铈降低在硫酸溶液中生长的阳极Pb(II)氧化物膜的电阻的研究

应用电化学阻抗频谱法、线性电位扫描法和光电流技术研究了在4.5 mol· dm~(-3) H_2SO_4溶液中Pb-1%(at.)Ce（简称Pb-1Ce）合金在0.9 V (vs. Hg/Hg_2SO_4电极)生长的阳极Pb(II)氧化物膜的电阻较纯铅的低的原因。实验结 果表明，Ce阻抑阳极Pb(II)氧化物膜的生长并增加其孔率，从而降低其电阻。     

锑对在硫酸溶液中形成的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的半导体性质的影响Ⅲ. 交流阻抗法研究阳极Sb~2O~3膜

应用交流阻抗方法研究锑在0.05mol.dm~(-3)H_2SO_4十0.5mol.dm~(-3)Na_2SO_4溶液(30℃)中以0.9V(vs.Hg/Hg_2SO_4/0.05mol. dm~(-3)H_2SO_4)生长3h的阳极Sb_2O_3膜的半导体性质.从Mott-Schottky曲线可知,此膜为n型半导体,平带电位为-0.34V(vs.Hg/Hg_2SO_4/0.05mol.dm~(-3)H_2SO_4),施主密度为4.0×10~(19)cm~(-3).讨论了锑增加铅锑合金阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜施主密度的原因.     

硫酸水溶液中铅阳极膜形成及其结构的非现场FTIR反射吸收光谱—电化学研究

本文用非现场红外反射吸收光谱方法和电化学循环伏安法研究了1.0mol·dm~(-3)H_2SO_4中-0.6至2.5伏电势范围内(相对SCE)Pb阳极膜的形成及其可能的结构。在此电势区内Pb阳极膜中始终存在硫酸铅或碱式硫酸铅,其中SO_4~(2-)主要以桥式双齿配位方式与Pb~(2+)结合。另外,上述电势范围内生成的膜中无可检测量的H_2O和OH~-存在。     

Pb及Pb-7w/O Sb合金在氧析出电位区生长的阳极膜

分别测量了Pb及Pb-7w/0Sb在4.5mol.dm^-^3H^2SO~4(30℃)中于1.3和1.5V(vs.Hg/Hg~2SO~4/4.5mol.dm^-^3H^2SO~4)下在不同时间生长的阳极膜的交流阻抗谱, 并使用线性电位扫描法分析了上述阳极膜的相组成。讨论了上述阳极膜进行的电化学反应的机理, 并据此提出它们的等效电路。实验结果表明上述阳极膜的真实表面积随生长时间而增加, 该膜多孔, 主要由外层为PbO~2的PbO.PbSO~4微粒组成, 锑能显著抑制PbO~2的生长, 特别是在1.3V时。     

铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜——Ⅰ.早期阳极膜生长动力学

本文用线性电位扫描法(20 mV·s~(-1)),自1.2 V(vs.Hg/Hg_2SO_4)扫描至-1.2V,研究了三种铅锑合金在4.5 MH_2SO_4溶液中(30℃),经一定时间(60,600,1200,和2400s)1.2 V 阳极极化形成的阳极膜.该阳极膜的主要成分可能是 PbO·PbSO_4,其表面为 PbO_2.本文推导出与实验一致的此种阳极膜的生长动力学方程式,并利用该式测得氧原子在阳极膜中的扩散系数.     

铈降低在硫酸溶液中生长的阳极Pb(II)氧化物膜的电阻的研究

应用电化学阻抗频谱法、线性电位扫描法和光电流技术研究了在4.5 mol· dm~(-3) H_2SO_4溶液中Pb-1%(at.)Ce（简称Pb-1Ce）合金在0.9 V (vs. Hg/Hg_2SO_4电极)生长的阳极Pb(II)氧化物膜的电阻较纯铅的低的原因。实验结 果表明,Ce阻抑阳极Pb(II)氧化物膜的生长并增加其孔率,从而降低其电阻。     

VA族元素对阳极铅(II)氧化物膜半导体性质的影响(I)

用交流阻抗法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋金在4.5 mol·L~(-1) H_2SO_4溶液(20 ℃)中，以0.9 V(vs．Hg/Hg_2SO_4)极化2 h而形成的阳极膜的半导体性质．根据Mott-Schottky图，此种膜为n型半导体．pb，pb-lat％As，Pb-lat％Sb和Sb-lat％Bi上膜的平带电位分别为-0.95，-1.1, -1.0，-1.1 V(vs. Hg/Hg_2SO_4)；相应的施主密度分别为0.82×10~(16)，2.6×10~(16)，1.2×10~(17)和0.71×10~(16) cm~(-3).     

VA族元素对阳极铅(II)氧化物膜半导体性质的影响(II)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4.5 mol·L~(-1) H_2SO_4溶液(22 ℃)中，以0.9 V(vs．Hg/Hg_2SO_4)极化7 h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t-PbO(四方氧化铝)和o-PbO(斜方氧化铝)的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb-lat％As(at％表示原子百分比，全文同)，Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度(N_D)分别为9.3×10~(15)，1.0×10~(16)，3.1×10~(16)和1.3×10~(17) cm~(-3)，平带位分别为-0.20，－0.22，－0.28和-0.08 V(vs．Hg/Hg_2SO_4)．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t-PbO的N_D(从而自由电子密度)和膜中t-PbO的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-PbO的作用符合Hauffe规则．     

铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜-——Ⅱ.电位对阳极膜生长的影响

本文使用线性电位扫描法还原预恒电位法氧化形成的阳极膜,研究电位对Pb-7Sb,Pb-7Sb-0.3Ag和Pb-5Sb-0.2As三种合金在30℃,4.5MH_2SO_4溶液中的阳极膜的生长速度的影响。在铅锑合金中添加银可降低合金阳极膜的生长速度。但在高电位1.4V(vs.Hg_2SO_4电极)时,Pb-7Sb-0.3Ag合金上的PbO_2膜的生长速度在上述三合金中居首,这可能是由于在银上的氧析出超电势较低的缘故。本文还讨论了这种阳极膜的生长机理。     

CdSe电沉积层的组成及形成机理

伏安曲线和现场光电流测定用于研究在钛基体上阴极电沉积形成Cdse薄膜的机理. XPS实验表明, CdSe沉积层的组成与沉积电位、沉积时间和溶液组成有关.在0.1 mol·L~(-1)CdSO_4+4 mmol·L~(-1)H_2SeO_3+0.2 mol·L~(-1) H_2SO_4溶液中, 当电位比-0.50 V正时生成富Se层, 而当电位比-0.70 V还负时生成富Cd层. 在-0.69 V下沉积, 沉积层的Se/Cd计量比接近1.1. 在同一电位下, 若提高H_2Se0_3浓度, 则沉积物中Se的含量增多. 实验结果表明, CdSe电沉积因条件不同遵循两种不同的机理, 据此讨论了克服Se/Cd比大于1的可能措施。     

流动注射化学发光离子交换法研究Ⅰ.化学发光阴离子交换树脂的研制及应用

本文研制了一种新型的由强碱性阴离子交换树脂(OH形式),转换成N-(β-羧基丙酰基)异鲁米诺(简称CPIL)化学发光形式的阴离子交换树脂.试液中的阴离子将树脂上的发光剂阴离子(CPIL)交换出来与H_2O_2-Fe(CN)_6~(3-)反应,产生化学发光,化学发光的强度与试液中的阴离子浓度成正比.由此建立的流动注射化学发光离子交换测定技术,应用于Cl~-,Br~-,NO_2~-,NO_3~-,SO_4~(2-)等阴离子的测定,对不同的阴离子检测限为8.0×10~(-7)mol·dm~(-3)～1.4×10~(-6)mol·dm~(-3),线性范围可达两个数量级(1×10~(-6)mol·dm~(-3)～1×10~(-4)mol·dm~(-3)).     

CL—P204萃淋树脂吸附及分离钨钼性能的研究

本文报导了用CL—P_(204)萃淋树脂从含大量钨少量钼的溶液中吸附分离钼的性能。实验表明,在H_2SO_4体系中pH=2左右时,树脂吸附钼而不吸附钨。被吸附的钼能容易的被2mol·dm~(-3)NH_3·H_2O—2mol·dm~(-3)NH_4Cl溶液全部洗脱。钨钼混合液中加入EDTA能有效地阻止钨钼杂多酸离子的生成而有助于钨钼分离。分离后溶液中钼含量降至0.01％以下。提供了一种新的钨钼分离方法。     

葡萄糖B-Z体系中酸度变化诱导的复杂振荡反应

本文首次报导了葡萄糖-KBrO_3-丙酮-MnSO_4-H_2SO_4体系的化学振荡反应,在这一体系中改变酸度可产生一系列复杂的振荡现象,当[H_2SO_4]_0>0.36mol·l~(-1)或[H_2SO_4]_0<0.074mol·l~(-1)时,体系分别出现二种不同类型的振荡波形OA和OB,OA振荡存在一诱导期,OB振荡无锈导期;OA的振幅较小,但振荡频率比OB快得多;OB的振荡周期逐渐缩短,但OA.却相反变化.当0.074mol·l~(-1)<[H_2SO_4]_0<0.36mol·l~(-1)时,体系同时出现上述二种类型的振荡波形,中间存在一过渡区域,即产生连续振荡波形.文章讨论了诱导期及过渡时间与[H_2SO_4]_0的关系,对酸度的影响机理作了说明.     

借4-(2-噻唑偶氮)间苯二酚螯合物和反相高压液相色谱法以分离和测定钒、钴和铬

研究了V(Ⅴ)、Co(Ⅱ)和Cr(Ⅲ)的TAR螯合物的柱前衍生条件和反相高压液相色谱分离条件,并提出了同时测定ppb级的此三元素的新方法.于Zorbax ODS柱上,用含0.05mol·dm~(-3)Li_2SO_4和0.01mol·dm~(-3)HOAc-NaOAc(pH 6.0)的46∶54甲醇-水(v/v)溶液作流动相(0.7mL/min),可于15min内将此三螯合物分离并检测(525nm)完毕.此方法快速、经济、灵敏选择性好.     

阳极Pb(II)氧化物膜的阴极还原

采用X射线衍射、光电流谱、线性电位扫描和开路电位衰退等方法研究了Pb电 极在0.9 V(vs.Hg/Hg_2SO_4), 4.5 MOL/l h_2so_4溶液中生长2 h所得的阳极Pb (II)氧化物膜的阴极还原行为。实验结果表明；阳极Pb(II)氧化物膜主要由PbO微 粒和PbO·PbSO_4微粒组成，微粒间液膜可供离子输运；在LSV负向扫描过程中，阳 极Pb(II)氧化物膜是按溶解－沉积机理还原的，首先PbO微粒借助该微粒间的液膜 还原为金属铅，而待PbO微粒表面层转化的金属铅与PbO·PbSO_4微粒接触后，则 PbO·PbSO_4就和PbO一起还原，而以PbO·PbSO_4的还原进程略快。     

铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜 Ⅲ.循环电位对阳极膜生长的影响

铅蓄电池中的正极板栅铅锑合金在充电时能形成多种氧化膜.根据我们先前的工作,可以认为其中主要为PbO_2和PbO·PbSO_4膜,后者在20mV·s~(-1)的线性扫描电位曲线中于-0.82V(vs.Hg/Hg_2SO_4,下同)时给出还原电流峰.因铅蓄电池在放电时,其正极的电极电位在1V左右,所以正极板栅上的PbO·PbSO_4膜不会在放电时被还原.如此,电池经一定次数的充放电循环后,PbO·PbSO_会否因其不被还原以致积累而成为阳极膜的主要成份?为了弄清这一问题,本文模拟铅蓄电池充、放电时正极所处的电极电位范围,采用循环伏安法研     

PbO_2电极上S_2O_8~(2-)离子阳极形成过程的研究

用分解稳态极化曲线的方法,在PbO_2阳极上,H_2SO_4和H_2SO_4-(NH_4)_2SO_4溶液中得到了相应于S_2O_8~(2-)形成和O_2发生的动态力学数据。在高于+2.25V的电位区,这两个反应的Tafel斜率都是2.303RT/βF(β=0.52～O.55),S_2O_8~(2-)形成的电流效率低于29％,且几乎不随阳极电位而改变。S_2O_8~(2-)的形成速度与溶液中硫酸离子浓度无关,而O_2发生速度随硫酸离子浓度的增大稍有减慢。提出了在高电位区S_2O_8~(2-)形成及O_2发生的机理。     

工科无机化学元素部分实验试题

下列试题均要写出实验报告.内容包括详细的实验步骤、实验现象和结果及反应式,并从结果作出相应的推论. 1.根据给定试剂,用实验说明在不同的[H~+]溶液中反应Ni~(2+)+H_2S=NiS_+2H~+进行的情况. 给定试剂:NiSO_4(0.1mol·L~(-1));H_2S(0.1mol·L~(-1));H_2SO_4(2mol·L~(-1));NaOH(2mol·L~(-1))NH_3·H_2O(2mol·L~(-1));二乙酰二肟(丁二酮肟)(1%);pH试纸.     

贵金属元素电化学分析研究Ⅵ.黄原酸钠纤维素酯富集、分离锇、钌样品中的银及其阳极溶出伏安法测定

阳极溶出伏安法(ASV)测定银具有很高的灵敏度。浸石墨电极和热解石墨电极测定天然水和雨、雪中的银。干扰少,灵敏度达4×10~(-11)mol·dm~(-3)。郭耀基等在0.5mol·dm~(-3)HNO_3-0.002mol·dm~(-3)KCl体系中,测定了水中的痕量银。高蒨等测定了土壤中银,灵敏度达0.02ppb。这些方法均不能直接用于贵金属基体锇、钌中杂质银的测定。有效的富集、分离微量和痕量(ppb及ppt级)元素,一直是分析化学家所关注的重要研究课题。目前有     

锗(Ⅳ)-茜素红-VOSO_4-EDTA体系极谱吸附催化波研究

我们曾报道了在氨性缓冲液中锗(Ⅳ)-茜素红(ARS)配合吸附波的研究,在此基础上改变介质条件为酸性,并加入VOSO_4,得到配合吸附平行催化波。锗的最低检出量为1.0×10~(-9)mol·dm~(-3),并做了催化波机理的研究实验仪器 PAR-370电化学系统增配Tektronix 5222型储存示波器,其余同前文。试剂用VOSO_4·H_2O(英国BDH)配制0.20mol·dm~(-3)溶液;锗标准液和ARS溶液的