退压式La_3Ga_5SiO_(14)晶体电光调QNd∶YAG激光器激光性能研究

通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin 2ω-Ccos 2ω)2。利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm×25 mm电光Q开关在1064 nm波长使用时的开关电压和偏振角分别为4995 V和27.3°。将理论研究得到的结论应用于LGS晶体电光调Q的Nd∶YAG晶体激光器的实验研究中,实验结果与理论计算结果基本一致。得到输出能量为361 mJ,脉冲宽度为7.8 ns的脉冲激光输出。     

La3Ga5SiO14电光调Q的Nd:LiYF激光器研究

报道了以Nd：LiYF(Nd：LYF)为增益介质、用硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体进行电光调Q的非稳腔调Q激光器的脉冲特性。Nd：LiYF的两端按σ偏振1、053μm光的布儒斯特角切割,不需另加起偏镜．实现了单一偏振光振荡。LGS晶体电光Q开关插入损耗小(2％),抗光伤阈值高(950MW／cm^2),与DKDP相比,具有不潮解等优点。当抽运能量为120J、重复率3Hz时,单脉冲输出能量为275mJ,脉冲宽度为8ns．动静比为76％．输出能量不稳定度小于3％,偏振度大于99％,光束发散角为0．7mrad。文中还对本激光器偏振特性、非稳腔设计、LiYF导热性能和热透镜效应补偿进行了分析．对LGS电光调Q开关工作性能、工作方式以及存在的问题也进行了分析。     

旋光性与电光效应交互作用及其对旋光晶体电光Q开关的影响

研究了晶体的旋光性与电光效应的交互作用、以及此交互作用对 旋光晶体电光Q开关的影响. 关键词： 旋光性 电光效应 电光Q开关 3Ga₅SiO₁₄晶体')" href="#">La₃Ga₅SiO₁₄晶体     

旋光晶体在偏光干涉实验中电光效应的研究

研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应，给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I—Ao^2cos^2[β-（π/λ）（n1-nr)l]，以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I—Ao^2cos^2[β-（π/λ）（n1-nr)l (π/λ）（n2-n1)l]。根据这些表达式给出的关系，将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14制作成了电光Q开关，像那些用无旋光性晶体制作的Q开关一样工作良好。在中等功率输出的激光器中，La3Ga5SiO14晶体电光Q开关有可能取代氘化磷酸二氢钾(DKDP)晶体电光Q开关。     

La_3Ga_5SiO_(14)电光调Q的Nd∶LiYF激光器研究

报道了以Nd∶LiYF(Nd∶LYF)为增益介质、用硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体进行电光调Q的非稳腔调Q激光器的脉冲特性。Nd∶LiYF的两端按σ偏振1.053μm光的布儒斯特角切割,不需另加起偏镜,实现了单一偏振光振荡。LGS晶体电光Q开关插入损耗小(2%),抗光伤阈值高(950MW/cm2),与DKDP相比,具有不潮解等优点。当抽运能量为120J、重复率3Hz时,单脉冲输出能量为275mJ,脉冲宽度为8ns,动静比为76%,输出能量不稳定度小于3%,偏振度大于99%,光束发散角为0.7mrad。文中还对本激光器偏振特性、非稳腔设计、LiYF导热性能和热透镜效应补偿进行了分析,对LGS电光调Q开关工作性能、工作方式以及存在的问题也进行了分析。     

铬、钕双掺钆镓石榴石(Cr4+,Nd3+):Gd3 Ga5 O12激光晶体光学性能的研究

用提拉法生长了掺铬、钕的钆镓石榴石(Cr^4 ,Nd^3 ：GGG)自调Q激光品体。报道了室温下的吸收光谱和荧光光谱特性。分析了Cr离子浓度对光谱性质的影响。比较了Cr^4 ：GGG,Nd^3 ：GGG和(Cr^4 ,Nd^3 )：GGG晶体吸收光谱的关系。测量了(Cr^4 ,Nd^3 )：GGG晶体和Nd^3 ：GGG晶体的荧光寿命,它们分别是33μs和250μs。实验表明,(Cr^4 ,Nd^3 )：GGG晶体是一种非常有潜力的自调Q激光晶体,可以实现大功率激光器的小型化和全固态化。     

La_3Ga_5SiO_(14)声光可调谐滤波器设计

分析了La3Ga5SiO14(简称LGS)既可以做成同向声光可调谐滤波器,又可以做成大孔径非同向声光可调谐滤波器。推导出超声波频率f和光波波长λo的调谐关系;计算出滤波器的光谱分辨率R和集光能力δiθ;光入射角iθ与衍射角θd、声入射角θa之间的关系。为LGS声光可调滤波器的实用化设计提供了充分可靠的理论依据。把LGS与TeO2声光可调滤波器的光谱分辨率和集光能力做了比较,认为LGS设计成同向声光可调谐滤波器既简便又实用。     

Eu3+:Y2SiO5晶体透射光谱和荧光谱研究

在室温条件下,对Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的透射光谱和４５７．９ｎｍＡｒ＾＋激光激发荧光谱进行测量和研究。这些光谱表明,Ｅｕ＾３＋离子在Ｙ２ＳｉＯ５晶体中占据两种最低对称性Ｃ１格位。利用透射光谱和荧光谱对Ｅｕ＾３＋离子的最低激发态＾５Ｄ０的两种格位光谱进行了成功分离。实验发现,在＾５Ｄ０态两种格位谱的谱宽只有０．１ｎｍ左右,其峰间隔约为０．１８ｎｍ。另外,文中还测量了Ｅｕ＾３＋离子的基态＾７ＦＪ     

Direct growth of graphene film on piezoelectric La3Ga5.5Ta0.5O14 crystal

For the first time, a few layer graphene was grown on the surface of the polar X ‐cut (110) of a piezoelectric La₃Ga_5.5Ta_0.5O₁₄ crystal by the CVD method. This polar X ‐cut is characterized by a good matching of the crystal lattice parameters of La₃Ga_5.5Ta_0.5O₁₄ and two‐dimensional graphene crystal, as well as the presence of piezoelectric fields on the surface of the substrate, which could affect the graphene growth process. Raman spectroscopy investigation has shown the ability for direct growth of graphene on the piezoelectric crystal. The NEXAFS spectroscopy studies of the film grown on the surface of the X ‐cut of an La₃Ga5_.5Ta_0.5O₁₄ crystal also confirmed that the grown film is graphene. Moreover, the NEXAFS spectra enable the conclusion that additional electron states are formed as a result of chemical bonding between the atoms of graphene and the substrate which proceeds through hybridization of the valence electron states of the substrate and graphene atoms. (© 2016 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)     

调QNd∶YAG环形腔外腔倍频技术研究

用磷酸氧钛钾 (KTP)作为倍频晶体 ,对Nd∶YAG声光调Q激光的环形腔外腔倍频技术进行了实验和理论的研究 ,利用最大平均功率 5 0W、声光调Q、输出频率 10 0 5Hz、灯抽运Nd∶YAG激光器做为基频光光源 ,在基频输入功率 35W时 ,获得了大约为 31.4 %的光光转换效率的绿光输出。从实验结果分析了环形腔倍频的特性 ,指出了该方法的优缺点。从光束质量和聚焦光斑直径方面 ,对基频光和二次谐波进行了比较 ,提供了利用CCD测得光斑的部分图片 ,分析了环形腔倍频的工作原理 ,解决了困扰倍频技术的转换效率问题和光束质量问题     

Low-temperature elastic constants and piezoelectric coefficients of langasite (La3Ga5SiO14)

A complete set of elastic constants C _ij and piezoelectric coefficients e _ij of a La₃Ga₅SiO₁₄ (langasite) single crystal was determined from 5.5 to 275.5?K by resonant ultrasound spectroscopy. Unlike a conventional crystal, the elastic constants C _ij of the langasite crystal showed three types of temperature dependence: (i) monotonic elastic stiffening upon cooling (C ₄₄ and C ₁₄); (ii) monotonic elastic softening (C ₆₆); and (iii) a stiffening-to-softening transition below 150?K (C ₁₁, C ₁₂, C ₁₃ and C ₃₃). In addition, a strong correlation between C ₆₆ and the piezoelectric coefficient e ₁₁ was confirmed. Group theoretical lattice dynamics analysis revealed that the novel phenomena of elastic softening and strong correlation are explained on the basis of two types of optical mode internal displacements which have the totally symmetric A ₁ and doubly degenerated E symmetries in the point group D ₃.     

Ca3SiO5:Eu2+材料光谱特性研究

采用溶胶一凝胶法制备了Ca3SiO5:Eu2+发光材料.测量了材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一峰值位于505 nm处的不对称的宽带谱;监测505nm发射峰,所得材料的激发光谱为一双峰宽谱,峰值为374和397nm,研究了合成条件对Ca3SiO5:Eu2+材料发射光谱的影响,结果显示,随合成温度或合成时间或Eu2+浓度的增大,Ca3 siO5:Eu2+材料发射光谱峰值强度均表现出先增大后减小的趋势,当合成温度为1100℃、合成时间为4 h、Eu2+浓度为0.5 mol%时,Ca3SiO5:Eu2+材料发射光谱峰值强度最大.