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在弹性力学模型下,推导非理想耦合状态的磁电(ME)电压系数公式.利用CFO随磁场变化的磁致伸缩特性,得到PMN-PT与CFO复合材料的磁电电压系数随磁场以及各参量的变化关系公式.研究了磁电电压系数在磁场下随磁场强度、压电相体积分数v、界面耦合系数k以及PMN-PT介电常数之间的变化关系.研究结果发现:磁电电压系数随PMN-PT体积分数和磁场强度的增大,表现为先增大,后逐渐减小至零;磁电电压系数强烈地依赖于界面耦合系数,耦合系数减小会极大降低复合材料的磁电效应;同时,磁电效应具有一定的频率特性,随着频率的逐渐增大而增大,直至达到稳定. 相似文献
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分析和测试了偏置电压调整时PZT5/Terfenol-D/PZT8层合换能结构磁电性能. 提出了一种磁致伸缩/压电层合磁电换能结构的一阶谐振频率控制方法. 通过改变压电驱动层的直流电压对磁电层合结构的预应变进行改变, 从而调整谐振频率. 分析偏置电压、 应变、 弹性模量、 谐振频率和谐振磁电电压系数之间关系. 分析表明: 在较小应变情况下, 控制电压几乎可以线性调节谐振频率, 而层合结构谐振磁电电压系数几乎与偏置电压无关. 实验研究验证: 理论与实验结果较好吻合. 在-170 V-+170 V的偏置电压时, 谐振频率可以几乎线性调整. 最大频率调整量达到1 kHz, 偏置电压对一阶纵振频率的控制率达到: 2.94 Hz/V. 在偏置磁场为0-225 Oe时, 谐振频率调整量与偏置磁场无关. 偏置磁场会改变谐振磁电电压系数, 在大于178 Oe静态磁场偏置时, 磁电电压系数最大, 达到1.65 V/Oe. 相似文献
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磁致伸缩/压电复合材料通过磁致伸缩和压电效应的乘积而可以获得大的磁电效应.用磁控溅射方法制备了TbDyFe/PZT层状复合材料,实验测试了TbDyFe/PZT两层及TbDyFe/PZT/TbDyFe三层复合材料的磁电电压系数随周期磁场频率的变化关系,并采用有限元数值计算方法对两种材料的磁电电压系数进行了计算.研究结果表明,实验测试曲线与数值计算结果符合很好,所制备的层状复合材料在共振频率处存在最大的磁电电压系数值,由于两层板与三层板的振动模式不同,三层复合板的共振频率远高于两层复合板的共振频率.在非共振频率下,三层复合板的磁电转换效应高于两层复合板.有限元计算结果还显示,磁电层状复合材料的磁电电压系数随磁致伸缩层厚度的增加而增大.
关键词:
磁电效应
层合板
TbDyFe
有限元分析 相似文献
5.
利用阶梯形变幅杆的应变放大作用,构造了磁致伸缩/阶梯形弹性基底/压电复合结构. 采用等效电路法分析了沿长度方向振动复合结构的一阶磁电响应. 计算了Terfenol-D/阶梯形铍青铜基底/PZT-5H复合结构的磁电响应,并与实际结构的磁电响应进行了比较,由于理论分析中忽略了胶层产生的损耗,理论值和实验结果的变化规律相似,但是谐振频率点和磁电电压转换系数有一定的差异. 同时比较了阶梯形基底和等截面杆基底复合结构,分析表明前者具有更高的磁电电压转换系数. 研究了阶梯形弹性基底长度比及层厚比对复合结构纵振动一阶模
关键词:
磁电效应
磁致伸缩/压电复合结构
磁电响应 相似文献
6.
磁致伸缩和压电层合材料通过磁致伸缩和压电效应的乘积可以获得大的磁电效应.通过材料的力学本构方程,建立了对称磁电层合板磁电耦合的静态力学模型;采用ANSYS 80多物理场有限元分析软件,对层合结构的磁电转化效应进行了数值计算,并与理论计算值进行了对比.研究结果表明:磁致伸缩/压电的厚度比增加使磁电电压系数增大;所推导的磁电电压系数公式的计算值与等效电路模型推导的公式计算值符合很好;有限元数值计算结果介于两种模型的计算结果之间.
关键词:
磁电效应
层合板
本构方程
有限元分析 相似文献
7.
提出了一种基于能量转换原理的磁致伸缩/压电层合材料低频磁电响应模型,并对不同层合结构的磁电响应特性进行了对比研究.该模型假定层合材料层间能量传递通过层间剪切力来实现,利用应力函数法分析了磁致伸缩层和压电层的应力与应变,求出了磁致伸缩层的应变能和存储磁场能以及压电层的应变能和电场能;利用Hamilton最小能量原理求出了层间剪切力的大小,获得了开路状态下层合材料的低频磁电响应模型.发现磁电电压系数与磁致伸缩材料的磁导率、泊松比、磁机耦合系数以及压电材料的泊松比、机电耦合系数等有关,并对这些参数的影响进行了分析.同时对两层和三层结构的层合材料磁电特性进行了对比研究,发现层合结构不同则获得的磁电系数公式不同,用相应的公式计算得到的误差才会最小.研究结果表明,本文的理论误差小于6.5%,与其他方法相比,本文的理论模型能更好地描述磁电层合材料的低频磁电响应特性. 相似文献
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分析和推导了磁致伸缩/压电叠层复合材料的机-电耦合系数、磁-机耦合系数及磁-电耦合系数与磁致伸缩层和压电层性能参数及几何参数之间的关系.进一步分析表明,叠层复合材料低频时的磁电电压系数正比于磁-电耦合系数,谐振时的磁电电压系数正比于磁-电耦合系数与机械品质因素的乘积;磁电电压系数还与复合结构的本征阻抗有关,本征阻抗越大磁电电压系数越大.通过性能差异较大的Terfenol-D和FeNi基弹性合金分别与压电材料PZT5-H和PZT8相互组合构成复合材料的比较分析,进一步阐明了磁电复合材料磁-电耦合系数和机械品
关键词:
磁电效应
磁-机-电耦合系数
磁致伸缩材料
压电材料 相似文献
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采用溶胶凝胶方法制备了Fe掺杂钛酸钡多晶系列陶瓷BaTi1-zFezO3+δ(0.005≤z≤0.02 (BTFO).X射线衍射实验显示,所制备的BTFO的结构仍然为四方相钙钛矿.差热分析表明,该BTFO样品的铁电-顺电转变温度及相变潜热随掺杂量z的增加而下降.将该BTFO极化后与Tb1-xDyxFe2-y粘合制成磁电(ME)双层复合结构材料.测量了该系列双层复合结构材料的ME效应.在偏置磁场和频率为100 Hz的交流磁场下,当z=0.015时具有最大ME效应.在室温和60 kA/m的磁场下,其ME电压系数可达1788 mV/A.ME耦合频谱分析亦显示,z=0.015的双层复合材料有较高的共振峰和共振频率,前者源于BTFO中较高的压电系数,而后者应归结为界面耦合系数的差别. 相似文献
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构造了FeCuNbSiB/FeNi/PZT磁电复合结构并与FeNi/PZT复合结构进行了对比研究.分析了高磁导率材料FeCuNbSiB对FeNi磁场的影响机理,研究了FeCuNbSiB/FeNi/PZT三相复合结构的磁电效应.实验表明,在FeNi/PZT两相层合结构中黏接FeCuNbSiB层后:1)最优偏置磁场从200 Oe降低到55 Oe,最大谐振磁电电压系数从1.59 V/Oe增大到2.77 V/Oe;2)在低偏置磁场中,层合结构磁电电压转换系数提高了1.7—7.8倍;3)层合结构的磁电电压对静态磁场
关键词:
层合结构
最优偏置磁场
高磁导率
磁电电压转换系数 相似文献
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将磁致伸缩材料及压电材料本构方程与运动方程结合,考虑压电材料具有的高输出阻抗的特点及测试设备的有限输入阻抗和传输信号引线电容对磁电效应输出电压的影响,推出了Terfenol-D巨磁伸材料与横向极化Pb(Zr1-xTix)O3压电材料的磁电效应理论,研制了由一维磁伸材料构成的三明治结构元件并对其性能进行了测试,采用考虑了测试系统有限输入阻抗后建立的磁电效应理论结果与实验结果更符合.理论结果表明磁电元件在有限输入阻抗
关键词:
磁电效应
有限输入阻抗
压电/磁伸复合
一维磁伸材料 相似文献
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本文完整推导了无直流偏磁条件下, 磁致伸缩材料和压电材料黏接而得的磁电层状复合材料输出电压、电流、磁电系数表达式, 制备了多个样品并实现了电能无线传输系统. 对样品的测试结果验证了理论分析的正确性. 进一步试验结果表明: 磁电层状复合材料的输出具有倍频特性, 材料长度与谐振频率成反比, 谐振状态下样品可在20 Oe的磁场中输出接近100 V (有效值)开路电压, 样品最大传输功率为520 mW (此为该传输方式下公开报道的最大功率), 功率密度为1.21 W/cm3, 样品最大传输效率达35%, 30°以内的偏转角度对材料的输出无显著影响. 试验结果表明, 基于Metglas/PFC磁电层状复合材料是小体积、 小功率、 对传输效率不甚敏感的电能无线传输应用的一种非常有前景的实现方式.
关键词:
磁电复合材料
无线能量传输 相似文献
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基于纵向极化压电材料及纵向磁化磁致伸缩材料的压电和压磁方程与磁电元件运动方程,给出磁电元件开路电压表达式;鉴于压电材料高输出阻抗的特点,考虑测试仪器的有限输入阻抗和传输信号引线电缆电容,通过建立等效电路模型推出了非开路情况下磁电电压计算式,取不同材料参数对磁电电压进行了数值计算.研究表明,材料参数、电路参数对输出电压均产生影响.对磁伸材料两端面受非均匀偏置磁场产生外力的非自由边界磁电效应进行研究发现,恒外力作用使压电元件产生不可检测的稳恒电压.
关键词:
纵向极化
磁电效应
磁电元件
层叠材料 相似文献
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Giant low-frequency magnetoelectric torque (MET) effect in polyvinylidene-fluoride (PVDF)-based MET device
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A polyvinylidene-fluoride(PVDF)-based magnetoelectric torque(MET) device is designed with elastic layer sandwiched by PVDF layers, and low-frequency MET effect is carefully studied. It is found that elastic modulus and thickness of the elastic layer have great influences on magnetoelectric(ME) voltage coefficient(α_(ME)) and working range of frequency in PVDF-based MET device. The decrease of the modulus and thickness can help increase the α ME. However,it can also reduce the working range in the low frequency. By optimizing the parameters, the giant α_(ME) of 320 V/cm·Oe(1 Oe = 79.5775 A·m~(-1) at low frequency(1 Hz) can be obtained. The present results may help design PVDF-based MET low-frequency magnetic sensor with improved magnetic sensitivity in a relative large frequency range. 相似文献