ADP晶体的全方位生长方法研究

采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度.并对所得晶体进行了透过率,激光散射,摇摆曲线测试及热重差热分析,与常规生长方法比较并分析了全方位生长方法的优势.     

ADP晶体电光系数测量

用静态法测量了ADP晶体的电光系数,在波长632.8nm,γ63=8.14±0.1×10-12m/V,γ41=22.2±0.2×10-12m/V,在488nm,γ63=8.07±0.1×10-12m/V,γ41=22.9±0.2×10-12m/V,实验值与文献基本一致。     

氮化铝晶体的生长惯习面和晶体形态

本文采用氧化铝碳热还原方法制备出了多种形态的氮化铝单晶(晶须).通过透射电子显微镜电子衍射和X射线单晶衍射分析,确定了氮化铝单晶常见的生长惯习面,并分析和讨论了氮化铝晶须形态与氮化铝晶体结构与生长惯习面的关系.具有规则六棱柱锥形的AlN晶须的生长取向为[0001]晶向,而叶片状和四方截面形状的AlN晶须则大多沿〈21-1-3-〉晶向进行生长,细小的薄片状AlN晶须则多以{101-0}面和{101-1}面为生长面.     

高品质光学级单面生长石英晶体的生长技术研究

采用水热温差法,研发了一种高品质光学级单面生长石英晶体技术,分析了光学级石英晶体单面生长原理和关键技术,并对所制备的光学级单面生长石英晶体的性能进行了测试与表征.研究结果表明:采用单面生长技术能极大地减少石英晶体内部缺陷,制备出的石英晶体具有极高的品质,其中包裹体指标、条纹指标达和光学均匀性分别达到国家标准GB/T7895-2008中的Ia级、1级和A级,达到了目前国家标准中的顶尖水平.     

溶液降温法快速生长KDP晶体的新装置

利用溶液降温法分别在锥形底生长装置和传统晶体生长装置中进行了KDP晶体点状籽晶法快速生长实验,对KDP晶体的生长条件进行了对比,分析了不同生长装置对KDP溶液稳定性的影响,利用扫描电镜观察了KDP晶体中的包裹体,测定了晶体的透过率,对比分析了锥形瓶快速生长装置的优越性.     

DKDP晶体亚稳相生长研究

本文通过大量DKDP晶体亚稳相生长实验,对影响DKDP亚稳相生长体系稳定性、晶体生长速率和质量的因素进行了研究,并简要探讨了其影响机理,提出了消除或减弱不利影响的措施,为生长优质大尺寸DKDP晶体提供了依据.     

添加剂下KDP晶体的快速生长

本文在测定KDP溶解度曲线及介稳区的基础上,通过添加几种硼酸盐类添加剂,并采用Z切点籽晶实现了KDP晶体的快速生长,[001]和[100]方向的生长速度可达10～15mm/d(5L生长槽).     

水热法生长无色BSO晶体

采用不同方法制备的培养料,进行了Bi12SiO20(BSO)晶体的水热生长实验.其中以高纯三氧化二铋,二氧化硅为原料,使用铂坩埚烧制成的玻璃体为培养料,5 mol/L的NaOH溶液作为矿化剂溶液,黄金衬管作为反应场所,采用二次水热生长的方法,获得尺寸为10×10×6 mm3的无色BSO晶体.晶体的显露面主要为(001)和(110).讨论了不同方法制备的培养料对晶体呈色的影响,并测量了晶体的截至边.     

晶体生长界面相研究

在分析前人的晶体生长理论时,作者认为晶体生长过程中可能存在界面相;在分析各种晶体生长现象后认为,晶体生长过程中界面相是存在的,并起着十分重要的作用;通过分析研究,将晶体生长过程中的界面相划分为3个有机的组成部分：界面层、吸附层和过渡层;并进一步论述了界面层、吸附层和过渡层在晶体生长过程中的地位与作用;在此基础上提出了界面相模型。     

DKDP晶体快速生长的研究

本文研究了DKDP晶体溶液中的有害杂质、过热方式和溶液稳定性的关系。根据DKDP晶体快速生长的特点,设计了新的晶体生长装置。并利用新的生长装置进行了DKDP晶体的快速生长,生长出60mm×60mm×60mm的高光学质量的DKDP晶体。测量了快速生长出的DKDP晶体的透过率和光学均匀性。     

磷锗锌晶体器件定向加工研究

研究报道了坩埚下降法自发成核生长的ZnGeP2(ZGP)晶体光学器件定向加工新方法.即首先结合晶体的易解理面((112)面、(101)面)和标准极图以及X射线衍射仪,快速寻找c轴方向,确定晶体的(001)面;再由相位匹配角、方位角以及(101)和(102)晶面确定ZGP晶体的通光面,定向切割加工得到ZGP光参量振荡(OPO)器件初坯,经X射线衍射仪修正角度和后续抛光镀膜处理,制备出11 mm×11 mm×22 mm的ZGP-OPO器件.采用2.1μm、7 kHz激光泵浦ZGP-OPO,实现了3～5 μm中红外调谐激光输出,功率达0.48 W.此方法不仅适用于ZGP晶体的定向加工,也适用于具有类似结构的其他晶体器件定向加工.     

KMgF3晶体的生长研究

本文采用Bridgman方法生长了KMgF3单晶.晶体生长参数:在1130℃、1.5×105Pa Ar气氛条件下,以4.5mm/h的速度下降,下降结束后,以1.5℃/min的降温速度降温到室温,获得了直径10mm,长40mm 的单晶,测定了所获单晶的X射线粉末衍射图谱,讨论了真空条件与惰性气氛条件以及氧含量的控制对晶体生长的影响.     

AgGaS2晶体生长裂纹研究

从理论和实验上对AgGaS2晶体生长中易产生裂纹甚至开裂的现象与其热应力、晶体尺寸以及温度梯度、生长速率等生长参数之间的关系进行了研究.结果表明:晶体产生裂纹甚至开裂与生长速率、坩埚旋转速率、冷却速率所造成的热应力和热应变有关.采用改进的Bridgman法成功地生长出尺寸为φ12mm×30mm无裂纹的AgGaS2单晶体,给出了制备无裂纹、大尺寸AgGaS2晶体的较佳生长工艺参数.     

纯镁单晶制备研究

利用自制的硅碳棒加热单晶生长炉,采用改进的坩埚下降法,在最高温度900℃,坩埚相对下降速度约为1.7cm/h条件下,生长出直径约为φ50mm的纯镁单晶.通过X射线衍射、金相观察和测量电导率等手段研究分析了所生长镁单晶的晶体质量.     

BaBPO5晶体的生长研究

本文采用顶部籽晶高温溶液法,以BPO4-NaF为助熔剂,生长了BaBPO5单晶.生长参数:液面以下温度梯度为1.5℃/cm,液面上温度梯度为10℃/cm,晶体旋转速度30r/min,降温速率0.5-1℃/d,可获得尺寸为30mm×20mm×15mm的BaBPO5单晶.测定了所获单晶及其挥发物的X射线粉末衍射图谱,讨论了助熔剂对BaBPO5晶体生长的影响和该晶体的物化性能.     

铌酸钾锂晶体的生长与极化的研究

采用不同成分配比,以Czochralski法生长铌酸钾锂(KLN)晶体,研究生长工艺和成分配比对KLN晶体性能的影响.选用的轴向温度梯度为28～35℃/cm,晶体的旋转速度为5～10r/min;晶体的生长速度与KLN的生长原料的成分有关.采用场冷法对KLN晶体进行极化处理.极化电流密度为2mA/cm3,极化温度为460～340℃.生长出透明的没有裂纹的KLN晶体.