共查询到19条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
2.
采用金刚石压砧高压装置,研究了双钙态矿结构化合物Sr2FeNbO6及其掺杂物Sr2FeMo0.3Nb0.7O6在室温下,20 GPa内电阻和电容随压力的变化,并发现Sr2FeNbO6在7.5 GPa左右压力下发生了相变,而Sr2FeMo0.3Nb0.7O6的相变发生在2.8 GPa左右。并结合这两个样品的高压下的同步辐射能散X射线衍射实验,进一步证明了这两种相变是电子结构相变引起的。 相似文献
3.
本文首次研究了Al80Mn14Si6合金在静高压下准晶相得形成。利用静高压熔态淬火方法,在压力2.8和3.1 GPa下得到淬火的Al-Mn-Si样品。电子和X射线衍射实验表明,高压淬火样品中含有准晶二十面体相和非晶相。X射线衍射实验还表明,高压淬火样品经350 ℃退火一小时基本上没有发生变化;而经过500 ℃退火一小时后,准晶相晶化为α-Al73Si10Mn17相。另外,电子衍射实验表明,高压淬火后样品中还存在其它中间亚稳相。本文还讨论了静高压熔态淬火方法的适用性。 相似文献
4.
5.
利用Mao-Bell型金刚石对顶砧装置(DAC),使用4∶1的甲醇-乙醇混合液作传压介质,研究了层状铁电固溶体Ba3Bi3Ti4NbO18的在位高压拉曼光谱和压致结构相变(0~8.87 GPa)。观测到了Ba3Bi3Ti4NbO18的一个典型的压致结构相变。发现了赝钙钛矿结构A4B5O16的A位和B位联合置换对Ba3Bi3Ti4NbO18的拉曼振动模式及压致相变点的调制作用。并使用内模方法对Ba3Bi3Ti4NbO18的内模进行了指认。通过对加压下的拉曼光谱的分析,得到了压力作用下样品中BO6八面体的结构畸变的演化方向。 相似文献
6.
利用高压方法,合成了富Sb2Te3的AgSbTe2热电材料(AgSbTe2)1-x(Sb2Te3)x (0≤x≤0.3),并对其结构和热电性质进行了研究。结果表明:(AgSbTe2)1-x(Sb2Te3)x样品为近单相的AgSbTe2材料;随着制备压力和Sb2Te3掺杂量的增加,(AgSbTe2)1-x(Sb2Te3)x的电阻率大幅降低;Seebeck系数在高压作用下变小,而少量掺杂Sb2Te3却能提高Seebeck系数;在高压和微量掺杂Sb2Te3的共同作用下,AgSbTe2的功率因子得到了提高;2.0 GPa高压下,制备的Ag0.9Sb1.1Te2.1的品质因子达到0.466,接近Bi2Te3的品质因子。 相似文献
7.
8.
以(C2H5)2O·BF3和Li3N为原料,于苯热条件下合成氮化硼并研究其相变机理。X射线粉末衍射和傅立叶变换红外吸收光谱分析证明,产物中不仅有hBN和cBN物相存在,而且还发现了正交氮化硼(oBN)和锂硼氮的常压相Li3BN2(O)及高压相Li3BN2(T)存在。分析了Li3BN2在高温高压条件下和在苯热条件下对合成cBN催化机制的差异,探讨了Li3BN2在以Li3N和(C2H5)2O·BF3为原料合成BN的催化机制,提出常压相Li3BN2(O)和高压相Li3BN2(T)分别对生成cBN和oBN起催化作用的观点。 相似文献
9.
10.
11.
采用基于密度泛函理论(density functional theory)基础上的第一性原理赝势平面波方法, 计算研究了MgS晶体B2构型在不同压强下的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质. 计算结果表明, 在高压作用下, 该结构的导带能级有向高能级移动的趋势, 而价带能级有向低能级移动的趋势. 同时, 对照态密度分布图及高压下能级的移动情况, 分析了MgS B2构型在高压作用下的光学性质, 发现高压作用下, 吸收光谱发生了明显的蓝移. 相似文献
12.
本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对ZnO晶体在c轴取向压力作用下的晶体结构、电子结构的变化进行了研究. 结果表明,当压力在0到6 GPa区间时,晶格参数呈线性变化,带隙随压力增大而增大,显示弹性应变特征;当压力从6 GPa增大到10 GPa的过程中,晶体结构有了较大变化,出现了介于常压下纤锌矿结构和等静压高压下NaCl结构之间的类石墨结构(Graphitelike structure). 伴随着这一结构相变,ZnO的晶格参数,能隙和态密度等电子结构出现了较大跃变. 相似文献
13.
本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对ZnO晶体在c轴取向压力作用下的晶体结构、电子结构的变化进行了研究.结果表明,当压力在0~6 GPa区间时,晶格参数呈线性变化,带隙随压力增大而增大,显示弹性应变特征;当压力从6 GPa增大到10 GPa的过程中,晶体结构有了较大变化,出现了介于常压下纤锌矿结构和等静压高压下NaCl结构之间的类石墨结构(Graphitelike structure).伴随着这一结构相变,ZnO的晶格参数,能隙和态密度等电子结构出现了较大跃变. 相似文献
14.
15.
用LMTO法(线性Muffin-Tin轨道法),计算了金属铝的超高压电子结构及零温物态方程。Al的压缩比到10,压力达10 TPa。根据第一原理计算结果,在带结构方面,s带总是处于Fermi能以下,随着压力的增加,s、p和d的带宽增加,随后则杂化程度增加,所以s、d轨道的电子占据数连续变化。上述变化对压力的影响也是连续的,换言之,从s→d转变没有理由说明Al在0.5 TPa附近冲击Hugoniot的斜率的拐弯现象。而这一点则是与Altshuler的观点不同。物态方程的第一原理计算结果表明,bcc结构比fcc结构要软,但因差别不很大,即使发生fcc→bcc的转变,也不会引起Hugoniot的质的变化(拐弯)。Al的LMTO物态方程还表明,我们以前所采用的半经验的冷压误差可达30%。为此,根据LMTO结果,给出新的冷压表达式p=∑i=05aiδi/3,δ=Ω0/Ω,其中a0=-7.327 79,a1=18.754 3,a2=10.209 7,a3=-2.523 53,a4=-4.787 2,a5=6.065 94,拟合误差小于3%。 相似文献
16.
17.
利用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面方法研究了外界压强对LiNbO_3晶体态密度,能带结构,电荷密度以及光学性质的影响.能带结构计算表明,价带顶主要由O-2p和Nb-4d态电子贡献,导带底主要由Nb-4d态电子贡献,且带隙随着压强的增加而线性增大.利用复介电函数计算了LiNbO_3晶体在不同压强下光学性质的折射率、反射率、吸收函数,能量损失函数以及光电导率.研究发现:外界压强大于10GPa时,静态折射率保持不变,随外界压强的增加,反射率、吸收函数以及光电导率区间有一定程度的拓宽,损失函数峰发生"蓝移".研究表明,外界高压可以有效调控LiNbO_3晶体的电子结构和光学性质,为LiNbO_3晶体的高压应用提供了有益的理论依据. 相似文献
18.
利用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面方法研究了外界压强对LiNbO3晶体波态密度,能带结构,电荷密度以及光学性质的影响.能带结构计算表明,价带顶主要由O-2p和Nb-4d态电子贡献,导带底主要由Nb-4d态电子贡献,且带隙随着压强的增加而线性增大.利用复介电函数计算了LiNbO3晶体在不同压强下光学性质的折射率、反射率、吸收系数,能量损失函数以及光电导率. 研究发现:外界压强大于10Gpa时,静态折射率保持不变,随外界压强的增加,反射率、吸收函数以及光电导率区间有一定程度的拓宽,损失函数峰发生“蓝移”.研究表明,高压可以有效调控LiNbO3晶体的电子结构和光学性质,为LiNbO3晶体的高压应用提供了有益的理论依据. 相似文献
19.
基于密度泛函理论下的平面波超软赝势方法,本文计算了102 GPa压力下LiF理想和含空位(Li-1 、F+1)晶体的电子结构和光学性质.结果表明:102 GPa压力下理想LiF晶体有良好的透明性;高压下Li-1及F+1两种空位的存在不影响LiF的光学透明性.分析其原因:LiF是一种带隙很宽的离子晶体,电子发生跃迁需要较高的能量; LiF中F元素的电负性很大,Li的电负性却很小,二者结合的Li-F键键能很高.另外本文还计算了102 GPa压力下理想LiF晶体及Li-1 、F+1两种空位分别存在时的反射、折射率、介电函数和光损失函数等一些光学性质,并将理想和含空位的做了比较,结果表明:102 GPa压力下空位的存在对LiF在可见光范围内这些光学性质都不产生影响,但由于F+1空位的存在使LiF晶体对光的吸收发生了红移现象. 相似文献