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如何有效地调整热敏半导体陶瓷的阻温特性,是实际工作中的一大难题.文章从固体材料结构缺陷理论的角度讨论了热敏半导体陶瓷的调阻原理及方法.实践表明,这些理论及方法是行之有效的. 相似文献
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在室温到15K范围内我们对Ni/W金属超晶格的输运性质进行了测量。随温度的降低,反常的电阻跳跃被发现,这种现象被归因子Ni/W超晶格样品从晶态到非晶态的结构相变。温度降低时,样品界面处的原子无序度增大,当这种无序积累到一定程度时样品发生从晶态到非晶态的结构相变。 相似文献
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基于铜互连电迁移失效微观机理分析建立一种Cu/SiCN互连电迁移失效阻变模型,并提出一种由互连阻变曲线特征参数即跳变台阶高度与斜率来获取失效物理参数的提取方法.研究结果表明,铜互连电迁移失效时间由一定电应力条件下互连阴极末端晶粒耗尽时间决定.铜互连电迁移失效一般分为沟槽型和狭缝型两种失效模式.沟槽型空洞失效模式对应的阻变曲线一般包括跳变台阶区和线性区两个特征区域.晶粒尺寸分布与临界空洞长度均符合正态对数分布且分布参数基本一致.阻变曲线线性区斜率与温度呈指数函数关系.利用阻变模型提取获得的电迁移扩散激活能约为0.9eV,与Black方法基本一致. 相似文献
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以工程上常用的66%的乙二醇水溶液作为工质,对几何特性相似而高宽比不同的4种纯铝矩形微通道内的流动特性进行了实验研究,得到了微通道冷板基础性的设计数据。实验测量了Reynolds数在50~500之间的流动阻力系数。实验结果表明:通道高度H与宽度W之比对微通道流阻特性有显著的影响;当Re数小于100时,在实验误差内,流动阻力系数的值近似等于经典理论计算值;随着Re数的增大和高宽比的变化,f的值远大于理论值,这可能是由微通道内部壁面粗糙度效应所导致的。 相似文献
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超薄多晶硅薄膜具有优异的压敏特性。铝诱导层交换(ALILE)制备多晶硅薄膜具有成膜温度低薄膜性能优良等特点。利用ALILE方法在玻璃基底上低温条件下制备了50 nm超薄多晶硅(poly-Si)薄膜,并对薄膜微观结构及压阻特性进行了研究。Raman光谱在521 cm-1出现尖锐、对称的特征峰,表明超薄多晶硅薄膜晶化状态良好。此外,在拉曼光谱480 cm-1处没有明显出现a-Si的Raman特征峰也说明制备的poly-Si薄膜样品完全结晶;XRD光谱表明ALILE制备薄膜在(111)和(220)晶向择优生长,晶粒尺寸约5 μm;霍尔效应测试结果表明:ALILE制备薄膜为p型掺杂,空穴浓度为9×1018~6×1019 cm-3;压阻特性研究表明:ALILE超薄多晶硅薄膜应变系数(GF)达到了60以上,且与薄膜厚度相关;应变温度相关系数(TCGF)在-0.17~0%℃范围内;电阻温度相关系数(TCR)在-0.2~-0.1%℃范围内。ALILE超薄多晶硅薄膜具有GF大、TCGF小和TCR小等特点。因此,有望在压力传感器领域得到应用。 相似文献
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采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可达109.X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明,不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源.椭偏仪的测试结果表明,经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因. 相似文献
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通过实验分析确立了把光纤电阻作为衡量气密性碳涂覆光纤通过2%应变筛选的过渡标准。要拉制2%应变筛选的碳涂覆光纤,其电阻值应小于30kΩ/cm。 相似文献
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碳涂覆光纤表面碳膜形成机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过分析碳涂覆光纤的测试结果,研究碳涂覆光纤碳膜的形成机理,并应用该机理解释涂覆光纤的高可靠性问题和影响光纤初始强度大小的因素。 相似文献
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类前缘防热层流场与热响应耦合计算研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在以往对类前缘防热层热响应计算分析基础上,进一步研究实现了外流场高超音速NS方程数值计算表面气动加热与防热层结构热响应的耦合计算,这对于常用的非耦合计算方法来说是一进步,也为进一步开展外流场/结构热响应/热应力全耦合一体化计算研究和防热层表面吹气强化传热问题的场协同研究打下了基础。 相似文献