准分子激光光刻的发展状况

本文综述了准分子激光光刻的发展,着重讨论准分子激光光刻的优点及其在提高分辨率方面的进展,并讨论了今后的动向。     

用准分子激光光刻的下一代集成电路

30多年来，汞弧光一直是制造集成电路的主要光刻光源。由于某些原因，这种灯对制造下一代半导体芯片并不是最佳的。下一代半导体芯片要求的特征尺寸小于0．25μm。汞弧光发射的光谱很宽，降低了分辨率和限制了关键特征的效果。由于汞孤灯发射的光只有少部分在深紫外、并只有少量深紫外光输到晶片表面，因此需要较长曝光时间，降低了产量。另外，新折射工具上透镜数值孔径（NA）很大，使焦深受到限制，减小了汞孤灯所极供的允许带宽。目前，半导体制造正在配合下一代器件的生产。以汞孤灯为基础的光刻机已开始认真地转向以准分子激光为基础…     

ArF准分子激光光刻的研究现状

193nmArF准分子激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点。作者从193nm激光光刻的光学系统设计、光学材料、光源、光致抗蚀剂及器件应用等方面综述了深紫外激光光学光刻技术的近期发展及应用。     

准分子激光刻蚀光纤布拉格光栅

准分子激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术，而近年来基于准分子紫外光源制作光纤布拉格光栅元件(FBG)的技术日益成为国内外的研究热点．本文简述了准分子激光光刻的研究现状和光纤布拉格光栅的应用，详细介绍了利用紫外激光制作FBG的技术和相应准分子激光光源关键技术的发展．     

Φ3英寸GaAs 0.5μm准分子激光光刻技术

详细叙述了准分子激光的工作原理和工艺特性，介绍了准分子激光光刻实验及Φ３英寸基片均匀性补偿试验的研制结果。     

KrF准分子激光移相光刻研究

本文针对无铬掩模方式，从计算机摸拟和实验两个方面，研究了ＫｒＦ准分子激光（λ＝２４８ｎｍ）接触式移相曝光。得到了０．１μｍ的正胶线条。得出了在接触式相干平行光照射下，移相器与基片间距对光刻线条宽窄有很大影响的结论，并通过将移相器直接做在基片上，给出了移相器紧贴基片的可靠方法。     

Φ3英寸GaAs0.5μm准分子激光光刻技术

详细叙述了准分子激光的工作原理和工艺特性，介绍了准分子激光光刻实验及Φ３英寸基片均匀性补偿试验的研制结果。     

准分子激光刻蚀光纤布拉格光栅

准分子激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,而近年来基于准分子紫外光源制作光纤布拉格光栅元件(FBG)的技术日益成为国内外的研究热点。本文简述了准分子激光光刻的研究现状和光纤布拉格光栅的应用,详细介绍了利用紫外激光制作FBG的技术和相应准分子激光光源关键技术的发展。     

窄线宽光纤激光器

为满足传感系统的需求,研制了1 550nm单频窄线宽光纤激光器,采用环形腔结构,利用976nm激光器作为泵浦源,高掺杂掺铒光纤作为增益介质,以低掺杂掺铒光纤作为饱和吸收体,得到稳定的窄线宽激光输出。泵浦功率为200mW时,得到输出功率为21mW,线宽为7.2kHz,波长稳定度为1.26pm,相对强度噪声≤-102dB/Hz1/2。     

高级紫外准分子激光器加工

高能准分子激光器对于激光微加工来说具有极佳的灵活性,因为实际上每种加工的材料都应该具有准确高分辨率的材料烧蚀特性,并且不需要后续处理。紫外激光器直接输出需要的上转换能级的紫外（UV）光子很容易达到几百瓦的功率输出,这对于制造加工的高生产力和大规模生产是很关键的。特别是大平项准分子激光的外形非常适合于两维和三维微加工的高效并行加工。还将介绍特别适合于材料烧蚀和表面活化的紧凑微加工概念。     

准分子激光心血管治疗机的研究

研制了一台准分子激光心血管治疗机（ＸｅＣｌ３０８ｎｍ），单脉冲能量：８０－２００ｍＪ，平均功率５Ｗ，重复频率：手动单次，１－１００Ｈｚ，单次充气工作寿命：＞１０６脉冲数，脉冲－脉冲的能量不稳定度３％，激光脉宽１５０ｎｓ，光斑发散角（半角）：１．８×０．６ｍｒａｄ，光纤耦合输出＞２０ｍＪ。     

Microcavity Laser Linewidth Close to Threshold

Microcavity laser linewidth behavior close to the threshold transition region is investigated through high-resolution linewidth measurements. A local maximum is found for the linewidth of lasers operating slightly above threshold. The increase in laser linewidth close to threshold is explained by the effective contribution of the linewidth enhancement factor ( $alpha $) to the laser linewidth. The Fokker–Planck model of laser noise is then solved using the eigenfunction expansion method to fit to the measured linewidth data. The behavior of the measured linewidth agrees with the model with an extracted linewidth enhancement factor ($alpha $ ) ranging between 3.5 and 5.0.      

窄线宽光纤激光器进展

窄线宽光纤激光器在光纤传感、激光倍频、光谱测量等领域有广泛应用。简单介绍了窄线宽光纤激光器的研究进展．详细阐述了窄线宽光纤激光器的各种腔形结构及线宽压缩机制，并对各种方法作了简要的对比。     

一体化小型XeCl准分子激光器

本文报导了一体化小型XeCl准分子激光器的结构与特性,激光器体积100×40×27cm~3,重量50kg,单脉冲能量160mJ。     

V型无反转激光的非绝热线宽

应用c数量子朗之万方法在激光场的低阶近似下讨论了强相干驱动场下V型三能级系统无反转激光的非绝热线宽,证明了在强驱动场下,不管激光腔是“好腔”还是“坏腔”,系统的非绝热效应消,了系统均可作绝热近似。     

基于相干包络解调的窄线宽测量算法研究

激光线宽对光学相干探测系统的探测范围、精度和噪声特性都有重要影响。为精确测量半导体激光器的线宽值,提出了通过解调短延时自外差的干涉谱来实现高精度窄激光线宽测量的新方法。搭建短延时的自外差干涉测量系统,得到半导体激光器的干涉谱,通过设计算法对干涉谱的相干包络进行解调,最终获得了严格的洛伦兹线型谱和相应的谱线宽度,通过理论分析、仿真和实验验证了该方法的可行性。该方法可以忽略因1/f频率噪声产生高斯展宽带来的影响,与传统线宽测量方法相比,该方法的测量结果更加精确。     

准分子激光对铜版纸打标的研究

用308nm波长的准分子激光对铜版印刷纸打标，获得了精细可见的标记．分析了该打标过程的作用机理，通过实验得出了打标的能量密度问值，优选了打标的条件．     

差频产生中红外光源的线宽分析

差频法具有无需复杂腔型调整、输出激光调谐范围宽、效率较高等综合优点,是获得3～5μm中红外激光光源的重要手段。推导了差频产生中红外激光的输出光波长、线宽以及功率的公式,重点讨论了输出激光线宽与抽运光波长和线宽、信号光线宽以及温度等因素的关系。结果表明,输出激光线宽主要由抽运光和信号光的线宽决定。