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将快速成型技术引入纳米材料成型领域,在Al2O3纳米粉末的选择性激光烧结试验基础上,系统分析了纳米陶瓷材料激光烧结工艺的影响因素,初选了烧结参数,得到了较为合理的纳米Al2O3粉末激光烧结工艺。通过多层烧结试验对其进行了验证,对烧结制件进行了成分、微观组织等检测分析。试验表明,采用得到的选择性激光烧结工艺,可以实现纳米Al2O3的自由成型,烧结制件内部组织保持纳米结构,材料晶粒尺寸基本不长大。 相似文献
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纳米粉添加剂对Al2O3陶瓷烧结性能及微结构的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
用纳米ZrO3作为烧结助剂加入Al2O3陶瓷中,研究其对Al2O3陶瓷烧结性能及显微结构的影响。结果表明,纳米ZrO2的加入可以提高Al2O3陶瓷的烧结活性,降低烧结温度,当纳米ZrO2的加入量达到9vol%时,Al2O3陶瓷在1600℃以下就可烧结致密,此外,纳米ZrO2的加入,对Al2O3陶瓷的显微结构也产生影响。在纳米ZrO2加入量较少时,ZrO2粒子以“晶内型”和晶界型两种形式存在;而当ZrO2加入量达到9vol%时,其主要位于四个Al2O3晶粒相交的晶界上,阻碍了Al2O3晶粒的异常长大,从而获得细晶结构的Al2O3陶瓷材料。 相似文献
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微波等离子烧结ZnO/Bi2O3系压敏电阻研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用常规微波和微波等离子对比烧结ZnO/Bi2O3系压敏电阻发现:两者均可快速成瓷,烧结时间由常规的20 h减少到45 min;烧结后,ZnO晶粒细小(约1μm)均匀,相比而言,等离子更有利于压敏电阻烧结。45 min等离子烧结后,压敏电阻瓷体密度为5.01 g/cm3,ZnO压敏电阻中已有尖晶石相(Zn7Sb2O12)生成,烧结时瓷体收缩均匀,漏电流小,但稳定度差。采用“液相掺杂”可以提高压敏电阻在微波等离子烧结后的电性能稳定度,液相加入比例范围为5%~15%。 相似文献
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Ar/CHF3反应离子束刻蚀SiO2的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响.使用紫外曝光技术在SiO2基片上获得光刻胶掩模图形,采用Ar+CHF3来刻蚀石英基片,调节二者的流量配比,混合后通入离子源.在Ar和CHF3的流量比为12,总压强为2×10-2 Pa,离子束流能量为450 eV,束流为80 mA,加速电压220 V~240 V,离子束入射角15°并旋转样品台的情况下,刻蚀20 min后,得到光栅剖面倾角陡直度为80°~90°.同时发现,添加CHF3后,提高了SiO2的刻蚀速率和刻蚀SiO2与光刻胶的选择比,最高可达71. 相似文献
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界面是影响复合材料性能的重要内容,对复合材料界面的研究一直受到广泛的重视。本文介绍我们利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)研究Al基Al_2O_3颗粒增强复合材料界面应力场的初步结果。图1是这种复合材料的明场象,其中不规则形状的是增强体γ-Al_2O_3颗粒。图2是从Al基体中得到的靠近[013]带轴的LACBED花样,其中箭头所指阴影部分是图1中箭头指出的γ-Al_2O_3颗粒的阴影象。图2可以看出γ-Al_2O_3颗粒界面附近的HOLZ线发生明显的弯曲和分裂并变得模糊,这表明界面处Al基体中存在着应力场。应力场的进一步研究可以通过LACBED花样的动力学模拟得到。 相似文献
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用X射线衍射,扫描电子显微镜和透射电镜/能谱仪分析了Al2O3/TiB2和Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷材料在1300℃氧化30小时后氧化层的相组成及显著结构。 相似文献
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简要介绍了镍包氧化铝复合粉末的几种制备方法,研究探索了一种新的制备方法--配位均匀沉淀-碳热还原法,并成功制备出了平均粒径小于等于0.3 μm的镍包氧化铝复合粉末. 相似文献
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高折射率材料吸收特性对193 nm HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2,Al2O3/SiO2多层膜反射特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
由单层HfO2,SiO2,Y2O3,Al2O3膜求出其折射率和消光系数色散曲线,据此计算出HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2,Al2O3/SiO2的193nm多层膜反射膜曲线,并用电子束热蒸发的方法进行镀制。由分光光度计测量样品的透射率和绝对反射率,求出了各种膜层的吸收曲线。结果发现HfO2/SiO2,Al2O3/SiO2反射率实验结果与理论结果吻合得很好,而Y2O3/SiO2的理论曲线偏高。通过模拟Y2O3/SiO2的反射率曲线发现Y2O3的消光系数远大于由单层膜实验得出的结果。这说明Y2O3膜层的吸收特性与薄膜的制备工艺密切相关。 相似文献
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采用固相反应法制备了高膨胀系数的钡硼硅系微晶玻璃,研究B2O3/SiO2比对钡硼硅系微晶玻璃性能的影响,并对其进行了热、力、电性能测试及XRD、SEM分析表征。结果表明:提高B2O3/SiO2比会促进液相烧结的进行,能有效降低烧结温度,并影响晶相组成;但B2O3/SiO2比过高或过低都会破坏材料的力学性能,降低抗弯强度,热膨胀系数和介电常数则随其含量增加呈减小趋势。B2O3质量分数为12%的微晶玻璃在950℃下烧结1h,有大量的方石英相析出,材料的抗弯强度最大。最终制备了具有优良介电性能的微晶玻璃,其热膨胀系数为17.87μ℃-1,抗弯强度为175MPa。 相似文献
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将6H-SiC和α-Al2O3以质量比7:3混合,添加质量分数0~10%的MgO-CaO作为烧结助剂,球磨后的粉体压制成生坯,在1 200℃预氧化1 h后在氢气氛下常压烧结1 h制备Al2O3-SiC复相材料。研究了烧成温度和MgO-CaO含量对该复相材料烧结性能和相组成的影响。结果表明:1 500℃下,随着烧结助剂含量的增加,烧结致密性明显提高,当烧结助剂质量分数为10%时,显气孔率降至0.1%。预氧化时,添加烧结助剂MgO-CaO,方石英和α-Al2O3与之反应,生成CaAl2Si2O8和Mg2Al4Si5O18,促进6H-SiC的进一步氧化。烧成过程中,CaAl2Si2O8和MgAl2O4溶解生成玻璃相促进烧结,同时α-Al2O3从玻璃相中析出,1 500℃烧结试样所含物相为6H-SiC和α-Al2O3。 相似文献
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Al2O3/Al复合材料界面上MgAl2O4尖晶石形成的高分辨电镜观察 总被引:1,自引:0,他引:1
界面问题一直是复合材料研究者最关心的话题之一.界面结合的好坏直接关系到载荷从基体向增强体的传递效率.Al2O3/Al复合材料中,由于Al与Al2O3本征不润湿的特征,人们提出了一系列的措施来改良界面,其中一种就是基体合金化.Mg元素是显著增强润湿的合金元素之一,但是由于Mg在界面上引起的一系列化学反应使其界面反应润湿现象变得复杂起来. 相似文献
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采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在热氧化的SiO2/Si(100)基片上提拉法制备掺EP:A12O3光学薄膜.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(ARM),X射线衍射分析(XRD)研究了掺Er3+:Al2O3光学薄膜的形貌、厚度以及结构等特性.结果表明,在氧化的SiO2/Si(100)基片上获得了厚度为1.2 μm,固溶Er3+的面心立方结构γ-(Al,Er)2O3和单斜结构θ-(A1,Er)2O3的薄膜.薄膜表面光滑、平整,无明显的表面缺陷.掺EP:Al2O3薄膜晶粒分布均匀,平均晶粒直径为50~200 m,表面起伏度为10~20 nm.测量了10 K下掺0.1 mo1%~1.5 mo1%Er3+:Al2O3光学薄膜的光致发光(PL)谱,获得了中心波长为1.533μm的发光曲线.PL强度随Er3+掺杂浓度的增加而下降,相应的半峰宽(FWHM)也从45 nm减小到36 nm.Sol-gel法制备掺Er3+:Al2O3/SiO2/Si光学薄膜满足有源光波导放大器基体材料的性能要求. 相似文献