基于C语言的二维细胞结构蒙特卡罗法仿真

本文介绍了二维肥皂泡的计算机仿真方法，并引进蒙特卡罗法研究此类系统。采用BorlandC＋＋语言编写了仿真程序，使输出结果更加直观。     

DMOS阈值电压二维模型

提出了DMOS器件的二维阈值电压模型,分析了耗尽层宽度的变化,并得到了模型的数学表达式.模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合.给出了沟道表面扩散浓度在2.0×1016～10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式.该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题.     

DMOS阈值电压二维模型

提出了DMOS器件的二维阈值电压模型 ,分析了耗尽层宽度的变化 ,并得到了模型的数学表达式 .模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合 .给出了沟道表面扩散浓度在 2e16～ 10 e 10 16cm-3 范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式 .该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题 .     

一种新的二维耳蜗模型

本文与传统的把耳蜗流体视为理想流体的观点不同,而是把耳蜗流体视为实际的粘性流体,并根据粘性流体力学理论获得了一组耳蜗方程。本文对传统理论中的边界条件做了更加合理的调整之后,采用不同的解法,解出了该耳蜗方程,从面建立了一种新的二维耳蜗模型。计算结果表明,本模型与传统的二维耳蜗模型相比,具有结构简单,运算量低的特点,此外,本模型的频率特性比传统模型的频率特性也更加接近Rhode在鼠猴耳蜗中所测得的实际耳蜗频率特性。     

二维系统最小状态空间实现

本文采用Givone-Roesser状态空间模型,对任意二维线性时不变系统传输函数提出了一种最小状态空间描述法。     

砷化镓声电荷输运的二维互作用模型

本文对砷化镓Ｓｃｈｏｔｔｋｙ－Ｎ结构的埋沟声电荷输运器件中的信号电荷包与声表面波非线性互作用建立了二维模型．研究了电荷包的声表面波输运特性，给出了包内信号电行密度分布，电荷包形状及电荷量随器件电荷加载、沟道常数等特性参量的变化特性．     

二维数字系统的系数灵敏度和结构优化

本文从二维数字系统的Roesser模型出发,在Kawamata等人定义的灵敏度的基础上,导出了系统传输函数对全体系数的标量灵敏度的新的表达式,并给出了一种降低灵敏度的优化方法,该优化方法不仅可以降低系数灵敏度,还可以提高结构的效率.举例结果表明,新的表达式与Kawamata等人的表达式相比,能更好地与计算机模拟结果相符.     

多层二维周期结构的广义传输线分析法

本文提出一种有效的求解多层二维周期结构散射特性的方法,它基于广义传输线法求得广义传输矩阵。其数值结果与谱域法结果和实验结果均比较一致。     

部分埋氧结构VDMOS器件的二维势模型

提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。借助场解析方法,首先划分该结构器件的工作区域,由边界连续条件,求解各区的泊松方程,建立部分埋氧结构VDMOS器件二维势分布的解析模型。分析结果表明,在漏端电压分别为100V和200V下,电势解析解与数值解误差分别小于3%和4.7%。VDMOS器件引入埋氧层能显著提高耐压,且部分埋氧层的长度对VDMOS器件的耐压影响大于埋氧层的宽度对耐压影响。     

深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的二维电流模型

建立了深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET器件的二维电流模型;运用HSPICE软件,模拟得到其电流-电压特性曲线.与相同条件下的全耗尽SOI MOSFET相比,该新型SOI器件具有更大的电流输出,是一种直流性能优异的新型SOI器件.     

二维光子晶体三角形结构带隙研究

通过改变二维光子晶体三角形结构的晶格元胞半径、晶格周期和厚度,模拟其带隙变 化,分析变化规律,为二维光子晶体集成波导提供理论基础。     

一类二维下标序列的分析

本文提出了一类新的伪随机采样序列模型——二维下标序列,给出了一种由多个线性移位寄存器(LSR)互控产生的二维下标序列模型,并讨论了其极小多项式、周期和线性复杂度的有关性质。