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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 468 毫秒
1.
根据一、二、三维体系晶格振动哈密顿量之间相互关系,给出了不同维度声子态密度之间的卷积规律,分析了态密度的卷积条件及卷积所得态密度所对应的物理图象,阐述了态密度卷积方法在求解晶格振动态密度时的可行性及局限性.最后,给出并讨论了本方法获得的几种不同体系的晶格振动态密度结果.  相似文献   

2.
王伟华  卜祥天 《发光学报》2017,(12):1617-1621
基于密度泛函理论,采用第一性原理方法,计算了氧化石墨烯纳米带的电荷密度、能带结构和分波态密度。结果表明,石墨烯纳米带被氧化后,转变为间接带隙半导体,带隙值为0.375 e V。电荷差分密度表明,从C原子和H原子到O原子之间有电荷的转移。分波态密度显示,在导带和价带中C-2s、2p,O-2p,H-1s电子态之间存在强烈的杂化效应。在费米能级附近,O-2p态电子局域效应的贡献明显,对于改善氧化石墨烯纳米带的半导体发光效应起到了主要作用。  相似文献   

3.
从第一性原理出发,基于广义梯度近似密度泛函和全势线性缀加平面波方法(FLAPW),对LaNi4.5Al0.5储氢合金固溶体相α-LaNi4.5Al0.5H0.5的晶体结构、电荷密度和态密度等特征进行了研究.对α-LaNi4.5Al0.5H0.5从能量角度计算得出H原子最可能占据6m格位,并给出了态密度(DOS)和电荷密度图,分析了H与Al之间的相互作用,以及H的加入对固溶体性质的影响,计算结果与实验值符合的相当好.  相似文献   

4.
从第一性原理出发,基于广义梯度近似密度泛函和全势线性缎加平面波方法(FLAPW),对LaNi4.5Al0.5储氢合金固溶体相α-LaNi4.5Al0.5H0.5的晶体结构、电荷密度和态密度等特征进行了研究.对α-LaNi4.5Al0.5H0.5从能量角度计算得出H原子最可能占据6m格位,并给出了态密度(DOS)和电荷密度图,分析了H与Al之间的相互作用,以及H的加入对固溶体性质的影响。计算结果与实验值符合的相当好.  相似文献   

5.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对新型Heusler合金RuMn2 Sn的态密度对外加压力的响应以及其态密度、磁矩对四方变形的响应进行了系统的研究。研究结果表明:1)随着外加压力的增大,态密度向低能区移动,幅度略有增加,原子之间的杂化程度增强,其原因是随外加压力的增大, Ru、Mn以及Sn原子之间的距离减小;2)在由奥氏体态到马氏体态相变的过程中,同样由于合金中各原子之间的距离减小导致态密度向低能区发生移动,体系的能量降低,同时在相变过程中,发现能带变宽,成键作用增强,从而说明马氏体态的稳定性增大;3)在上述相变的过程中, RuMn2 Sn总磁矩的变化主要由Ru原子磁矩的变化决定。  相似文献   

6.
界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低.并给出了实验测定的场效应迁移率和反型层载流子迁移率的比值与界面态密度之间关系. 关键词: 碳化硅 界面态 反型层迁移率 场效应迁移率  相似文献   

7.
叶柳  郭涛 《量子光学学报》1997,3(3):181-184
本文研究了采用密度算符之间距离的概念来定义纯态纠缠态的纠缠度,并研究N个粒子纠缠态的纠缠度如何随对部分粒子进行量子而改变。  相似文献   

8.
吴限量  张德贤  蔡宏琨  周严  倪牮  张建军 《物理学报》2015,64(9):96102-096102
基于GaSb薄膜热光伏器件是降低热光伏系统成本的有效途径之一, 本文主要针对GaSb/CdS薄膜热光伏器件结构进行理论分析. 采用AFORS-HET软件进行模拟仿真, 分析GaSb和CdS两种材料各自的缺陷态密度、界面态对电池性能的影响. 根据软件模拟可以得知, 吸收层GaSb的缺陷态密度以及GaSb与CdS之间的界面态密度是影响电池性能的重要因素. 当GaSb缺陷态增加时, 主要影响电池的填充因子, 电池效率明显下降. 而作为窗口层的CdS缺陷态密度对电池性能影响不明显, 当CdS缺陷态密度上升4个数量级时, 电池效率仅下降0.11%.  相似文献   

9.
基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了Mg在Li(Co,Al)O2中掺杂前后的电子结构的变化.通过能带和态密度的分析,发现Mg掺杂后在价带中引入了电子空穴,同时价带展宽,这两个电子结构的显著变化是引起Li(Co,Al)O2导电率提高的主要机理.通过对Co3d电子态密度的分析发现,在二价Mg掺杂后,Li(Co,Al)O2中的Co价态升高,介于Co3+和Co4+之间.从能带计算出发,进一步定量给出了Co和O的平均价态的变化.  相似文献   

10.
3d 金属电离损失谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
张强基  陈乃群  华中一 《物理学报》1991,40(8):1344-1348
本文利用俄歇电子谱仪对Ti,Cr,Ni,Cu等3d金属的电离损失谱作研究,得到它们的空态密度的一些性质:空态密度的最大值位置、空态密度最大值的相对数值和空态密度的宽度。所得结果与理论模型一致。另外,从电离损失谱获得的束缚能值和自旋-轨道分裂值与用XPS所获结果符合良好。电离损失谱是一种研究空态密度的有效方法。 关键词:  相似文献   

11.
石云龙  聂一行  陈鸿  吴翔 《物理学报》1993,42(10):1648-1653
本文利用微扰及变分法研究了耗散量子隧道系统中热库声子波函数的形变效应,发现形变与热库的维数有关。随着维数降低,一方面形变效应增大,另一方面形变效应对量子隧道系统的影响变得更为显著。 关键词:  相似文献   

12.
本文用蒙特卡罗方法计算了四核子系统的结合能、均方根半径,核子在核内的密度分布和形状因子。我们所取的波函数是含有Jastrow 因子的。通过用本方法计算的结果,证明用蒙特卡罗方法计算原子核的基态问题是可行的。  相似文献   

13.
胡承正 《物理学报》1991,40(1):127-136
本文讨论了高温有机超导所遇到的两个主要问题。首先,从描写有机分子电子态的Bloch波函数出发,利用微扰论,证明了有机分子中的Coulomb场由于可移动电子的存在仍然将产生某种屏蔽作用,其屏蔽长度的平方与Fermi能级处的态密度成反比。其次,利用包含σ键压缩能的分子轨道理论,得到了象聚二苯(polyacenacene)这类有机分子有可能不发生Peierls畸变。由此表明,在其他条件满足时,在某些有机分子中出现超导态是完全可能的,同时也指出了有机材料在Fermi能级处具有较大的态密度似乎是实现Little有机超导设想的关键。  相似文献   

14.
叶红娟 《物理学报》1986,35(7):939-943
在半导体表面的亚微米通道中,实验上发现电导率随门电压的变化呈现出振荡结构,本文利用格林函数方法计算了狭通道的定域态密度,并看到它具有一系列尖峰,因而定性地解释了电导率振荡的来源。 关键词:  相似文献   

15.
张旭  沈柯 《物理学报》2001,50(11):2116-2120
在研究环形腔中激光振荡输出的分岔与混沌的基础上,采用耦合映象格子模型研究了其空间扩展系统的横向效应.数值模拟表明,随着参数的改变,空间扩展系统由均匀稳态、行波解向时空混沌演化.在一定的参数条件下,空间扩展系统从光场取入射平面波(均匀分布)开始,经对称破缺向光学湍流转变. 关键词: 横向斑图 时空混沌 湍流 数值模拟  相似文献   

16.
分析了捕陷的二能级原子在大失谐条件下与驻波光场和行波光场共同作用时的动力学.原子的量子平均能量随时间的变化呈现崩塌-回复的特征,表明这个系统的振动态具有压缩效应.系统的非线性(参数μ)越大,崩塌-回复的频率越大,离子的量子平均能量越小.随着行波场强的增大,冷却原子的振动态压缩效应愈显著. 关键词:  相似文献   

17.
IGCC系统全工况设计优化新方法   总被引:10,自引:1,他引:9  
本文研究开拓基于全工况特性的IGCC联合循环系统设计优化新方法。应用全工况和独立变量概念探讨分析系统设计优化特点和全工况特性规律,寻求系统分析方法和评价准则创新,寻求突破热力系统传统的ISO基准工况设计框架的途径,开展相关实例比较分析研究以验证新方法的有效性。研究表明,应用新方法设计优化得出的IGCC系统性能特性更加贴近实际运行情况与需求。本文研究成果将为相关系统设计优化与运行控制提供有效手段。  相似文献   

18.
本文论述了单片微机系统测量金属导体温阻特性的实验原理,实验装置及R/V转换电路,对一般实验的数据采集与转换具有一定参考价值。  相似文献   

19.
在偶极近似下,研究了激光场中双原子分子的修饰态(dressed state),讨论了修饰态之间的自发辐射;与没有激光时相应过程比较,结果表明激光影响下荧光呈多重结构。  相似文献   

20.
无序系统中电子局域态分布   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
徐慧  曾红涛 《物理学报》1992,41(10):1666-1671
本文应用一种计算无序系统中电子本征态的方法,求得了含有2000个粒子的无序系统中电子局域态的分布,并结合态密度、计算误差进行了分析讨论。所得结果表明,在不同的能量范围内局域态的分布不同,分布可遍及整个系统,且与无序度有关。 关键词:  相似文献   

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