类氦离子的电子碰撞电离微分截面

本文主要利用扭曲波玻恩交换近似方法(DBE)计算类氦离子在电子碰撞下,相应不同的末态电子能量分配的电离截面(能量微分截面)。发现对这些微分截面在不同靶电荷及入射能量下,都可用带两个参数的高斯函数αexp(β(x—0.5)²)很好地拟合。还给出两个拟合参数随靶电荷和入射能量的变化曲线,以及讨论了在库仑波玻恩交换近似(CBE)和DBE两种不同近似下所得参数值的差别。计算结果也表阴,在低靶电荷和低入射能量时用DBE计算的必要性。 关键词：     

电子与高荷电离子碰撞激发的扭曲波截面

采用我们的“快速”扭曲波方法和程序MCDW(9),计算了类氖Ce~(22+)27个精细能级之间351个过程的激发截面,并且与其它理论值进行了比较.结果表明:碰撞强度大的过程一般符合在10%左右.但是由于组态混合导致跃迁矩阵元严重抵消而变成为相对小的过程以及激发能很小的光学禁戒(电偶极振子强度为零)过程,其截面(或碰撞强度)对模型细节敏感,不同作者计算差别较大. 关键词：     

镁原子碰撞激发微分截面和Stokes参数的理论研究

基于相对论扭曲波理论方法,并利用新发展的处理极化电子碰撞激发的计算程序REIE06, 系统计算了中性镁原子基态3s^{2 1}S₀到激发态3s3p ¹P₁, 3s4p ¹P₁的电子碰撞激发微分截面和角关联(Stokes)参数,计算过程中系统地考虑了相对论效应、电子关联效应等. 部分计算结果与已有的实验和理论结果进行了比较,得到了较好的一致性.     

类He离子的电子碰撞激发截面

利用扭曲波方法计算类He离子的电子碰撞激发截面。靶波函数采用HFS自洽场波函数,本文计算了若干元素从基态(1¹S)到2¹S,2¹P,2³S,2³P的跃迁。计算结果以碰撞强度的形式给出。入射电子能量从激发阈能开始到x=10,计算结果与已有的结果作了比较,分析表明,在大多数情况下,结果是满意的。     

电子氢原子碰撞电离能量微分截面和总截面的理论计算

利用扭曲波玻恩交换（ＤＷＢＥ）近似方法对电子－氢原子碰撞电离截面进行了计算，计算所得总截面和能量微分截面均与最新的实验结果进行了比较，比较结果显示本计算与实验有较好的符合。还给出了能量微分截面的高斯拟合公式，文中对实验与理论计算存在的一些差距进行了讨论。 关键词：     

电子离子碰撞过程中的共振激发双自电离

利用相对论修正扭曲波玻恩近似, 计算了类钠离子Ti11+ 和Cr13+ 的电子碰撞直接电离, 激发自电离和共振激发双自电离截面. 理论数据与实验结果在整个能区内很好符合. 共振激发双自电离截面对总截面的贡献约为20%-30%, 对速率系数的影响较大, 不可忽略.     

电子碰撞电离离子三重微分截面的计算

解决了包含四个合流超几何函数的数值积分问题,从而给出了计算电子碰撞电离离子三重微分截面的通用方法,适合于中、高入射能量下的各种几何条件。计算了对称和不对称几何条件下电子碰撞电离He⁺离子的三重微分截面,并与其它理论结果作了比较。     

电子碰撞Ne和类Ne离子电离的三重微分截面理论研究

采用扭曲波玻恩近似理论计算了共面对称几何条件下类Ne离子2p轨道电子在不同出射电子能量下的(e,2e)反应三重微分截面,出射电子能量分别为3,5,7.5,10,15,20,30和50 eV.计算结果表明,随着出射电子能量的增大和核电荷数Z的增大,三重微分截面的幅度逐渐减小.除Ne以外,对其他离子,在出射电子角度为150?附近出现了一个新的结构,对比不同出射电子能量时的(e,2e)反应三重微分截面,发现这个结构的幅度随着出射电子的能量先增大后减小,文中用一种两次两体碰撞过程对这些现象进行了解释.     

低和中等电离度离子的电子碰撞电离截面的扭曲波计算

利用扭曲波Born交换近似方法计算了Ne⁺，…，Ne⁶⁺的电子碰撞电离截面，计算结果同实验和其他理论结果相一致.为满足实际应用需要，给出了高精度的拟合公式.还讨论了扭曲波Born交换近似方法对低电离度离子的适用性以及交换势的引进对计算结果的影响. 关键词：     

Electron impact ionization cross sections for Li-like Al ion in ground and excited states

ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｍｐａｃｔｉｏｎｉｚａｔｉｏｎｃｒｏｓｓｓｅｃｔｉｏｎｓｆｏｒＬｉ－ｌｉｋｅＡｌｉｏｎｉｎｇｒｏｕｎｄａｎｄｅｘｃｉｔｅｄｓｔａｔｅｓＨＵＷｅｉ；ＷＡＮＧＹａｎｓｅｎ；ＦＡＮＧＤｕｆｅｉ；ＬＵＦｕｑｕａｎ；ＴＡＮＧＪｉａｙｏｎｇ；Ｙ...     

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS)，通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3，28.3，30.3，32.5，34.3，36.5和40.7eV时，低能电子入射电离He原子的DDCS；研究表明：DS3C的计算结果，除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外，均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外，对直接和交换效应也进行了研究，给出了交换效应对截面的贡献.     

Effect of distortion in electron impact excitation in Coulomb-projected Born approximation

We have calculated total and differential cross-sections for 1s →ns (n = 2, 3, 4) electron impact excitation of hydrogen and hydrogenic ions at various energies in Coulomb-projected Born approximation. Distortion due to static interactions, target polarization and exchange effects has been incorporated in the initial channel. The present calculations have been compared with other theoretical and experimental results.     

Breit相互作用对类氦离子亚稳态1s2s 3S1电子碰撞激发截面的影响

利用新近发展的基于全相对论扭曲波方法研究电子-离子碰撞激发过程的计算程序,通过对Breit相互作用的考虑,计算了类氦等电子序列离子从亚稳态1s2s³S₁激发2s电子到n=2,3壳层的电子碰撞激发截面;研究了不同入射电子能量时Breit相互作用对碰撞激发截面的影响,进一步总结了沿等电子序列变化时,Breit相互作用对截面影响的一般规律.部分计算结果与实验结果进行了比较,得到了很好的一致性. 关键词： 全相对论扭曲波方法 Breit相互作用 电子碰撞激发截面     

高离化态类氖离子的电子碰撞激发特性研究

利用基于多组态Dirac-Fock(MCDF)理论方法的原子结构和性质计算程序GRASP92和全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了类氖离子(Z=50—57)激发组态2s22p53l和2s2p63l(l=s,p,d)的能级结构和碰撞激发截面,总结了碰撞激发截面随入射电子能量的变化规律,讨论了实验中感兴趣的(2p1/23d3/2)1→2s22p61S0(标记为3C线)与(2p3/23d5/2)1→2s22p61S0(标记为3D线)跃迁线强度比值的沿等电子系列特性和强组态相互作用对高离化态类氖离子截面的影响.     

正电子冲击下氦电离三重微分截面的理论计算

我们发展了一种正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法, 在这个方法中,正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上,且通道对电离作用被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中. 应用这个方法计算了在50 eV入射能量范围氦的电离的三重微分截面,计算结果和实验数据很好的符合.     

中高能电子电离He原子的二重微分截面

这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 ev的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合.     

含温有界原子模型下电子与离子碰撞激发和电离截面的理论研究

采用扭曲波玻恩交换近似方法，在自由原子模型下计算了电子与离子碰撞激发、电离截面，计算值与实验一致；在含温有界平均原子模型下，系统研究了不同温度、密度等离子体中离子的电子碰撞直接电离截面，发现由于温度、密度效应导致离子的能级漂移，引起等离子体中离子的碰撞电离截面比自由原子情形发生较大变化. 关键词： 平均原子模型 扭曲波波恩交换近似 电离截面