高压隔离高容驱动光电耦合器的研制

介绍了采用有机硅凝胶(双组分)灌封技术,在陶瓷管座内制作而成的一种新型光电耦合器.其隔离电压可达10 kV以上,驱动负载电容可达3 000 pF以上.叙述了该器件的工作原理、工作特性、设计思想及制作过程,理论分析和大量的实验表明,该器件具有响应速度快、结构简单、性能稳定、可靠性高等优点.     

高压隔离光电耦合器的设计和制作

分析了影响绝缘材料击穿特性的几个主要因素,在此基础上设计并制作了高压隔离光电耦合器,实验结果表明该器件具有良好的隔离特性和高的可靠性能,隔离电压最大值达10000V.     

22kV高压隔离光电耦合器的研制

针对高压隔离光电耦合器的隔离电压提高到22kV后信号传输特性恶化的问题,提出了在光源和探测器间引入导光管结构的方法,利用导光管的聚光特性弥补间距增大导致的探测器对光源发散角的降低,使探测器接收到足够的光功率,以保证器件的信号传输特性满足要求。对探测器接收光功率占光源光功率的比例进行了对比计算,结果表明,使用导光管的22kV高压隔离光电耦合器可获得与10kV产品相当的信号传输特性,通过样品的制作与测试验证了该计算结果,表明上述方法可行。     

高压隔离高线性度光电耦合器

研制了一种高压隔离高线性度光电耦合器.采用混合集成技术,在6DIP陶瓷管座内成功制作出了高压隔离线性光电耦合器.叙述了该器件的工作原理、工作特性及设计考虑,并在在此基础上进行了实验,实验结果表明此器件具有结构简单、精度高、线性度好的优点.     

八路高速光电耦合器的研制

研制了一种独特的八路高速光电耦合器.器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中.设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰.文章重点描述了器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺.     

高速高压光电耦合器

文章叙述了高速高压光电耦合器的工作原理、制作工艺、器件特性以及设计考虑。     

基于光电耦合器的线性隔离方法及电路

利用普通光电耦合器和常用运算放大器设计一种低成本、高线性度的模拟信号隔离电路.提出了利用负反馈改善输出信号线性的新思路.该电路抛弃了传统的在输入端使用隔离电源和运算放大器跟踪补偿的方法,而是使用输出信号对输入电流进行反馈补偿.尤其适合高压模拟信号输入的场合.该电路线性范围宽,可以根据不同的使用条件调节线性范围,线性度可...     

光电耦合器的封装及其发展

本文就国内外光电耦合器的封装结构及其关键技术展开评述,介绍这类器件的性能。特点、封装结构类型、关键技术、发展趋势,从实际应用出发,注重器件本身的物理结构和生产制造技术。     

光电耦合器在高压配电盘上的应用

某公司在前两年新建了一个配电站,建好启用前对该电站进行了全面调试,结果发现配电盘上配套的闪光继电器无论在什么情况下都不能工作。经检查,闪光继电器DX-3型性能良好,该系统的控制电路工作正常无故障,而所有高压配电盘上安装使用的信号指示灯均是XDJ1     

模拟信号线性光电隔离组件

采用电压频率变换和频率电压变换技术处理模拟信号，有效的克服了光电耦合器的非线性，实现了模拟信号的线性光电隔离。该组件用混合集成工艺制作，将四路模拟信号的光电隔离集成在一块芯片上。‘     

一种MHz光耦隔离放大器的设计与分析

本文设计了一种基于高线性度高带宽模拟光耦HCNR201芯片的MHz光耦隔离放大器电路,主要应用于计算机数据采集系统中,对其信号进行隔离从而实现过电压保护和提高共模抑制比.HCNR201光耦器件具有双光电二极管结构,使电路在输入端构成反馈环节,消除了光耦的电流传输比对直流增益的影响,为了方便分析建立了它的等效电路.利用线性控制系统的理论方法建立了所设计的隔离放大器电路的数学模型,推导出了电路的传递函数,对电路进行了理论分析和参数优化,并给出了分析设计结果.同时研制了隔离电路并对其进行了实验测试,实验结果与理论分析结果比较一致,符合设计要求,其理论分析方法可以为类似电路设计提供参考.     

光电耦合器在伺服系统中的应用

光电耦合器是一种发光器件和光电器件组成一体,完成电-光-电转换的器件。在此介绍了高速光耦、线性光耦的结构和原理及其在伺服系统中的应用,充分体现了光耦体积小、响应速度快、隔离效果好、具有较强的抗干扰能力的优点。     

光耦在EMCCD电源中的应用

为满足EMCCD供电的特殊要求,基于光耦特性设计了EMCCD供电电源。利用光耦的光电隔离特性实现了输入与控制信号的隔离;利用光耦接收三极管的线性区实现输出电压的连续调整;利用光耦接收三极管的饱和与截止特性实现了上电状态控制;利用高速光电接收二极管及图腾柱电路的高速特性实现了DC-DC电源的同步控制;对各部分光耦电路的温度特性进行了分析,并增加了反馈电路以降低温度影响。实验结果表明,基于光耦的EMCCD电源设计满足应用要求,改进后的输出电压随温度变化率为改进前的8.9%。     

导光管式高隔离电压光电耦合器击穿机理研究

对击穿后的导光管式高隔离电压光电耦合器的内部损伤痕迹的研究表明,高电压下器件内部的局部放电引起的持续烧蚀导致了前后级之间的击穿.分析局部放电的部位后,结合附近存在气隙缺陷的情况,在ANSYS下对气隙附近的电场强度分布进行了建模计算.结果表明:局部放电是因气隙内空气的低介电强度所致,并因导电胶的渗透得到加强.在采取结构与工艺措施避免气隙缺陷与导电胶渗透之后,局部放电得到消除,导光管式高隔离电压光电耦合器的最低击穿电压(VISO)从23.8kV提高到了33.5kV.     

光耦线性化与线性光耦器件的应用

比较全面的介绍了光耦器件在模拟信号隔离测试中的应用，并且指出了保证测试精度需要采取的措施。     

交流电压隔离取样与光耦的线性化应用

提出了一种结合光电耦合器线性化应用的交流电压信号隔离取样电路。介绍了光耦器件在模拟信号隔离测试中的应用,并且指出了保证测试精度需要采取的措施。     

基于非线性双路光耦的光耦放大器频响分析

频率响应是光电耦合隔离放大器的一个重要参数。首先介绍了光敏三极管光电导工作模式和集成运放宏模型,然后利用该原理对使用双路光耦设计的线性光耦隔离放大器电路进行了深入研究,分析并推导了电路频响的计算公式。对该电路的频响与电路中元件参数的关系进行了仿真和实验,最终得出结论。