微分电位溶出分析法应用于金膜电极的研究

本文介绍将微分电位溶出分析法应用于金膜电极,建立了相应的理论体系和应用条件。可使用的金膜厚度在1.8×10~(-7)～4.3×10~(-7)cm范围。检测限较原法降低近两个数量极。用本法测定花生乳中的铜,回收率在94～102%间。     

金膜电极—微分电位溶出法测定谷物中的微量砷

研究用金膜电极－微分电位溶出法测定谷物中的微量砷,讨论了测定的最佳条件。     

低信膜比条件下金膜电极电位溶出分析法研究

推导并验证了信号与金膜厚度的比值较小（即低信膜比）时金膜电极电位溶出分析法的过渡时间方程式和电位时间方程式。实验确定的理论式的应用条件为τ／ｌ２≤５８×１０１０ｓ／ｃｍ２，并发现当扩散路径约为扩散层厚度的３倍时，便可按半无限扩散条件处理扩散问题。从而解决了利用小信号进行金膜电极电位溶出基本问题，即信号与浓度的定量关系。     

铋膜电极微分电位溶出法测定生物材料中痕量铅

研究了镀铋膜电极替代镀汞膜电极痕量铅的微分电位溶出分析法(DPSA)。考察并优化了同位镀铋膜测定铅的条件。结果表明,在HAc-NaAc(pH=4.4)介质中,铅可在镀铋膜电极上得到灵敏的微分电位溶出峰;利用标准加入法对人尿及血中痕量铅进行了测定。本法避免了镀汞膜电极对人体健康及环境的危害。     

平面汞膜电极二阶倒导数电位溶出分析法研究

对电位溶出的Ｅ－ｔ曲线进行二阶倒导数处理，提高了二阶倒导数电位溶出分析法理论，其信号较一阶倒导数法增强约４３．１ｎ倍，分辨率由原来的６５．５ｍＶ／ｎ改善到４８．２ｍＶ／ｎ。用根据二阶倒导数法原理自行设计研制的多阶倒导数电位出仪验证了本提出了的理论，富集１２０ｓ，Ｃｄ＾２＋的检测限可达１．０×１０＾－１０ｍｏｌ／Ｌ。     

超微盘电极上电位溶出分析法理论

本文提出了超微盘电极上电位溶出分析法理论,内容包括:过渡时间(τ)方程式、电位(E)-时间(t)曲线方程式及微分电位溶出分析法dt/dE-E曲线方程式,并对该曲线的性质进行了论述。     

铅在铂电极上的还原电位溶出分析法

研究了以亚铁氰化钾为还原剂铅在铂电极上的还原电位溶出法；讨论了电极的预处理、阳极富集和随后的还原电位溶出及铅测定的干扰。     

铋膜电极电位溶出法测定痕量铅、镉、锌

研究了用铋膜电极替代汞膜电极测定痕量重金属元素铅、镉和锌的电位溶出法。实验了同位镀铋膜及测定重金属特别是痕量铅的条件。实验结果表明：铅、镉、锌在铋膜电极上可得到灵敏的电位溶出峰，峰高和溶出电位与汞膜电极法相近，使用铋膜电极可避免使用汞电极带来的环境污染。利用铋膜电极电位溶出法测定了水样及血样中痕量铅的含量。     

铋膜电极微分电位溶出法测定环境样品中生物可利用镉

建立了环境样品中生物可利用镉的镀铋膜电极微分电位溶出分析法（DPSA）,考察了同位镀铋膜测定镉的条件。结果表明在HAc—NaAc介质中镉可在镀铋膜电极上得到灵敏的微分电位溶出峰（V=-0．84V）,最低检出质量浓度为0．6μg／L,结合3步连续萃取,利用标准加入法对环境样品中的生物可利用镉进行测定,相对标准偏差2．3％～4.1％,加标回收率97％～104％。     

Nafion化学修饰电极电位溶出法测定痕量Bi（Ⅲ）的研究

本文提出了Nafion化学修饰电极电位溶出测定Bi~(3 )的方法,制作的电极重现性和选择性均好,灵敏度高。研究了电极的行为并用于测定水体中的痕量Bi~(3 )。相对标准偏差为2.9%,检出限为5.0×10~(10)mol/L。     

Nafion修饰金膜玻碳电极溶出伏安法测定痕量Se（Ⅳ）的研究

提出了Ｎａｆｉｏｎ修饰膜玻碳电极测定痕量硒的新方法。在０．１ｍｏｌ．Ｌ＾－１硫酸和０．０１．Ｌ＾－１硝酸钠的介质中，Ｓｅ（Ⅳ）浓度在５．０＊１０＾－１０－２．５＊１０＾－８ｍｏｌ．Ｌ＾－１范围与二次导数峰电流呈良好线性关系，测定下限为５．０＊１０＾－１０ｍｏｌ．Ｌ＾－１。