高温超导薄膜的研制

本文介绍了用普通镀膜机制备YBaCuO超导膜的过程。增加一台计数式频率计,可提高控制Y、Ba、Cu三种元系重量比精度,使工艺能重复,膜的性能稳定。热处理后得到了以c轴织构为主的和零电阻温度大于80K的YBaCuO超导膜。分析了超导膜的结晶态与退火条件的关系。     

高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜测辐射热型红外探测器研究

用高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜设计并研制了单元及２×２阵列型红外探测器。其中２×２阵列型器件的四个单元探测器的Ｔｃ值及Ｒ－Ｔ特性相差≤３％。使用５００Ｋ黑体及Ｈｅ－Ｎｅ激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）分别为３．６×１０－１２和４．１×１０－１２Ｗ／Ｈｚ１／２，归一化探测率分别为１．６×１０１０和１．２×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ；响应率分别为８．２×１０４和７．２×１０４Ｖ／Ｗ。     

三源真空蒸发CuInSe_2薄膜的性能

详细分析讨论了用三源真空蒸发法制取CuInSe2薄膜过程中，源温、衬底温度及Cu，In原子比值对薄膜性能的影响。     

GdBa2Cu3O7薄膜红外探测器的研究

本文对红外探测器进行理论分析的基础上，设计并研制了液氮温度下的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜红外探测器，系统地测试了器件的特征参数。     

YBa2Cu3O7／PrBa2Cu3O7／SrTiO3超薄膜表面螺旋位错的研究

本文报道了用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究的几种（ＹＢＣＯ）超薄膜的表面结构，这些膜分别生长在ＳｒＴｉＯ３（１００）基底，和具有厚度为４０ｎｍ的ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７缓冲导的ＳｒＴｉＯ３基底上，ＹＢＣＯ超薄膜厚度范围为２．５ｎｍ－２５ｎｍ。在２．５ｎｍ厚的单层膜表面观察到了岛状结构，并在７．５ｎｍ厚的超薄膜表面首次观察到了台阶高度度不同的三种螺旋位错。同时还讨论了ＹＢＣＯ超薄膜的生长机理。     

非晶态SiO2过渡层对生长C轴取向LiNbO3薄膜的影响

采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射（XRD〉、傅里叶变换红外吸收光谱（FT-IR）和扫描电子显微镜（SEM）对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜C轴取向的影响。结果表明,非晶态S...     

高温超导Bi2Sr1.6La0.6CuO6外延薄膜生长模式的AFM研究

利用ＡＦＭ对在（１００）和与（１００）有６°切偏角的ＳｒＴｉＯ３基片上用射频溅射方法制备的高温超导Ｂｉ２Ｓｒ１．６Ｌａ０．４ＣｕＯ６＋δ（Ｂｉ２２０１）薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片,实验观察到两种不同的薄膜生长模式。对切偏角小于０．４°的（１００）ＳｒＴｉＯ３基片,本征的生长模式是梯田岛模式（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ模式）,每层的厚度为ｃ／２（１．２５ｎｍ）;在切偏角为６°的衬底上沉积的Ｂｉ２２０１薄膜则以台阶流模式（Ｓｔｅｐ－ｆｌｏｗｍｏｄｅ）生长。Ｂｉ系高温超导体的本征的二维特性决定了薄膜的生长模式。     

斜切基片上同质,异质外延薄膜的TEM研究

钙钛矿结构薄膜如铁电和高温超导薄膜有极大的应用前景和探索新型多元素氧化物薄膜的前途,因此它的外延生长机制引起人们的极大关注。不少人认为螺旋位错岛状生长是YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜的本征生长模式[1],因此薄膜表面的平整度极差,使器件应用尚不能达到实现。近些年来,人们对于SrTiO3(STO)基片表面的重构处理作了大量的研究[1,2],得到平台形貌有利于改变钙钛矿结构薄膜的生长机制为台阶流动生长机制,可以得到表面平整的单晶薄膜。本文就是使用斜切1°和10°的STO(001)基片在激光镀膜仪中分别生长STO、YBCO薄膜,将所得薄膜用平…