非平衡定态相图在含氮体系低压金刚石沉积中的应用

０前言最近几年低压金刚石制备研究中,出现了一类以含氮气相混合物为原料的制备方法,正逐渐被人们所重视：少量氮原子的存在（甚至是ｐｐｍ级）可以显著提高金刚石薄膜的淀积速率,改善薄膜质量［１,７］。本文报道根据非平衡热力学耦合理论［１０］,首次计算得到了含...     

自组装成膜技术制备TiO2薄膜的XPS研究

采用自组装成膜技术制备里TiO2薄膜,应用X射线光电子能谱研究自组装膜及其氧化膜和淀积的TiO2薄膜，结果表明，硅烷偶联剂成功地组装在玻璃基片上，足够长时间的氧化对使端基（-SH）完全氧化为磺酸基，淀积在基片上的TiO2膜牢固性好，平均膜厚在10nm．淀积膜中的钛可能有几种不同的氧化态，不同的酸度影响TiO2的淀积效果     

纳米半导体及其应用

纳米半导体硅薄膜是利用等离子增强化学气相淀积方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元组成；纳米尺度晶粒级元和晶粒间的界面组元，即晶态相和晶界相组成，这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。     

氧化物超导材料的制备方法

本文系统地介绍了氧化物超导材料的制备方法及其进展。评论了固相反应法、熔融淬火法、共沉淀法、溶胶-凝胶法、共分解法、化学喷雾淀积法、吸附法、物理气相淀积法、化学气相淀积法等方法的优点、存在的问题、应用范围(片材、纤维、薄膜)及其应用前景。     

氯参与的化学气相淀积金刚石的热力学分析

用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在CHCl体系中的生长,计算所得CHCl体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好.通过热力学分析讨论了氯的添加对提高金刚石薄膜生长速率及其质量的影响以及降低淀积温度的作用.     

氯参与的化学气相沉积金刚石的热力学分析

用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在Ｃ－Ｈ－Ｃｌ体系中的生长,计算所得Ｃ－Ｈ－Ｃｌ体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好,通过热力学分析讨论了氯的添加对提高金刚石薄膜生长速率及其质量的影响以及降低淀积温度的作用。     

化学汽相淀积及其应用

大约80年前,人们就看到化学汽相淀积(CVD)工业化发展的前景,现在CVD已广泛用来制取各种薄膜或涂层,例如具有优良的电、光和磁学特性的薄膜,冶金、原子能和宇航用的高温耐腐蚀涂层,民用的有色超硬涂层等。用     

液相电化学沉积类金刚石薄膜的研究进展

采用电化学沉积法开展液相中类金刚石薄膜的制备工艺和理论的研究,对于完善类金刚石薄膜的合成技术,开拓类金刚石薄膜的应用领域,具有很重要的理论意义和实用价值。本文概述了液相电沉积技术的基本原理和方法,重点从四个方面介绍了电化学方法制备类金刚石薄膜的研究进展,总结了该方法所制备样品的性能,并对可能的反应机制作了综合性的阐述,最后对液相电沉积类金刚石薄膜的发展前景进行了展望。     

乙烯在N_2中的等离子体聚合

一、引言应用等离子体聚合方法以制备有机聚合物薄膜,在一些综合报道中已有所评介。一般说来,在等离子体中所形成的聚合物薄膜是高度交联和不溶的,而且在化学上也是极其惰性和稳定的。在辉光放电中使用清洗好的基片,通常可获得粘附于基片上性能优异的薄膜。 Yasuda等研究在等离子体中聚合物的淀积分布和某些有机化合物的等离子体聚合反应时,曾报道     

氮化镓生长系统中源区反应的热力学分析和实验研究

本文报道化学气相淀积法生长GaN薄膜材料的Ga-HCl-NH₃载气体系的源区反应热力学分析和实验研究结果.     

用甲烷制造金刚石的尝试

S.Matsumoto,Y.Sato,M.Tisutsumi 与 N.Setaka成功地在硅与钼上利用化学气相淀积法(CVD)由甲烷制出了金刚石。这几位近代“炼丹家”用的方法是,将甲烷与大量氢相混合,于低压下和热钨丝附近的基体(硅或钼)相接触,在基体上可淀积出大到5μm 的晶     

类金刚石碳薄膜对碳膜导电性能的影响

以聚酰亚胺薄膜为原料,经炭化形成碳膜;进而在碳膜表面制备了类金刚石碳(DLC)薄膜,研究了制备条件对碳膜导电性能的影响.采用扫描电镜分析了薄膜的表面形貌和微观结构;采用X射线衍射仪分析了薄膜的晶体结构.结果表明,DLC薄膜的电阻率随着沉积时间的延长先减小后增加;当沉积时间达到3 h时,相应DLC薄膜的电阻率达到最小值5.66×10-5Ω.m.     

金刚石薄膜电化学

金刚石由于其特殊的物理与化学性质,早在几百年前就吸引了人们对它的关注.化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法制备的高掺杂硼复合多晶金刚石薄膜,为金刚石薄膜在电化学中的应用开辟了新的领域.作为新型碳素电极材料,高掺杂硼复合多晶金刚石薄膜具有许多目前使用的电极材料所不可比拟的优异特性如:宽电化学势窗,低残留电流,极好的电化学稳定性以及表面不易被污染等.本文综述了高掺杂硼复合多晶金刚石薄膜电极在电化学中的几个重要应用,包括电分析、电合成及电化学法处理废水等.     

类金刚石薄膜修饰传感器在电化学中的应用

综述了类金刚石薄膜及其修饰的传感器特性以及制备工艺,介绍了类金刚石薄膜修饰的传感器在生物检测、电化学微重力测量、痕量金属检测、氢离子选择场效应晶体管和气体检测等领域的应用,并对类金刚石薄膜修饰传感器在电化学相关领域的应用进行了展望。     

类金刚石薄膜修饰的传感器在电化学中的应用

综述了类金刚石薄膜及其修饰的传感器特性以及制备工艺,介绍了类金刚石薄膜修饰的传感器在生物检测、电化学微重力测量、痕量金属检测、氢离子选择场效应晶体管和气体检测等领域的应用,并对类金刚石薄膜修饰传感器在电化学相关领域的应用进行了展望。     

化学气相淀积法合成氮化铝薄膜及其工艺设计

对ＡｌＢｒ３－ＮＨ３－Ｎ２体系化学气相淀积法合成Ａ１Ｎ膜进行了热力学分析和工艺设计，研究了在不同淀积温度和体系总压时，体系中主要气态物种的平衡分压和Ａ１Ｎ膜的理论淀积速率与源温和载气流量的关系，并与微波等离子体化学气相淀积Ａ１Ｎ膜的实验结果进行了比较。     

TiO2陶瓷顶层膜的化学气相淀积生长研究

以ＴｉＣｌ和Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源物质采用热化学气相淀只（ＣＶＤ）法及射频ＰＣＶＤ法在多孔α－Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上淀积生长ＴｉＯ２薄膜，观测ＴｉＯ２膜的生长方式、生长速率以及结构和表面形貌等，讨论其生长机制，评价ＣＶＤ改性生长的顶怪ＴｉＯ２陶瓷膜的气体渗透性。     

n型金刚石薄膜催化生长碳纳米管

研究了n型金刚石薄膜作为催化剂生长碳纳米管的方法.首先采用丙酮裂解化学气相沉积(CVD)法制备均匀的n型金刚石薄膜,然后采用乙醇为碳源的CVD法,在850、900和950℃下,分别在n型金刚石薄膜上制备了碳球、竹节状碳管和多壁碳纳米管.所得产物用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和X射线光电子能谱表征.实验结果表明产物的形貌与反应温度有关.我们还提出了与金刚石催化生长碳纳米管结果相符的实验机理.     

碳薄膜电极材料在电分析化学中的应用

由于具有一系列的优点,碳材料被广泛地应用于电分析化学。新型碳电极材料的开发及其性质研究对电分析化学的发展起着重要的推动作用。最近文献报道了一些制备新型碳薄膜电极材料的方法,因为制备方法不同,这些碳薄膜材料的电化学性质如电位窗、稳定性、导电性也显著不同。人们对电位窗宽、背景电流低、稳定性高、表面不易被电极产物钝化的碳薄膜电极材料的研究非常活跃。本文综述了采用不同方法制备的一些碳薄膜电极材料如硼掺杂的金刚石薄膜、无定形碳和纳米晶体碳薄膜材料等在电分析化学中应用。     

脉冲电弧放电电离甲醇溶液制备碳膜的研究

利用脉冲电弧放电电离甲醇溶液在常压下研究了含金刚石成分的碳膜的制备。用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、激光Raman光谱和X射线衍射(XRD)研究了在确定的基片温度下甲醇浓度以及放电电压等沉积条件对薄膜的形貌和金刚石的合成的影响。研究结果表明：在放电电压低于2kV时，薄膜主要由无序石墨和无定形碳组成。提高放电电压有助于金刚石的合成，在高的放电电压下，降低甲醇溶液浓度有利于提高碳膜中金刚石成分的含量。