乙烯在Ru（1010）表面价带电子特性研究

在200K以下乙烯(C2H4)可以在Ru（1010）表面上以分子状态稳定吸附,200K以上乙烯发生了脱氢分解反应生成乙炔(C2H2)。乙烯分解生成乙炔后,σCC和σCH分子轨道能级向高结合能方向分别移动了0．5和1.1eV。偏振角分辨紫光电子谱（ARUPS)结果表明：在RM（1010）表面上,乙烯和脱氨反应后生成的乙炔分子的C—C键轴都不平行于表面,而是沿表面(0001)晶向倾斜。     

C2H4在清洁和有Cs覆盖的Ru(0001)表面吸附的TDS研究

用热脱附谱(TDS)方法研究了乙烯(C₂H₄)在Ru(0001)表面上的吸附.在低温下(200K以下)乙烯可以在清洁及有Cs的Ru(0001)表面上以分子状态稳定吸附,在衬底温度升高至200K以上时,乙烯发生了脱氢分解反应,乙烯分解后的主要产物为乙炔(C₂H₂).在清洁的Ru(0001)表面,乙烯有两种吸附状态,脱附温度分别为275K和360K.而乙炔的脱附温度为350K.在Ru(0001)表面有Cs的存在时,乙烯分解关键词：乙烯钌(0001)表面铯钌(0001)表面乙烯钌(0001)表面铯钌(0001)表面     

金属/有机半导体界面偶极层的研究

利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释.     

Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜（STM）和x射线光电子能谱（XPS）研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长,而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长,到Ge层的厚度为20个单原子层,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV,其相对位移约为01 eV.关键词：GeRu表面生长相互作用     

有机半导体perylene和tetracene在Ag(110)表面上有序薄膜的结构与电子态研究

利用紫外光电子能谱(UPS)和低能电子衍射(LEED)对银(110)表面上perylene与tetracene的生长进行了研究.LEED的结果表明：一个分子单层的perylene在银(110)表面上会形成C(6×2)的有序结构;一个分子单层的tetracene,观察到的则是C(4×2)的有序结构.根据UPS的测量,与perylene分子轨道有关的4个特征峰分别位于Frimi能级以下35,48,64和85eV处,与tetracene分子轨道有关的4个特征峰的结合能分别为3．4,49,59和94eV.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)的测量表明,表面附近的perylene和tetracene分子平面平行于银衬底表面,tetracene分子的长轴可以确定沿［110］晶向.关键词：有机半导体材料紫外光电子能谱结构和电子结构     

乙烯在Ru( )表面价带电子特性研究

在200K以下乙烯（C2H4）可以在Ru（1010^-）表面上以分子状态稳定吸附,200K以上乙烯发生了脱氢分解反应生成乙炔（C2H2）。乙烯分解生成乙炔后,σCC和σCH 分子轨道能级向高结合 能方向分别移动了0.5和1.1eV。偏振角分辨紫外光电子谱（ARUPS）结果表明：在Ru(10106-)表面上,乙烯和脱氢反应后生成的乙炔分子在C－C键轴都不平行 于表面,而是沿表面<0001>晶向倾斜。     

Ru(0001)表面氮分子和钡原子的相互作用

本文采用密度泛函理论方法研究了Ru(0001)表面氮分子和钡原子的相互作用.计算结果表明,钡原子的作用弱化了氮分子键.氮分子键长从Ru(001)-N2表面的0.113 nm伸长互Ru(001)-N2/Ba表面的0.120 nm;分子的拉伸振动频率从2221 cm-1减小到1746 cm-1;氮分子得到的电荷数从清洁表面的0.3e增加到1.1 e.电荷从钡原子6s轨道向钌原子4d轨道转移,转移电荷增强了氮分子2π空轨道和钌原子4d轨道间的杂化作用,导致5σ分子轨道和dπ杂化轨道发生极化.轨道极化使分子电偶极矩增加了约-0.136 e(A).金属钡在Ru(0001)表面氮分子活化过程中具备电子型助催剂的特征.     

Ru(0001)表面氮分子和钡原子的相互作用

本文采用密度泛函理论方法研究了Ru(0001)表面氮分子和钡原子的相互作用。计算结果表明,钡原子的作用弱化了氮分子键。氮分子键长从Ru(001)-N2表面的0.113 nm伸长至Ru(001)-N2/Ba表面的0.120 nm;分子的拉伸振动频率从2221 cm-1减小到1746 cm-1;氮分子得到的电荷数从清洁表面的0.3 e增加到1.1 e。电荷从钡原子6s轨道向钌原子4d轨道转移,转移电荷增强了氮分子 空轨道和钌原子4d轨道间的杂化作用,导致 分子轨道和 杂化轨道发生极化。轨道极化使分子电偶极矩增加了约-0.136 eÅ。金属钡在Ru(0001)表面氮分子活化过程中具备电子型助催剂的特征。     

K/GaAs(100)表面的氮化

K吸附层的存在能促进GaAs(100)表面在室温下的氮化.光电发射测量为此提供了证据.在将K/GaAs(100)暴露于纯氮以后,价带和芯能级谱均会出现显著变化：功函数有一定程度回升,价带谱中显露N2p峰,Ga2p和As2p芯能级谱中产生化学位移分量.就所研究的三种不同的K覆盖度(1/4,1/2和1ML)而言,1ML的那种显示了最强的促进作用.关键词：     

酞菁铜与MoS_2(0001)范德瓦耳斯异质结研究

利用光电子能谱、原子力显微镜以及低能电子衍射等表面研究手段系统研究了真空沉积生长的酞菁铜薄膜与衬底MoS2(0001)之间的范德瓦耳斯异质结界面电子结构和几何结构.角分辨光电子能谱清楚地再现了MoS2(0001)衬底在Γ点附近的能带结构.低能电子衍射结果表明,CuPc薄膜在MoS2(0001)表面沿着衬底表面[11ˉ20],[1ˉ210]和[ˉ2110]三个晶向有序生长,反映了衬底对CuPc的影响.原子力显微镜结果表明,CuPc在MoS2衬底上遵循层状-岛状生长模式:在低生长厚度下(单层薄膜厚度约为0.3 nm),CuPc分子平面平行于MoS2表面上形成均匀连续的薄膜;在较高的沉积厚度下,CuPc沿衬底晶向形成棒状晶粒,表现出明显的各向异性.光电子能谱显示界面偶极层为0.07 eV,而且能谱在膜厚1.2 nm饱和,揭示了酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结的能级结构.     

基于量子阱结构的混合型白光有机发光器件

以荧光材料BePP₂结合量子阱作为蓝光发射层,磷光材料GIrl和R-4B掺入到混合双极性主体材料CBP:Bphen中分别作为绿、红发光层并且在红绿发光层中引入间隔层TPBI,组合得到发白光的混合型有机发光器件。其中量子阱是以BePP₂作为势阱、TCTA为势垒。结果表明:当势垒层数为2时,器件的最大发光亮度和电流效率分别为21682.5cd/m²和23.73cd/A;当电压从7V增加到14V时,色坐标从(0.345,0.350)变化到(0.340,0.342)。与无量子阱结构的参考器件相比,势垒层数为2的器件的最大功率效率为8.07lm/W,色坐标变化相对最小为±(0.005,0.008),还有一个高的显色指数83。

     

Effects of delocalised π-electrons around the linear acenes ring (n = 1 to 7): an electronic properties through DFT and quantum chemical descriptors

Π-electrons in chemical structure are the unique part of the fundamental particles that modify many interesting properties among the organic semiconductor molecules. By comparing the ground state energy, electronic properties and chemical indices within RHF/6-311G, B3LYP/6-311(G), B3LYP/6-311G(d,p), MP2/6-311G* and Cam-B3LYP/aug-cc-pvdz basis set at level of the theory, we identify that the resonance and the inductive effect of the delocalisation of electrons around the acene molecules could be responsible for acenes electronic and chemical properties. The total energies, energy gaps, HOMO (highest occupied molecular orbital) and LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) energy gaps, electron affinity and ionisation potential are close to the experimental and theoretical results. Among the chemical indices, electrophilicity (ω), electronegativity (χ) and chemical hardness (η) observed to decrease as the acenes ring increasing, whereas the softness (S) and chemical potential (μ) increase with increasing the number of carbons around the acene molecules. The study is extended to electronics and chemical properties of the acene.     

超薄发光层结构的荧光型白光有机发光器件

使用蓝、绿、红超薄发光层结构来制备荧光型非掺杂白光器件,其器件结构为ITO/MoO₃(5nm)/TCTA(40nm)/C545T(1nm)/TCTA(2nm)/BePP₂(1nm)/Bphen(2nm)/DCJTB(1nm)/Bphen(30nm)/LiF(1nm)/Al(1000nm)。白光器件的最大发光亮度和电流效率分别为16154.73cd/m²和11.58cd/A。在电压为7V时,器件的色坐标为(0.3222,0.3351),而且色坐标在大的电压变化范围内的变化值仅为(0.0174,0.0029)。与掺杂结构的白光器件相比,超薄发光层结构的白光器件拥有高的电流效率和稳定的电致发光光谱,原因是超薄发光层结构的载流子捕获效应能使激子有效限制在复合区域内。

     

ab initio Study of Electronic Structure and Magnetic Properties of a Novel Two-Dimensional Copper(II)-Radical Complex [Cu(NTTmPy)2(N3)2]n

The full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW)method with the generalized gradient approximations (GGA) is applied tostudy the compound [Cu(NTTmPy)₂(N₃)₂]_n(NITmPy=2-(3'-Pyridy1)-4, 4, 5,5-tetramethylimidazolin-1-oxy1-3-oxide).The total density of states (DOS) and the partial density of states(pDOS) are calculated to explain the electronic and the magneticproperties of [Cu(NTTmPy)₂(N₃)₂]_n. It is found that[Cu(NTTmPy)₂(N₃)₂]_n is stable in the ferromagnetic state andthe magnetic moment of the molecule mainly comes from the Cu atoms(0.518 μ_B) with partial contributionfrom N, O atoms of nitronyl nitroxide radicals. There exist orbitalhybridization between 3d orbital of Cu and p orbitals of N(1)(from pyridyl rings of the NITmPy ligands) and N(4) (from azido group)and the weak direct exchange interactions between Cu and O atoms ofnitronyl nitroxides. In addition, the bridging carbon atom (C(6)) carriesa significant negative spin density (-0.019μ_B).The sign alternation of the magnetic moment alongthe pyridyl ring is obtained, which agrees withexperiments.     

CH3CSNH2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响

通过实验对比,研究了CH₃CSNH₂钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响.发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象,削弱了As与铁磁金属的反应,形成了较窄的反应层,并且改善了界面磁性.初步探讨了S钝化影响As扩散的原因.关键词：S钝化半导体界面电子结构磁性     

CH_3CSNH_2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响

通过实验对比 ,研究了CH3CSNH2 钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响 .发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境 ,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象 ,削弱了As与铁磁金属的反应 ,形成了较窄的反应层 ,并且改善了界面磁性 .初步探讨了S钝化影响As扩散的原因 .     

Band structure and optical properties of antimony-sulfobromide: density functional calculation

The electronic structure, linear, and non-linear optical properties of ferroelectric-semiconductor SbSBr are investigated in the non-polar (paraelectric) and polar (ferroelectric) phase, using the density functional methods in the generalized gradient approximation. The electronic band structure obtained shows that SbSBr has an indirect forbidden gap of 2.16 and 2.21 eV in the paraelectric and ferroelectric phase, respectively. The linear photon-energy dependent dielectric functions and some optical functions, such as absorption and extinction coefficients, refractive index, energy-loss function, reflectivity, and optical conductivity in both phases and photon-energy dependent second-order susceptibilities in the ferroelectric phase are calculated. Moreover, some important optical parameters, such as the effective number of valence electrons and the effective optical dielectric constant, are calculated in both phases.