Ti:Mg:LiNbO3晶体的折射率和高效室温倍频

本文测量了Ti:Mg:LiNbo3晶体的折射率,给出了色散方程,演示了该晶体的高效室温倍频。在声光调制下,1.064μm到0.532μm激光辐射的倍频转换效率达50%。     

利用缓冲质子源制作LiNbO3光波导:光学特性及稳定性研究

利用缓冲质子源(苯甲酸中掺入一定量的苯甲酸锂)在Z切LiNbO3基底上制作了质子交换平面光波导，得到了不同掺杂摩尔分数(0．5％，1．0％和1．5％)的缓冲质子源质子交换波导的有效扩散系数及折射率分布。随着质子源中苯甲酸锂的摩尔含量逐渐增加，质子交换的有效扩散系数呈指数衰减，同时波导表面折射率增量线性递减。研究了有效折射率的稳定性特征，并与用纯苯甲酸制作的光波导进行了比较，发现利用缓冲质子源制作的LiNbO3光波导的稳定性明显优于纯苯甲酸制作的光波导。     

H:LiNbO3光波导

铌酸锂晶体具有良好的光声和电光性质，因而基于铌酸锂的集成光学器件已引起人们的广泛关注。质子交换法是一种制备铌酸锂光波导的重要方法。质子交换铌酸锂光波导具有制作工艺简单，折射率增量大，抗光折变能力强及可实现单偏振激励等特点。本文对质子交换铌酸锂光波导的制作工艺、波导特性及其应用进行了讨论，并指出目前应加强质子交换光波导、质子交换生长动力学和交换工艺的研究。     

缓冲质子源LiNbO3波导折射率计算及实验

为实现铌酸锂退火质子交换(APE)波导折射率分布的准确计算,选择含苯甲酸锂的苯甲酸缓冲液作为质子交换质子源,高温退火制作了波导样本.针对该工艺过程建立退火质子交换波导模型,包括非线性扩散模块和光学数值仿真模块,分别计算APE波导折射率及其模式有效折射率.以测得的样本波导模式有效折射率和计算的有效折射率差的均方根构建评价函数(FOM),结合遗传算法提取该工艺条件下质子扩散参数,实现了不同交换深度和退火时间波导折射率分布及其光学特性的一体化计算.实验表明:FOM小于0.001,计算折射率分布同IWKB方法测得结果吻合较好,最大偏差约0.002.     

铌酸锂波导中折射率改变的物理机制研究

本文结合构成铌酸锂波导的两种方法对影响折射率的因素做了较详尽的探讨。从微观机理上解释了两种方法中折射率改变的不同现象,给出了折射率改变的不同原因。扩Ti中引起折射率改变的主要机理是弹光效应,质子交换中则是二次电光效应和克分子极化。     

Ti扩散LiNbO3光波导折射率变化研究

就Ti扩散波导折射率的变化，从弹光效应和电光效应进行了详尽的讨论和分析，结果表明两种效应对折射率变化的贡献在同一数量级；就反转极化Ti扩散波导折射率的变化，从自发极化的角度出发，进行了验证和探讨，结果仍满足Δne＞0和Δno＞0。     

质子交换LiNbO3光波导路和Ti扩散LiNbO3光波导的光感应折射率变化的比较

Ti扩散LiNbO3光波导和质子交换光波导路是以各种光器件制作为基础制成的光波导路。不过，在这些光波导路中，特别是在短波长区域，发生折射率随光的入射而变化的光感应折射率变化，这是其实用化的最大障碍。本文测定了上述两个光波导路的光感应     

焦磷酸质子交换LiNbO3光波导制备技术研究

采用焦磷酸质子交换技术制备LiNbO3光波导,总结了交换条件、退火工艺和波导特性的实验结果,报告了表面腐蚀情况和单模条件。测量分析了退火前后波导折射率分布的变化,采用循环迭代法拟合折射率分布。结果显示退火前后的折射率分别呈近似阶梯和近似指数的分布,均可用费米函数良好地描述。     

铌酸锂双面金属包覆波导电压传感特性

设计了一种利用铌酸锂作为波导基片的双面金属包覆平板光波导,利用波导中超高阶导模高敏感特性制成了一种反射型光学电压传感器。入射激光束采用小角度入射,当光波导处于导模共振状态时,选择一个恰当的工作点,再通过两金属电极对该器件施加直流电压,通过检测反射光强,获得相应的电压值变化。实验测量中所用的电压范围是-800～800V, 得到的线性度值为0.995,波导反射光的反射率变化灵敏度为0.2V-1,实验表明这种电压传感器具有较好的线性和灵敏度,该新型电压传感器具有结构与制作简单、调节方便和成本低廉等优点。     

钛扩散铌酸锂条形波导的有效折射率截面随扩散参数的变化

导出了钛扩散的铌酸锂条形波导的有效折射率截面的简化公式，计算了有效折射率截面（钟形曲线）的高度和半宽度随扩散参数的变化，并且对结果进行了讨论。     

弱热释电效应黑色铌酸锂、钽酸锂晶体研究

采用化学还原工艺，在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700℃和450℃退火处理，成功地制备了LN和LT黑色晶片。静电位差、光透过率测量结果表明，还原处理后LN和LT晶片的热释电现象基本消失，其光透过率也显著降低。居里温度测试表明，还原处理对晶体的居里温度没有影响。     

一种宽带低啁啾z切Ti∶LiNbO3调制器

对正常型和反转极化型LiNbO3波导在任意方向加电场,由线性电光效应引起的折射率的变化做了计算分析,结果发现只有在z方向加电场,LiNbO3两波导臂折射率的变化才是完全相反的.实验验证得到了同样结论.提出一种利用反转技术、厚电极制作和脊型结构的新型宽带低啁啾的LiNbO3调制器.计算结果表明,在实现光波和微波速度匹配情况下,当器件的微波损耗系数为0.15 dB/(cm·√GHz),以及正常型和反转极化型LiNbO3波导长度相等时,其频率啁啾参数非常小,40 GHz时约为0.1.     

飞秒激光刻写z切LiNbO3晶体形成通道光波导

在z切LiNbO3晶体上进行飞秒激光刻写通道光波导的实验研究.利用光学显微镜研究了光波导的微观结构;在633 nm波长下,端面耦合得到光波导的近场光强分布,波导区为飞秒激光聚焦的区域,TE和TM偏振下都形成了光波导模.研究了激光扫描速度和脉冲能量对刻写质量的影响,结果发现,激光脉冲能量在2.0μJ左右、扫描速度在0.6...     

Ti:LiNbO_3外扩散抑制的简单检测方法

一、引言 钛扩散铌酸锂光波导在目前的集成光学无源器件中占主导地位,人们已对它作了许多研究,并用它做成了器件,有的已实用化。但是,严重影响钛扩散铌酸锂光波导质量的外扩散的研究及其抑制方法还未成熟。早期用铌酸锂粉或碳酸锂粉来抑制外扩散,后来水气抑制外扩散法为大多数研究者使用。近年来认为水气不能在长时间内抑制外扩散,只能使外扩散     

Ce:Mn:LiNbO3晶体紫外记录研究

采用紫外光作记录光在Ce：Mn：LiNbO3晶体中实现非挥发全息记录，灵敏度可达0．0803cm／J，衍射效率（固定）为5．07％，比采用红光为记录光，紫外光为敏化光的非挥发双中心记录方案均提高了50多倍。分析表明，采用紫外光作为记录光，深能级电子被激发比例极大提高，参与光折变过程的电子平均运动周期变短．提高了衍射效率和灵敏度；深浅能级电子光栅的同相位，使得固定空间电荷场变强。文中还研究了退火对记录性能的影响。     

外加电场极化法制备LiNbO3铁电畴反转光栅

在室温下,应用外加电场极化法对z切0．5mm厚的LiNbO3晶体实现了铁电畴反转,并成功地制备了LiNbO3铁电畴反转光栅。     

Mg:Nd:LiNbO3晶体生长及其光学性能研究

在LiNbO3晶体原料中掺入w(Nd2O3)=0．2％和x(ZnO)=7．0％,以提拉法生长Nd：LiNbO3和Mg：Nd：LiNbO3晶体,并对晶体进行极化处理。测试了晶体的紫外可见吸收光谱、荧光光谱和红外吸收光谱。由吸收光谱确定泵浦光波长,由荧光光谱确定激光振荡波长。通过直接观察光斑畸变法测试了Mg：Nd：LiNbO3晶体的抗光损伤能力,结果表明,Mg：Nd：LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Nd：LiNbO3晶体提高2个数量级以上。测试了晶体的倍频性能,Mg：Nd：LiNbO3晶体的相位匹配温度为102℃,相应的倍频转换效率达到28％。