基于光纤环形镜的偏振无关的掺镧锆钛酸铅电光开关

利用掺镧锆钛酸铅(PLZT)陶瓷二次电光效应结合光纤环形镜结构的优势构成偏振无关高速电光开关。采用琼斯矩阵方法分析了光纤环形镜的输出特性,给出了开关消光比同器件结构参量之间的关系。测量掺镧锆钛酸铅电光开关具有输入偏振无关特性,光开关消光比达到25 dB,响应时间小于3μs。此外利用此开关装置测量获得了实验用掺镧锆钛酸铅陶瓷的克尔系数为κ~1.1×10-16m2/V2。理论分析和实验结果表明,利用环形镜结构稳定优势和掺镧锆钛酸铅优良的电光特性结合设计的高速光开关具有良好的应前景。本工作对掺镧锆钛酸铅电光材料的应用推广和高速光开光研究提供了有益的理论和实验参考。     

基于相变换能机理的反铁电陶瓷水声换能器初探

阐述了改性锆锡钛酸铅Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST)反铁电陶瓷作为一种基于相变换能机理的大应变电致伸缩材料的性能特征以及作为水声换能器新型有源材料的优势。采用掺镧改性锆锡钛酸铅PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷材料首次设计制作了纵振式反铁电陶瓷水声换能器。试验结果表明,PLZST反铁电陶瓷用于水声换能器研制在技术上是可行的,与压电陶瓷换能器比较,目前反铁电换能器样品的等效发射电压灵敏度提高3~5dB以上。根据实验情况,认为在发射电压灵敏度和声源级方面具有进一步提升的潜力。     

新型电光材料调制性能研究进展

基于电光晶体的偏振调制技术在激光三维成像领域起着越来越重要的作用.受限于铌酸锂(LN)材料的低视场和高半波电压,采用传统电光调制技术难以进一步提升三维成像性能.随着钙钛矿结构电光材料制备工艺的日趋成熟,基于新型材料的电光调制技术将成为突破激光三维成像探测精度的最佳手段,铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT)、锆钛酸镧铅(PLZT...     

BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜结构设计及制备的实验研究

为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(B IT)各自的铁电性能,提出了一种新的设计思想———多层铁电薄膜.采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了B IT/PLZT/B IT多层铁电薄膜.采用Sawyer-Tower电路测量,其剩余极化强度Pr=34μC/cm2,矫顽场Ec=40 kV/cm.这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能.     

锆钛酸铅镧(PLZT)

几年以前钛酸铅和锆酸铅陶瓷广泛地应用于机电换能器。有人看到锆钛酸铅陶瓷磨成薄片时,相当透明,而且具有单轴双折射的特性,其双折射率可以用电控制。并发现锆钛酸铅掺镧,能有效地改进透明度。接着就有人研究了一种热压含高浓度镧(有时按原子百分比超过20)的陶瓷化合物的新技术,于是生产出一类新的陶瓷,叫锆钛酸铅     

Er掺杂和Er/Yb双掺杂光电陶瓷PLZT的上转换发光

研究了Er掺杂和Er/Yb双掺杂的锆钛酸铅(PLZT)光电陶瓷的上转换发光特性,观测到Er掺杂的PLZT样品在540,566nm附近的绿色发光峰,且随着掺杂浓度的增大而增强;Er/Yb双掺杂的PLZT样品除540,566nm附近处的绿色发光峰外,还有一个较弱的668nm的红色发光峰。另外,上转换发光强度与激发强度的对数关系曲线表明样品的绿光发射和红光发射皆为双光子过程,并且利用喇曼光谱进一步分析讨论了其上转换发光的机制。实验和理论分析表明该材料有望制成电光调Q的双功能上转换激光器件。     

掺铒锆钛酸铅镧陶瓷的上转换动力学分析

测量了掺铒锆钛酸铅镧(Er³⁺:PLZT)陶瓷的吸收光谱和上转换荧光光谱,利用Er³⁺:PLZT的吸收光谱,计算Er³⁺离子的辐射跃迁概率. 分析了980nm 激发下 Er³⁺:PLZT 的上转换荧光光谱,观察到明显的上转换荧光,且峰值位于540,564nm附近的绿色荧光带比 678nm 附近的红色荧光带强. 建立了Er³⁺离子跃迁的速率方程,通过求解速率方程并采用拟合荧光衰减实验曲线的方法,得出 关键词： 频率上转换 3+离子')" href="#">Er³⁺离子 锆钛酸铅镧陶瓷 速率方程     

PLZT电光开关特性及其应用

一、引 言 透明铁电陶瓷锆钛酸铅镧(简称PLZT)是近十年来发展起来的一种新型电光材料[1].由于它们具有优良的电光性能,以及制备工艺较简单等优点,因此,自其问世以来就吸引了很多研究工作者的兴趣.现已在电光技术的各个方面开拓了许多应用研究,涉及到光防护、立体光学、激光、显示、全息和计算技术等各方面[2-6]。 特别是PLZT的某些组分具有电场诱导相变的特性,即在无外加电场时属顺电相,而在外加电场作用下,可强迫感生铁电相.铁电相表现为二次电光效应,即克尔效应,如图1(c)所示.这样就克服了记忆型和线性型材料(图1(a)和1(b))的剩余极化…     

基于蒙特卡罗模拟研究锆钛酸铅镧材料的中子辐照损伤

锆钛酸铅镧(Pb_0.94La_0.06Zr_0.96Ti_0.04O₃,PLZT)具有良好的介电和储能性质,是高效、高能量密度电容元件和存储器件的基体材料.为研究该材料的中子辐照损伤,首先基于Geant4程序包模拟了能量为1—14 MeV中子辐照浩钛酸铅镧(PLZT)材料产生的反冲原子能谱,然后根据产生的反冲原子种类和最大能量,利用二元碰撞方法模拟了不同能量的离子在PLZT中产生的位移损伤(包括空位和间隙原子),最后根据反冲原子能谱和对应能量离子在材料中产生的缺陷数目计算了不同能量的中子在PLZT材料中产生缺陷浓度以及分布.结果发现,对于1—14 MeV能区的快中子而言,其在厚度为3 cm的PLZT材料中产生的缺陷数目近似与中子能量无关,约为460±120空位/中子.辐照损伤在3cm厚度内随深度的增加而略有减小,总体变化小于50%,该减小主要是由于中子的反散射导致.本工作为计算中子在材料中的位移损伤提供了一种方法,同时模拟结果可为研究PLZT基电子器件的中子辐照效应提供指导.     

脉冲电容器用细电滞回线铁电陶瓷材料的研究

采用低锆区的Pb(Zr_0.42Sn_0.40Ti_0.18)O₃(PZST42/40/18)铁电陶瓷为基, 通过少量La和Ba取代Pb同时Nb取代(Zr, Sn, Ti)复合取代的方法得到掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷, 其最大极化强度P_max≈20.66μC/cm², 剩余极化强度P_r≈0.55μC/cm^{关键词： 细电滞回线 铁电陶瓷 PZST 脉冲电容器}