干法刻蚀铝合金引线产生的后腐蚀及其对策

Al及其合金的腐蚀是半导体生产和制造的关键工艺之一。干法刻蚀带来的不良因素就是容易产生后腐蚀。本文对后腐蚀的形成机理及防治进行了探讨。形成的根本原因在于氯基。要防治其形成，除应选择合适的刻蚀条件外，还要选择恰当的后处理条件。刻蚀设备结构的改进也将为改善后腐蚀现象提供良好的条件。     

亚微米干法刻蚀技术的现状

综述了亚微米、深亚微米干法刻蚀和相关技术的最新进展及其在超大规模集成电路制造中的应用。     

干法刻蚀设备中真空系统的相关问题

讨论了干法刻蚀设备真空系统中水汽／氧等残余气体的危害，反应室真空系统工作压强的精确控制以及真空排气系统的几个问题。结合作者从事刻蚀工艺实践，对这些问题进行了定性分析，并探讨了解决这些问题的可行方案。     

硅的干法刻蚀简介

随着硅栅MOS器件的出现,多晶硅渐渐成为先进器件材料的主力军。除了用作MOS栅极之外多晶硅还广泛应用于DRAM的深沟槽电容极扳填充,闪存工艺中的位线和字线。这些工艺的实现都离不开硅的干法刻蚀技术其中还包括浅槽隔离的单晶硅刻蚀和金属硅化物的刻蚀。为了满足越来越苛刻的要求,业界趋向于采用较低的射频能量并能产生低压和高密度的等离子体来实现硅的干法刻蚀。感应耦合等离子刻蚀技术（ICP）被广泛应用于硅及金属硅化物刻蚀,具有极大技术优势和前景。     

微细制版中的干法刻蚀技术研究

本文简述了干法刻蚀在微细制版,特别是电子束制版中的重要性,较详尽地介绍了本研究所用的实验装置,刻触原理,工艺参数选择,实验结果及应用情况,并给出了一些典型的图表数据。     

90 nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究

进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要.重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果.     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现，由于刻蚀的选择比低，所以掩模图形退缩严重，刻蚀端面的平整度差，台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现，SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明，介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件，获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。     

半导体器件工艺中干法刻蚀技术的进展

本文首先对干法刻蚀技术发展的二十余年作了回顾。列举一些对本技术发展带有突破性意义的里程碑,并叙述干法刻蚀技术在微电子学和光电子学等重要应用领域的作用。在发展动向方面介绍了电子迴旋共振和线圈耦合等离子体等刻蚀技术的新进展,以及主干道式和集团式的多工艺真空联机系统设备设计的新结构。突出说明干法刻蚀技术今后的发展是多样化的,而且仍然方兴未艾。     

纳米器件与干法刻蚀技术目前发展的特点

本文简要介绍了纳米器件中量子传输效应、电子速度过冲现象、以及典型的量子效应器件,并对干法刻蚀工艺在纳米器件加工中的重要意义和目前发展状况作了较详细的介绍。     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现，由于刻蚀的选择比低，所以掩模图形退缩严重，刻蚀端面的平整度差，台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现，SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明，介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件，获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。     

微电子制造科学与技术计划中的干法刻蚀工艺及传感器

微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）规划中大多数刻蚀工艺都是在德克萨斯仪器公司设计并制造的先进的真空工艺设备中实现的。反应离子刻蚀设备和微波刻蚀技术结合现场传感器，并且与一个工厂联网的计算机集成制造（ＣＩＭ）系统相连接，传感器和计算机集成制造（ＣＩＭ）系统通过提供实时控制能力有助于实现工艺要求，还使得某些工艺的逐批控制和其他工艺的标准统计工艺控制成为可能。     

半导体纳米线制备中干法刻蚀技术的研究

近年来,一维纳米结构:纳米管、纳米线、纳米带等,引起了人们的广泛关注。如何制备高质量的纳米结构依然是我们面临的巨大挑战。该文通过干法刻蚀技术制备的纳米线阵列来突出说明该技术今后的发展是多样化的,而且仍然方兴未艾。     

干法刻蚀厚膜金导体细线技术研究

本文介绍了利用离子束刻蚀技术与厚膜技术相结合，进行干法刻蚀厚膜金导体细线工艺，使厚膜金导体细线条达到６２．５μｍ的高性能指标。讨论了该技术应用在厚膜多芯片组件中的优越性。     

GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究综述

GaAs基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL)自1977年问世以来,凭借阈值电流较低、光束质量很高、可集成到二维阵列、易单模激射等优势被广泛应用于各个领域,但是其尺寸过小而在制造中难以精确控制精度、等离子体刻蚀时易对掩膜和侧壁造成形貌损伤、刻蚀过程中生成副产物过多等问题,影响了应用范围和提高了制造难度。如何保持高刻蚀速率并尽可能地减小刻蚀损伤成为了目前的研究热点问题。分析了GaAs基VCSEL干法刻蚀技术的研究现状与技术难点,并展望了未来的发展趋势。     

N_2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响

报道了碲镉汞(HgCdTe)干法刻蚀诱导损伤的相关研究。由于干法刻蚀过程中,刻蚀剂主要采用CH_4/H_2,其裂解产生的H容易扩散到材料内部引起材料的电学性质发生改变,从而产生刻蚀诱导损伤。通过在刻蚀剂中引入一定量的N_2,可以抑制H对材料电学性质的改变作用。     

0.9μmASIC正向设计中的版图数据格式及库的混合使用

给出了 0 9μmASIC正向设计中的版图数据格式与gdsⅡ格式之间转换步骤 ,讨论了单元库混合使用的设计方法。     

热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响

讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ－Ｖ特性曲线畸变，平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔ＾ｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术.