 0 0 0小时。     

对一台先进电子束曝光机制作掩模过程的分析

本文通过对一台先进电子束曝光机制作掩模过程的分析,阐明设计图经计算机辅助设计系统数字化后,生成PG格式数据,再由PG格式数据转换成电子束格式数据的处理;论述了光栅扫描的原理及特点;介绍了图形发生器的作用及电子束在控制系统作用下在基片上描绘图形的过程。     

定域无缺陷SOI的制备

两种行之有效的晶粒间界限制技术:热沉结构和硅槽结构使区熔再结晶SOI实现定域无缺陷,这是采用区熔技术制备SOI的技术关键和难点所在。本文讨论了两种结构限制晶界的机理。     

场板结构浅平面结高压器件

本文采用浅平面结制作场板结构高压器件，根据二维模拟器件击穿电压分析结果选择器件参数：深，场氧化层厚度，场板宽度和内部电极间距。结果，半绝缘钝化结构击穿电压的计算值与实验值相关较大，而绝缘层钝化结构的两者较接近。     

变相怪杰

该片出自曾经执导《猫狗大战》的名导劳伦斯·加特曼(Lawrence Guterman)之手,也是1994年经典喜剧片《变相怪杰》的续集。影片试图以更多的恶作剧,更多的混乱,以及更多的魔术,再度“召回”昔日的变相怪杰。在这部续集中,那个神奇的绿色面具辗转落到了一个漫画家蒂姆·艾弗瑞(Jamie Kennedy饰)手里,引发了一些带有新悬念的故事情节: 蒂姆是一个具有远大抱负的漫画家,他与妻子唐娅(泰勒·霍华德饰)住在一个卡通味十足的小房子里。唐娅十分想要一个孩子, 但是看重事业成功的蒂姆却认为不必操之过     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例