硼、氮原子的掺杂对单个苯环的电子结构与传输特性的影响

采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了硼、氮原子的掺杂对于苯环的电子结构与电子传输特性的影响.结果显示硼、氮原子的掺杂明显改变了C_(32)分子的电子结构和电子传输特性,硼原子的掺杂明显增强了苯环的电子传输特性,而氮原子的掺杂却明显降低了苯环的电子传输特性.同时分析了产生这些现象的原因.计算结果还显示随着外加偏压的增大,苯环的电子传输性能逐渐减弱.     

B原子的掺杂对富勒烯C32的电子传输特性与负微分电阻效应的影响

采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了硼原子的掺杂对于富勒稀C32分子的电子传输特性与负微分电阻效应的影响．结果显示硼原子的掺杂明显改变了C32分子的电子传输特性和负微分电阻效应．同时研究了掺杂的硼原子的个数多少对C32分子的影响．     

B原子的掺杂对富勒烯C_(32)的电子传输特性与负微分电阻效应的影响

采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了硼原子的掺杂对于富勒稀C32分子的电子传输特性与负微分电阻效应的影响.结果显示硼原子的掺杂明显降低了C32分子的电子传输特性,却增强了分子的负微分电阻效应.分析认为,硼原子的掺杂减少了核外电子是导致分子的电子传输性能降低和负微分电阻效应增强的主要原因.本文还研究了掺杂的硼原子的个数多少对C32分子的影响.     

硼氮原子取代掺杂对分子器件负微分电阻效应的影响

利用基于非平衡格林函数和密度泛函理论相结合的第一性原理计算方法,研究了硼氮原子取代掺杂对三并苯分子电子输运性质的影响.计算结果表明,三并苯分子器件的电流在特定偏压区间内随电压的增加而减小呈现出负微分电阻效应,电流的峰谷之比高达5.12.用硼原子或者氮原子取代分子的中心原子后,器件0.8V以内的电流明显增加,但是负微分电阻效应减弱,相应的电流峰谷比分别降至3.83和3.61.分析认为,输运系数在特定偏压下的移动是器件负微分电阻效应的主要成因.核外电子数的差异导致硼氮原子掺杂取代可以使器件轨道及其透射峰分别向高能方向或者低能方向移动从而有效地调控了器件的低偏压下的电子传输能力和负微分电阻效应.     

氮掺杂手性碳纳米管的电子结构和输运特性的理论研究

运用第一性原理的密度泛函理论,结合非平衡格林函数,研究了氮原子取代掺杂手性单壁(6,3)碳纳米管的电子结构和输运特性.计算结果表明:不同构形和不同数目的氮原子取代掺杂对手性碳管的输运性质有很复杂的影响.研究发现,氮原子掺杂明显改变了碳管的电子结构,使金属型手性碳管的输运性能降低,电流-电压曲线呈非线性变化,而且输运性能随着杂质原子间间距的变化而发生显著改变.在一定条件下,金属型碳管向半导体型转变. 关键词： 手性单壁碳纳米管 氮掺杂 电子结构 输运性能     

N、O、S及羰基掺杂吐昔烯衍生物的电荷传输性质

基于电子转移的Marcus模型,以3,8,13-三丙烷氧基吐昔烯(a分子)为母体,采用密度泛函理论方法,在M062X/6-31+G(d)水平计算研究吐昔烯刚性核上的三个亚甲基被氮原子、氧原子、硫原子及羰基取代后所得的b、c、d、e等5个衍生物分子的结构和电荷传输性质.计算结果表明,b、d、e等3个吐昔烯衍生物分子的最低能量吸收峰均发生一定程度的红移(吸收波长在279-292 nm范围);掺杂氮原子、硫原子后,空穴传输载流子迁移率(μ_+)与电子传输载流子迁移率(μ_-)均明显增大,但μ_+比μ_-增加的幅度更大,更有利于空穴传输.掺杂氮原子,空穴迁移速率(μ_+)和电子迁移速率(μ_-)减小;掺杂羰基后,电子迁移速率(μ_-)增大,有利于电子传输,可设计为较好的电子传输材料.     

N、P掺杂硼烯/石墨烯异质结的密度泛函理论研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究了氮、磷掺杂对硼烯/石墨烯异质结的几何结构和电子性质的影响.结果表明,相较完整硼烯/石墨烯异质结的金属特性,氮、磷掺杂的硼烯/石墨烯异质结均表现为半导体特性.室温下的分子动力学模拟进一步论证了相关体系的动力学稳定性.研究结果能够为硼烯/石墨烯异质结在新型二维半导体材料中的应用提供参考价值.     

B/N掺杂类直三角石墨烯纳米带器件引起的整流效应

基于密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法, 研究了硼(氮)非对称掺杂类直三角石墨烯纳米带器件的电子输运性能. 计算结果表明: 单个硼或氮原子取代类直三角石墨烯纳米带顶点的碳原子后, 增强了体系的电导能力, 并且出现了新颖的整流效应. 分析表明: 这是由于硼氮掺杂类直三角石墨烯纳米带器件在正负偏压下分子能级的移动方向和前线分子轨道空间分布的不对称而产生的. 最重要的是, 当左右类直三角石墨烯纳米带的顶端原子同时被硼和氮掺杂后, 体系的整流效应显著增强, 而且出现负微分电阻效应.     

三四五族元素掺杂对五元环石墨烯电学性能的影响

本文基于第一性原理计算研究了一种以五元环作为基本结构单元所构成的碳同素异性体--五元环石墨烯。五元环石墨烯具有准直接带隙的特征。本文讨论了三四五族中的原子替换掺杂五元环石墨烯后对其结构和禁带宽度的影响。其中,硼原子和氮原子掺杂后五元环石墨烯呈现金属特性;硅原子掺杂后的五元环石墨烯结构将在纳米电子器件领域有应用的前景。     

Ⅲ-Ⅳ-Ⅴ族原子掺杂对五元环石墨烯电学性能的影响（英文）

本文基于第一性原理计算研究了一种以五元环作为基本结构单元所构成的碳同素异性体--五元环石墨烯.五元环石墨烯具有准直接带隙的特征.本文讨论了三四五族中的原子替换掺杂五元环石墨烯后对其结构和禁带宽度的影响,其中,硼原子和氮原子掺杂后五元环石墨烯呈现金属特性;硅原子掺杂后的五元环石墨烯结构将在纳米电子器件领域有应用的前景.     

C50富勒烯分子的电子结构与传输特性研究

本文构建了Au原子面为电极的富勒烯C50分子的电子输运模型, 使用非平衡格林函数方法(Non-equilibrium Green's function, NEGF)对构建的Au电极和C50分子构成的分子器件进行了电子传输性质的计算. 通过计算得出了电子透射谱、电导曲线和电流电压曲线, 分析了产生这个分子器件电子输运性质的原因. 研究计算结果发现：C50分子具有量子器件的开关特性,并具有明显的半导体特征.     

富勒烯C32分子器件结构和传导特性的理论研究

利用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法对富勒烯C32分子及在C32的距离最远的两个碳原子处外接Li电极的C32分子器件进行了电子结构、电子传输性质的研究。设计了C32笼内嵌入Mg原子,外接Li电极的分子器件。通过计算,得出了两个分子器件的电子传输谱,分析了他们的电子结构和电子输运特性。说明了C32分子器件的电子传输主要集中于C32分子的壳表上,并且分子球的内侧和外侧的电子传输相近似。在C32分子内部嵌入Mg原子后,分子器件的电子传输仍主要集中在分子表面上,但在系统Mg@C32中,表面内侧的电子传输要比表面外侧的电子传输强。通过比较,结果表明两种富勒烯分子的电子传输性能顺序为Mg@C32>C32。     

电子水平仪

采用双环光放大反射镜和二维位置传感器（PSD）制作了电子水平仪,利用该仪器可以测出待测平面与水平面之间的夹角,并且能自动控制其角度的变化。     

Electronic and magnetic properties of ruthenocuprates

We report on X-ray photoemission of core levels, valence band studies using angle-integrated photoemission, and magnetization measurements of ruthenocuprate and SrRuO₃ polycrystalline samples. The data indicate that the RuO₂ planes are the source of the energetics of the magnetic ordering. We also find that adding hydrogen leads to changes in the many-body response on both the CuO₂ and EuO planes. Received 23 August 2000     

Electronic Spectra and Structure of p-Benzoquinone

Ground and excited state electronic structure and spectra of p-benzocuinone have been studied using the variable electronegativity SCF-MO-CI method. The calculated values of ionization potential and excitation energies are in good agreement with experiment. It is found that the electronic structure and geometry of the molecule are appreciably different in the excited singlet state as compared to the ground state.     

电子稳像技术及其发展

简单介绍了电子稳像技术的基本概念及产生、发展过程 ,重点分析了几种典型的电子稳像系统 ,在此基础上给出了其原理工作框图 ,并详细阐述了电子稳像技术的实质及其目前发展方向     

锇杂苯的电子结构及芳香性

使用密度泛函理论及片段轨道相互作用分析方法 ,研究了典型的锇杂苯的电子结构和芳香性 .结果表明 ,锇碳六员环具有较好的环平面性及键的离域性 ,占据的锇dxz轨道与碳环的 3π空轨道之间的反馈π键相互作用 ,使得环上离域π电子数满足H櫣ｃｋｅｌ的 4n +2规则 ,计算的环外质子化学位移、同键反应芳香性稳定化能、绝对硬度和磁化率增量数据均表明锇杂苯具有芳香性