基于粒子群优化支持向量机的太阳电池温度预测

建立通用而精确的太阳电池热模型对光伏系统的建模、输出功率与转换效率的损失分析至关重要. 基于复杂的太阳电池温度机理, 分别研究了太阳电池温度的稳态热模型(steady state thermal model, SSTM)和支持向量机(support vector machines, SVM) 方法建立的精确预测热模型. 首先, 基于空气温度、太阳辐射强度、风速3个最主要因素与太阳电池温度的近似线性关系, 在已有SSTM的基础上, 建立并校正了太阳电池的SSTM并采用差分进化算法提取模型的未知参数. 其次, 为提高SVM的模型预测精度, 采用粒子群优化(particle swarm optimization, PSO) 算法对SVM的核参数和惩罚因子进行动态寻优, 在确定输入/输出样本集并划分训练集和测试集的基础上, 建立了基于粒子群优化支持向量机(PSO-SVM)的太阳电池温度精确预测热模型. 最后, 搭建实验平台, 在实验操作过程中减弱空气湿度、太阳入射角和热迟滞效应等因素对太阳电池温度的耦合. 通过实验对比表明, 建立的预测热模型性能可靠、全面、简洁, 其参数寻优算法优于遗传算法和交叉校验法, 模型预测精度优于反向传播神经网络(back propagation neural network) 和SSTM.     

基于自相关函数的非平面表面粗糙度的图像纹理研究

采用自相关函数对不同加工工艺形成的非平面工件表面粗糙度进行了研究。讨论了自相关函数及其扩展度参数与图像纹理特性的关系,构建了实验装置,利用图像处理软件对实验所得的激光散斑图像进行了处理,得到了自相关函数及其扩展测度参数随表面粗糙度的变化曲线。为研究非平面工件的粗糙度,提供了一种新的方法。     

高效平面异质结有机-无机杂化钙钛矿太阳电池的质量管理

基于有机-无机杂化钙钛矿材料的太阳电池具有能量转换效率高和制备工艺简单等优点,引起了学术界的高度关注.其中平面异质结结构太阳电池具有结构简单,可与其他类型电池相兼容以构筑叠层电池设计,以及可低温制备等诸多优点,成为当前的一个重要研究方向.然而,电池性能的优劣与钙钛矿薄膜质量的高低有着直接的联系.本文对钙钛矿材料的特性、一步溶液法制备薄膜的成核-生长机理、电池结构的演变等进行了概述,其中重点介绍了高质量钙钛矿薄膜溶液法制备过程的一些最新的质量控制方法;最后对钙钛矿太阳电池的发展及存在问题进行了总结和展望,为今后的研究提供参考.     

一种基于Logistic模型的突变过程性分析方法及其应用

传统突变检测方法往往将突变检测的关键放在"突变点"上而忽略突变事件发生、发展乃至消亡的过程. 本文提出一种新的检测突变过程的方法, 其基于Logistic模型推导出能够反应均值突变过程的分段函数, 利用分段函数对实际时间序列进行参数提取, 借助参数的物理意义, 研究分析完整的突变过程, 从而加深对突变过程性的理解和认识, 为进一步研究突变的形成机理、影响因素乃至发展趋势奠定重要的科学基础. 文章还对太平洋年代际振荡 (PDO) 指数进行突变过程性检测, 发现1940/1942, 1977, 1987年开始序列发生突变, 突变持续时间锁定在某些固定值, 并且系统相图表明一般性系统存在三种基本的状态. 关键词： 均值突变 参数提取 突变过程 突变持续时间     

硅异质结太阳电池的物理机制和优化设计

硅异质结太阳电池是一种由非晶硅薄膜层沉积于晶硅吸收层构成的高效低成本的光伏器件,是一种具有大面积规模化生产潜力的光伏产品.异质结界面钝化品质、发射极的掺杂浓度和厚度以及透明导电层的功函数是影响硅异质结太阳电池性能的主要因素.针对这些影响因素已经有大量的研究工作在全世界范围内展开,并且有诸多研究小组提出了器件效率限制因素背后的物理机制.洞悉物理机制可为今后优化设计高性能的器件提供准则.因此及时总结硅异质结太阳电池的物理机制和优化设计非常必要.本文主要讨论了晶硅表面钝化、发射极掺杂层和透明导电层之间的功函数失配以及由此形成的肖特基势垒;讨论了屏蔽由功函数失配引起的能带弯曲所需的特征长度,即屏蔽长度;介绍了硅异质结太阳电池优化设计的数值模拟和实践;总结了硅异质结太阳电池的研究现状和发展前景.     

肖特基钙钛矿太阳电池结构设计与优化

有机-无机杂化钙钛矿材料有高吸收系数、低廉的制作成本以及较为简单的制备工艺,在近年来表现出良好的发展前景.本文采用wx-AMPS模拟软件对平面结构钙钛矿太阳电池和肖特基钙钛矿太阳电池进行建模仿真对比,从理论上分析无载流子传输层的肖特基钙钛矿太阳电池的优势.结果显示,器件两侧电极功函数和吸收层的能带分布是提高太阳电池效率的关键.在对电极使用Au(功函数为5.1 eV)的前提下,透明导电电极功函数为3.8 eV,可以得到肖特基钙钛矿太阳电池转换效率为17.93%.对器件模型吸收层进行优化,通过寻找合适的掺杂浓度,抑制缺陷密度,确定合适的厚度,可以获得理想的转换效率(20.01%),是平面异质结结构(理论转换效率31%)的63.84%.肖特基钙钛矿太阳电池在简单的器件结构下可以获得优异的光电性能,具有较好的应用潜力.     

激光精密刻蚀技术在硅太阳电池制备工艺中的应用

依据光学谐振腔的图解分析与设计方法,对以Nd:YAG固体激光器作光源的激光切割机进行了设计改进,实现了高亮度激光输出.并利用该设备对硅太阳电池进行了激光精密切割试验,使埋栅太阳电池电极槽达到了平均宽度为150±5 μm,槽深100±10 μm的设计指标.在发射结卷包太阳电池所用的硅衬底片上进行激光精密穿孔,目前最小孔径为20 μm.通过应用激光精密刻蚀技术,现将埋栅太阳电池光电转换效率提高到了21%,接近该领域的世界先进水平.     

一种强噪声背景下微弱超声信号提取方法研究

为解决在强噪声背景下获取超声信号的难题,基于粒子群优化算法和稀疏分解理论提出一种强噪声背景下微弱超声信号提取方法.该方法将降噪问题转换为在无穷大参数集上对函数进行优化的问题,首先以稀疏分解理论和超声信号的结构特点为依据构建了粒子群优化算法运行所需要的目标函数及去噪后信号的重构函数,从而将粒子群优化算法和超声信号降噪联系在一起;然后根据粒子群优化算法可以在连续参数空间寻优的特点建立了用于匹配超声信号的连续超完备字典,并采用改进的自适应粒子群优化算法在该字典中对目标函数进行优化;最后根据对目标函数在字典上的优化结果确定最优原子,并利用最优原子按照重构函数重构出降噪后的超声信号.通过对仿真超声信号和实测超声信号的处理,结果表明本文提出的方法可以有效提取信噪比低至-4 dB的强噪声背景下的微弱超声信号,且和基于自适应阈值的小波方法相比本文方法表现出更好的降噪性能.     

柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池界面处理的研究

通过实验和模拟计算对比分析了i/p界面过渡层对太阳电池性能的影响．结合具体实验工艺参数,模拟计算了不同带隙和缺陷态密度的过渡层对太阳电池的影响,同时结合实验情况重现了宽带隙高缺陷态密度过渡层对太阳电池的损伤,为实验结果提供了理论依据．通过优化调整i/p界面过渡层的制备方法得到了转换效率为7.09%的聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池． 关键词： 柔性衬底 太阳电池 AMPS 模拟计算     

空间太阳电池槽式聚光热电联供系统特性分析

建立了空间太阳电池的热电联供系统在槽式聚光条件下的热电性能模型, 并与实验进行了对比.理论计算与实验结果吻合较好, 最大误差在5.1%以内, 证明了该数学模型的正确性.通过此数学模型, 从聚光镜面的光学效率与焦线宽度、导热胶的导热系数、金属平板光照面的吸收率等内部特性参数及风速、太阳直辐射等外部特性参数出发, 对所设计制造的空间太阳电池槽式聚光热电联供系统进行分析.较为全面而系统地分析了这些参数的改变对其系统的热电效率、总效率及火用效率等性能指标的影响, 其中聚光镜面的光学效率影响最大, 光学效率从0.5增加至0.95, 系统的总效率和火用效率分别增加0.9倍和0.5倍, 其余参数对性能也有较强影响.研究结果为新一轮系统装置的制作提供了优化设计基础.     

扫描隧道显微术中的微分谱学及其应用

文章介绍了扫描隧道显微术中微分谱学的原理及其在实验中的诸多应用.微分谱(dI/dV谱)和dI/dV成像可用来研究电子局域态密度在能量和空间的分布,即微分谱固定空间一点,反映电子态密度以能量为变量的分布;而dI/dV图像则反映某给定能量的电子局域态密度以空间为变量的分布.二次微分谱(d2I/dV2谱)和二次微分成像可以用来反映分子的非弹性隧穿过程,从而研究分子的振动态.     

光伏电池组件隐式、显式单二极管模型准确性对比研究

光伏电池组件非线性输出特性的物理建模及其优化参数的准确提取是光伏发电系统设计计算、性能评估及优化控制的重要前提.相对于传统的隐式单二极管模型,该文在光伏电池显式单二极管模型的基础上利用Lambert W函数推导了光伏组件的显式单二极管模型,提出一种基于重启边界约束Nelder-Mead单纯形算法的参数提取方法rbcNM,并利用两种典型光伏电池组件的实测数据对隐式、显式单二极管模型的准确性进行了对比测试和验证.结果表明:rbcNM算法可以快速准确的提取隐式、显式单二极管模型的优化参数,计算结果与实测数据具有很好的一致性,相对于已有文献在准确度上取得了大幅度的提升;显式单二极管模型的准确性显著高于隐式单二极管模型,对光伏电池组件的电流-电压和功率-电压特性曲线具有更高的拟合精度.     

Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance-voltage curve of an AlGaN/GaN Schottky diode

An Ni/Au Schottky contact on an AlGaN/GaN heterostructure has been prepared. By using the peak-conductance model, the threshold voltage and the series resistance of the AlGaN/GaN diode are simultaneously extracted from the conductance-voltage (G-V) curve and found to be in good agreement with the ones obtained by using the capacitance-voltage (C-V) curve integration and the plot of dV/d(ln I) versus current I. Thus, a method of directly and simultaneously extracting both the threshold voltage and the series resistance from the conductance-voltage curve for the AlGaN/GaN Schottky diode is developed.     

扫描隧道显微术中的微分谱学及其应用

文章介绍了扫描隧道显微术中微分谱学的原理及其在实验中的诸多应用。微分谱（dI／dV谱）和dI／dV成像可用来研究电子局域态密度在能量和空间的分布，即微分谱固定空间一点，反映电子态密度以能量为变量的分布；而dI／dV图像则反映某给定能量的电子局域态密度以空间为变量的分布，二次微分谱（d^2I／dV^2谱）和二次微分成像可以用来反映分子的非弹性隧穿过程，从而研究分子的振动态。     

Observation of spin-polarized surface states on ultrathin bct Mn(001) films by spin-polarized scanning tunneling spectroscopy

We report the observation of a magnetic contrast of up to 20% in the scanning tunneling spectroscopy dI/dV maps obtained with Fe-coated tips on Mn(001) layers grown on an Fe(001) whisker at 370 K. These nanometer resolution microscopy results show that the layers couple antiferromagnetically. By normalizing the dI/dV curves by tunneling probability functions, we found a spin-dependent peak on the body-centered-tetragonal (bct) Mn(001) surface at +0.8 V, whose high spin polarization gives rise to the dI/dV map contrast. Band structure calculations allow one to identify the +0.8 V peak as due to two spin-polarized d(z(2)) surface states.     

Local electronic structure and Fano interference in tunneling into a Kondo hole system

Motivated by the recent success of local electron tunneling into heavy-fermion materials, we study the local electronic structure around a single Kondo hole in an Anderson lattice model and the Fano interference pattern relevant to STM experiments. Within the Gutzwiller method, we find that an intragap bound state exists in the heavy Fermi liquid regime. The energy position of the intragap bound state is dependent on the on-site potential scattering strength in the conduction and f-orbital channels. Within the same method, we derive a new dI/dV formulation, which includes explicitly the renormalization effect due to the f-electron correlation. It is found that the Fano interference gives asymmetric coherent peaks separated by the hybridization gap. The intragap peak structure has a lorenzian shape, and the corresponding dI/dV intensity depends on the energy location of the bound state.     

Interference and Interaction in multi-wall carbon nanotubes

We report equilibrium electric resistance R and tunneling spectroscopy (dI/dV)measurements obtained on single multi-wall nanotubes contacted by four metallic Au fingers from above. At low temperature quantum interference phenomena dominate the magnetoresistance. The phase-coherence (l_φ)and elastic-scattering lengths (l_e)are deduced. Because l_e is of order of the circumference of the nanotubes, transport is quasi-ballistic. This result is supported by a dI/dV spectrum which is in good agreement with the density of states (DOS) due to the one-dimensional subbands expected for a perfect single-wall tube. As a function of temperature T the resistance increases on decreasing T and saturates at ≈1–10 Kfor all measured nanotubes. R(T) cannot be related to the energy-dependent DOS of graphene but is mainly caused by interaction and interference effects. On a relatively small voltage scale of the order ≈10 meV, a pseudogap is observed in dI/dV which agrees with Luttinger-liquid theories for nanotubes. Because we have used quantum diffusion based on Fermi-liquid as well as Luttinger-liquid theory in trying to understand our results, a large fraction of this paper is devoted to a careful discussion of all our results. Received: 17 May 1999 / Accepted: 18 May 1999 / Published online: 4 August 1999     

Spin-triplet superconductivity in Sr2RuO4 probed by andreev reflection

The superconducting gap function of Sr2RuO4 was investigated by means of quasiparticle reflection and transmission at the normal conductor-superconductor interface of Sr2RuO4-Pt point contacts. We found two distinctly different types of dV/dI vs V spectra either with a double-minimum structure or with a zero-bias conductance anomaly. Both types of spectra are expected in the limit of high and low transparency, respectively, of the interface barrier between a normal metal and a spin-triplet superconductor. Together with the temperature dependence of the spectra this result strongly supports a spin-triplet superconducting order parameter for Sr2RuO4.     

Surface scattering via bulk continuum states in the 3D topological insulator Bi2Se3

We have performed scanning tunneling microscopy and differential tunneling conductance (dI/dV) mapping for the surface of the three-dimensional topological insulator Bi(2)Se(3). The fast Fourier transformation applied to the dI/dV image shows an electron interference pattern near Dirac node despite the general belief that the backscattering is well suppressed in the bulk energy gap region. The comparison of the present experimental result with theoretical surface and bulk band structures shows that the electron interference occurs through the scattering between the surface states near the Dirac node and the bulk continuum states.     

Electronic density oscillations in gold atomic chains assembled atom by atom

Linear Au chains two to 20 atoms long were constructed on a NiAl(110) surface via the manipulation of single atoms with a scanning tunneling microscope. Differential conductance (dI/dV) images of these chains reveal one-dimensional electronic density oscillations at energies 1.0 to 2.5 eV above the Fermi energy. The origin of this delocalized electronic structure is traced to the existence of an electronic resonance measured on single, isolated Au atoms. Variations in the wavelength in dI/dV images of an eleven-atom chain taken at different energies revealed an effective electronic mass of 0.4+/-0.1 times the mass of a free-electron.