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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
树华 《物理》2007,36(11):852-852
美国和丹麦的科学家公布了研制光学晶体管的计划.众所周知,光子极少彼此发生相互作用.通常情况下,使用一束光中的光子来控制另一光束是非常困难的.物理学家相信,使光子相互作用的方法是将光子压缩到微小的空间,如像量子点或光学阱中的单个原子那样.压缩光子可以增强它们的电磁场,从而增加它们相互作用的机会.  相似文献   

2.
引言自从1948年第一个晶体管出现以后,它就引起了人们广泛的注意,使它得到了极为迅速的发展.假如与电子管的发展速度相比,晶体管的发展速度是非常惊人的.图1表示电子管和晶体管的年产量增加情况.不仅在数量上,就是在品种及性能的提高方面,晶体管的发展速度也是非常快的.  相似文献   

3.
简易晶体管测试仪赵维凡(黑龙江省佳木斯农业学校)检测晶体三极管的好坏,估测三极管放大倍数高低的方法比较多。使用有测β档的万用表是一种常用的简易方法,而且可以定量测试。这种方法的优点是较准确,实用于分组实验,但用于课堂演示效果不佳。我制作的两种定性检测...  相似文献   

4.
单电子晶体管   总被引:6,自引:0,他引:6  
卢嘉 《物理》1998,27(3):137-140
由电子束纳米微刻技术制成的单电子晶体管呈现了新的物理现象:单电子隧穿效应和电荷宇称效应.这些发现为创造新型的电子器件开辟了光明前景,包括可以用比最基本电荷e还小的电荷量来调制电流,处理以单电子为单位的电脑数字信息,并且也可发展成高度灵敏的微波探测器.  相似文献   

5.
塑料晶体管的结构类似于传统的硅晶体管的三明治结构,在衬底和栅格之上是绝缘层和塑料半导体层。IBM沃森研究中心的研究人员用钛酸锆氧钡取代原有塑料晶体管中的二氧化  相似文献   

6.
郭宝增 《物理》1993,22(11):657-663
介绍了单电子晶体管是一种每当在栅压作用下在沟道内加进一个电子,晶体管就可以导通和截止一次的奇妙的器件。阐述了单电子晶体管的发现过程,工作原理以及它的一些可能的应用。  相似文献   

7.
《物理》2012,41(07):461-461
  相似文献   

8.
职业学校要以提高学生综合素质为目标,以专业需求为依据来构建物理教学的新框架,充分发挥物理课为专业课服务的职能.高职生易接受直观事物,对实验感兴趣,动手能力较强.因此,将晶体二、三极管教学内容设计成不上理论课直接用实验去探究,课堂上学生主动性、积极性高,能独立完成学习目标,增强了学生的实践能力、创新能力、学习能力.  相似文献   

9.
戴闻 《物理》2012,41(7):461
我们所使用的每一台电脑,至少包含有数十亿只(由半导体硅制成的)晶体管.它们在计算机中接受软件的指挥,或开启或关闭,共同协调完成一部部电子表演的音乐舞蹈.过去的几十年,半导体科技人员的努力已经将硅晶体管的尺寸从几十微米减少到20—30nm,令世人享受到计算机的小型化以及功能的多样化.然而,硅晶体管尺寸的进一步缩小遭遇到挑战.近十年来,人们把硅晶体管的替代物设定为由碳纳米管制成的晶体管,然而研制碳纳米管晶体管的工作成效甚微.  相似文献   

10.
单电子晶体管通断图及其分析   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
吴凡  王太宏 《物理学报》2002,51(12):2829-2835
通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系,从而给出了它的通断图.并且发现单电子晶体管的对外特性主要由其对外的总电容决定;而单电子岛两个隧道结电容的不同主要反映在通断图上由隧道结电容所决定的晶体管阻塞、导通边界线上,这两条边界线同时也与外电路有关 关键词: 单电子晶体管 库仑阻塞 隧穿  相似文献   

11.
成众志  李锦林 《物理学报》1959,15(9):475-506
本文研究面结合型晶体管共发射极线路的小讯号h参数与自然等效线路中元件的关系。根据两种合金管(2N104及Ⅱ-6晶体管)h参数的实验结果求出h参数与自然等效线路元件随频率及随直流运用状态(直流发射极电流及直流集电极电压)的相互关系。对实验结果与根据晶体管物理构造分析计算的结果进行了比较。对开路反向电压放大系数μbc的现象给予详细分析,并求出μbc与开路输出导纳h22的相互关系。两套晶体管的h参数及自然等效线路的完整资料可供晶体管器件设计及线路研究者的使用。  相似文献   

12.
钱敏  潘涛  刘曾荣 《物理学报》1987,36(2):149-156
本文从理论上分析了Josephson结的I-V曲线的混沌、台阶和滞后等一系列现象,并给出了描述上述现象的解析关系式,所得结果与实验结果比较符合。 关键词:  相似文献   

13.
半导体PN结具有的单向导电性,是制造半导体器件的基础,使电子信息技术得以高速发展.我们用数学思想方法分析和解释半导体PN结中电流的运动规律,探讨了一个新的分析方法和教学思路.  相似文献   

14.
方励之  李铁城 《物理学报》1964,20(12):1199-1209
本文计算了三能级(E3>E2>E1)量子变频器输出的相干部分与非相干部分的线型。分别对光频波之间、光频波与微波间以及微波间的变频作了讨论。三能级量子变频器有两类工作方式。在方式Ⅰ中,泵频率~1/?(E2—E1),输入讯号频率~1/?(E3—E2),输出讯号频率~1/?(E3—E1)。在方式Ⅱ中,泵频率~1/?(E3—E2),输入讯号频率~1/?(E2—E1),输出讯号频率~1/?(E3—E1)。本文计算表明对于光频波段的变频,工作方式Ⅱ是比较优越的。  相似文献   

15.
崔廷军  邹艳  刘录发 《物理与工程》2007,17(1):31-33,40
运用半导体的PN结扩散电流与电压关系特性,精确地测量了玻尔兹曼常数.实验选取了两种不同的温度环境,应用Origin6.0绘图软件进行了实验数据分析和处理,并对测量结果进行了比较.该实验对弱电流间接测量的方法对其他相关的实验有很好的借鉴作用.  相似文献   

16.
杨楚良 《物理学报》1966,22(8):886-904
本文讨论功率晶体管设计中设计发射极时所需考虑的两个问题。一个是在给定的注入条件下如何保证足够大的电流放大;另一个是如何提高发射极发射电流的有效面积。文中着重分析在各种注入条件下发射结面上发射极电流密度的分布,亦即所谓基区电阻自偏压截止效应,最后给出主要结论。  相似文献   

17.
在铝酸镧衬底上研制了高温超导台阶结.采用金属转移剥离技术及离子铣技术在铝酸镧衬底上刻蚀出坡度角大于70°陡直台阶.结的特性与SNS结类似.9.5GHz的微波辐照下出现Shapi ro台阶.观察到结的高频响应有一温度窗口.  相似文献   

18.
基于XGM的SOA波长变换器噪音特性分析及优化设计   总被引:1,自引:1,他引:1  
迟楠  徐林  陈树强  管克俭 《光子学报》2000,29(4):317-321
利用动态载流子恢复时间可以精确模拟基于交叉增益调制的SOA全光波长变换器的饱和增益效应,本文将SOA分段ASE噪音功率和分段动态模型结合,得到沿长度分布的ASE噪音功率,并讨论了偏置电流、泵浦光和探测光的波长、功率、SOA长度对消光比和信噪比的影响理论计算结果表明,大的偏置电流有利于提高消光比和信噪比;对于一定的输入波长,相对较大的泵浦光和相对较小的探测光变换效果好;SOA的长度存在最佳值.  相似文献   

19.
忻贤杰 《物理学报》1976,25(1):10-22
本文研究了施密特电路的开关过程。推导出了开关过程的具体解析表达式。根据这个表达式对两种常见的晶体管施密特电路进行了数值计算。最后用实验方法验证了计算结果。实验结果与计算值总的来说相当吻合。从这个研究中得到了挑选晶体管和电路的一些原则。计算结果可以作为设计施密特电路时估计开关速度的一个依据。  相似文献   

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