用不同的近似方法计算极性晶体中强耦合磁极化子有效质量与温度的关系

采用改进的线性组合算符法研究极性晶体中强耦合磁极化子的有效质量与温度的关系.详细讨论了在不同的近似计算程度情况下有效质量的温度特性.结果表明:不同的近似计算程度可给出磁极化子有效质量随温度的升高而增加和减小两种截然相反的结论.     

近似程度对强耦合磁极化子平均数特性的影响

本文应用幺正变换和线性组合算符法研究了极性晶体内强耦合磁极化子的平均数^-n与磁场B和温度T之间的依赖关系。讨论了在不同的近似计算程度情况下,磁极化子平均数与磁场和温度的特性。对RbCl晶体所作的数值计算结果表明：当计算的近似程度较低时,磁极化子的平均数随温度的升高而减小,但随磁场的加强而增大;当计算的近似度较高时,磁极化子的平均数随温度的升高而增大,但随磁场的加强而减小。     

磁场和温度对束缚磁极化子有效质量的影响

研究强、弱耦合情形下,库仑场中束缚磁极化子的性质.采用改进的线性组合算符方法研究束缚磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性,对RbCl晶体进行数值计算,结果表明:在强耦合情形下,束缚磁极化子的振动频率随温度的升高和磁场的增强而增加;有效质量随温度的增加而增加,但随磁场的增强而减少.     

InAs晶体二维自旋磁极化子自陷能的磁温效应

 在同时考虑磁场和高温高压的情况下,应用么正变换和线性组合算符法,研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子自陷能的影响。对InAs半导体所作的数值计算结果表明,不同方向的电子自旋使弱耦合二维磁极化子的自陷能分裂为二。分裂的程度随磁场的加强而加剧。随着磁场或温度的增加,磁极化子的自陷能减小而电子自旋能量与磁极化子自陷能之比增大。当磁场足够强或温度足够高时,电子自旋能量与磁极化子自陷能之比是很大的。     

磁场中准二维强耦合磁极化子的有效质量

采用改进的线性组合算符和LLP变分法,研究了外磁场对量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合磁极化子的有效质量的影响。对AgCl/KI量子阱进行了数值计算,结果表明,磁极化子的有效质量随阱宽的增加而减小,随磁场的增强而增大,但不同支声子与电子和磁场相互作用对磁极化子有效质量的贡献大不相同。     

弱耦合多原子晶体中磁极化子的有效质量

采用Lagrange乘子法。利用Huybrechts线性组合算符和幺正变换。研究弱耦合多原子半无限极性晶体中磁极化子的振动频率和有效质量。结果表明：在电子无限接近晶体表面时。磁极化子的振动频率和有效质量均与表面磁极化子的相同；在电子处于晶体深处时。磁极化子的振动频率未变，但其有效质量除了与声子和电子间耦合常数有关外，还与其所处深度有关。     

Rashba效应对量子线中束缚磁极化子性质的影响

采用改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了Rashba效应对抛物量子线中强耦合束缚磁极化子性质的影响.计算了抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的有效质量和振动频率,对Rb Cl材料的数值计算结果表明:量子线中强耦合束缚磁极化子的振动频率随受限强度和回旋频率的增加而增大;有效质量与磁极化子的受限强度、回旋频率和电子面密度有关,在Rashba效应影响下有效质量随上述各量的变化曲线都发生了分裂.     

温度对抛物量子点中强耦合磁极化子性质的影响

采用线性组合算符法和LLP变换法,研究了温度对抛物量子点中强耦合磁极化子性质的影响.首次得到了抛物量子点中强耦合磁极化子的基态能量和振动频率随温度的变化规律.结果表明,量子点中强耦合磁极化子的振动频率随温度的升高而减小,随量子点的受限强度、回旋频率和耦合强度的增加而增大.而基态能量随回旋频率、耦合强度和温度变化的规律与磁极化子的状态性质密切相关.磁极化子基态能量和振动频率随量子点的受限强度、回旋频率和耦舍强度的变化情况受温度的显著影响,不过,温度对磁极化子基态能量和振动频率的影响只有在较高温度(O<γ<0.5)时才显现.     

抛物量子点中强耦合磁极化子的性质

采用Pekar类型的变分方法研究了抛物量子点中强耦合磁极化子的基态和激发态的性质。计算了基态和激发态磁极化子的束缚能以及磁极化子的共振频率。讨论了这些量对回旋频率和有效限制强度的依赖关系,以及磁极化子光学声子平均数的性质,结果表明:由于Zeeman劈裂,抛物量子点中磁极化子的回旋共振频率劈裂为两支。基态和激发态磁极化子的束缚能以及磁极化子的共振频率都随回旋频率的增加而增大,随量子点的有效束缚强度的增大而减小。     

磁场中束缚极化子的有效质量

研究磁场中束缚极化子有效质量的性质,采用改进的线性组合算符和变分法讨论了磁场中强、弱耦合极化子的振动频率和有效质量与磁场B和库仑势的关系。以RbCl晶体为例进行了数值计算,结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率λ和有效质量m^*随磁场B的增加而增大。弱耦合磁极化子的振动频率λ也随磁场的增加而增加,并且发现由于库仑势的存在,使得强耦合束缚磁极化子的振动频率λ和有效质量m^*有所增大。弱耦合磁极化子的有效质量仅和耦合强度α有关。     

磁场中与形变势相互作用的表面极化子的有效质量

近年来 ,磁场中极性晶体表面极化子的性质已引起人们的广泛关注。Ｌａｒｓｅｎ[1 ] 采用四级微扰法计算了磁场中二维极化子的基态能量。Ｗｅｉ等[2 ] 用格林函数方法研究了交界面磁极化子的回旋共振质量和频率。本文作者之一[3] 用线性组合算符讨论了磁场中表面极化子的性质。实际上 ,到目前为止 ,对表面磁极化子的研究 ,只限于考虑表面电子只与表面光学 (ＳＯ)声子和体纵光学 (ＬＯ)声子相互作用 ,而忽略了表面电子与表面声学 (ＳＡ)声子相互作用。对电子通过形变势与晶格声学振动相互作用形成的准粒子 声学形变势 (ＡＤＰ)极化子性质的研…     

自旋和声子之间相互作用对TlBr晶体中表经极化子性质的影响

在考虑电子自旋和声子之间相互作用的同时,采用线性组合算符和微扰法研究半无限Ｔ１Ｂｒ晶体内表面磁极化子处于基态时的振动频率和诱生势与磁场Ｂ和距晶体表面距离（坐标）ｚ之间的依赖关系。     

二维非极性晶体中声学形变势表面磁极化子

本文研究磁场中二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面极化子的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法导出表面磁极化子的基态能量。讨论了表面磁极化子的振动频率、基态能量和有效质量与磁场的关系。     

表面极化子光学声子平均数的磁场和温度依赖性

采用变分法、幺正变换和拉格朗日乘子法,研究了有限温度下纯二维晶体中表面磁极化子的性质.讨论了表面光学声子平均数、磁极化子振动频率λ与磁场B、温度T及Lsgrange乘子u之间的关系.对KCl晶体进行了数值计算,结果表明:磁极化子振动频率、表面光学声子平均数均随磁场B的增强而增加,且随温度T升高而增加.当bgrange乘子u超出慢电子范围时磁极化子振动频率、表面光学声子平均数均随u增加而增大且变化越来越显著.     

柱形量子线中体纵光学声子平均数

考虑电子与体纵光学声子相互作用时,采用LLP变分方法,研究柱形量子线中极化子性质,导出了柱形量子线中极化子光学声子平均数随量子线截面半径和电子-LO声子耦合强度的变化关系.结果表明柱形量子线中极化子的光学声子平均数随量子线截面半径减小而减小,随电子-LO声子耦合强度增强而增加.     

Cyclotron Resonance of an Interface Magnetopolaron at Finite Temperatures

Taking into account the interaction of an electron with both bulk longitudinal-optical (LO) and interface-optical (IO) phonons, the cyclotron resonance of an interface magnetopolaron at finite temperatures is investigated by using the generalized Larsen perturbation-theory method. It is shown that the absorption and emission resonance must be considered at the same time at finite temperatures. The results also show the important role played by the electron-IO phonon interaction. For the GaAa/GaSb structure, splitting of the cyclotron resonance spectrum and temperature dependence of the threefold splitting cyclotron resonance mass of the magnetopolaron in the resonant magnetic field region are studied.