高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

RTD的器件模型和模拟——共振隧穿器件讲座(9)

阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介绍了基于物理参数I-V方程RTD模型和高斯函数、指数函数RTD直流模型;利用ATLAS器件模拟通用软件对RTD进行了器件模拟,得到了势垒和势阱宽度、E区掺杂浓度等对RTDI-V特性的影响;以包含RTD电路的SPICE电路模拟中的文字逻辑门为例,通过电路模拟验证了其逻辑功能,对设计该电路起到指导和参考作用。     

薄膜多层混合电路CAA中的器件模型和应用

概述了薄膜多层混合电路计算机辅助电路分析（ＣＡＡ）的原理和特点。以ＣＨ４０１３和ＣＨ４０４０为例，讨论了ＣＡＡ中的器件模型和应用。对结果进行了讨论。     

胆机和电子管的基础知识（四）——电路频率特性

无论在哪个音响电路中,电路的频率特性都是我们最关心的性能指标之一,它也是直接影响系统声音表现的最重要指标之一,电路性能的好坏,相当大程度可以从机器的频率特性上看出来,所以我们要详细了解对于传统的阻容耦合电路,有哪些因素影响到系统的频率特性,了解到这些,对于我们设计、制作和了解电路的特性有重要的帮助。     

一种基于耦合线和环形微带线的负群时延电路

负群时延电路(NGDC)在微波系统中有着广泛应用,文中提出了一种基于有损耦合线和环形微带线的负群时延电路。该电路由耦合线和微带传输线组成。基于射频领域中偶模-奇模分析方法,分析该电路的偶模和奇模的输入导纳,得到电路的S 参数。利用HFSS 电磁仿真软件对该负群时延电路结构做了优化设计,实物加工并测试。测试结果表明:在中心频率2.36 GHz 时,该电路的负群时延值约为-1.4 ns,插入损耗S21约为-3.9 dB,反射系数S11约为-9.5 dB,实测与仿真结果吻合。这种新颖的负群时延电路结构简单、信号损耗小、易于加工,可用于微波和无线通信等领域。     

一种新型二元判定图器件和电路

提出了一种基于二元判定图(BDD)原理的新型逻辑器件和电路.BDD器件以电流模式的开关电流存储器为基本单元,具有符合二元判定图的两向通路的特点.用这种器件按照BDD树形图可以构成任意形式的组合逻辑电路.给出了或门、异或门及四位加法器电路的例子,并使用HSPICE仿真器进行了仿真,验证了这种器件及其电路的正确性.     

一种新型二元判定图器件和电路

提出了一种基于二元判定图(BDD)原理的新型逻辑器件和电路．BDD器件以电流模式的开关电流存储器为基本单元，具有符合二元判定图的两向通路的特点．用这种器件按照BDD树形图可以构成任意形式的组合逻辑电路．给出了或门、异或门及四位加法器电路的例子，并使用HSPICE仿真器进行了仿真，验证了这种器件及其电路的正确性．     

0.8 μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究

研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺.经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路.其中,当工作电压为5 V时,基于浮体SOI CMOS技术的0.8μm 101级环振单级延时为49.5 ps;基于H型栅体引出SOI CMOS技术的0.8μm 101级环振单级延时为158 ps.同时,对PDSOI CMOS器件的特性,如浮体效应、背栅特性、反常亚阈值斜率、击穿特性和输出电导变化等进行了讨论.     

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展(续)

正4 GaN HEMT20世纪90年代中期GaN HEMT诞生。GaN是宽禁带材料,具有电子饱和速度高、击穿场强高、SiC衬底导热性好、抗辐照等特点,且在AlGaN/GaN界面上存在自极化和压电等新的物理效应,其二维电子气密度高达2×1013 cm-2,因此GaNHEMT在微波毫米波具有高功率密度的能力。进入21世纪后,优化了SiC衬底上GaN异质结外延材     

提高SOI器件和电路性能的研究

在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).     

用于家用电器、控制器和交流电源的协同式电路保护

用高分子聚合物正温度系数器件(PPTC)实现的过流、过热协同保护技术可以保护家用电器中的电动机,控制器和电子元件.PPTC器件的电阻小,尺寸与熔断器相同,在出现故障时,会限制危险的大电流流过.不过,在排除了故障并且切断电源之后,PPTC器件会恢复原来的低电阻状态,它所保护的设备仍能正常工作.     

TE电路保护部新型RTP器件在低温交流和直流设计中提供可回流焊的热保护

TE Connectivity旗下的业务部门TE电路保护部日前宣布：推出用于额定交流（AC）和额定直流（DC）的、具有一个140℃断开温度（TOPEN）的可回流焊热保护（R11P）器件。创新的RTP器件能够使用行业标准的元件贴装和无铅回流焊设备来快速而方便地实现安装,可确保制造商们通过由手工装配过渡到表面贴装器件（SMD）工艺,从而实现显著地降低费用。     

声音的导演——专访著名录音师、音乐人和制作人曾颂勤博士

在这个世界上,每个人都有自己的角色需要饰演。有人为了音乐而生,而曾颂勤就是这样的一个人。他从小就跟随教授英语的父亲上香港广播电台,学会了操作录音设备．13岁赴英国留学又正踏上模拟录音最鼎盛的时代：     

从PCIM展看功率器件的创新——Fairchild、Infineon和三菱电机展示新型功率器件

在3月中旬的“2008慕尼黑上海电子展“期间,功率半导体厂商在PCIM(功率转换与智能运动控制)展区济济一堂,展示了众多高能效解决方案。从采访Fairchild(飞兆)、Infineon(英飞凌)和三菱电机等公司可以看出,创新的技术推动了新产品的推出。     

深硅刻蚀实现3D集成封装——贯穿硅的通孔技术正被用于MEMS制造、功率器件和3D结构中。

Sematech在2004年提出，光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求，同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混合集成。目前，各大器件制造商和封装厂都在积极研发晶圆级封装技术，以满足未来器件小型化和更多功能的要求。