电子在中性原子势场中的自由—自由跃迁吸收截面的理论计算

本文采用等效势模型,并基于Hartree——Fock解析波函数和X_α数值波函数计算自由电子与中性Ar和Si原子的相互作用势。用直接计算矩阵元方法和通过计算碰撞相移方法计算了电子在中性Ar原子势场中的自由—自由跃迁吸收截面,所得结果与Ashkin理论计算值符合较好,对中性Si原子亦进行了计算。通过计算说明了等效势模型对计算中性原子的自由—自由跃迁吸收截面是成功的。     

在双色共振激光场中电子原子碰撞的自由-自由跃迁过程

研究了双色共振激光场中电子原子碰撞的自由-自由跃迁过程. 利用三能级模型和旋转波近似得到了靶原子的波函数, 在波恩近似的基础上进一步导出了多道碰撞的微分截面公式. 利用此公式计算了共振激光场中的激发碰撞对整个的碰撞贡献.     

第二玻恩近似理论研究激光辅助e-Ar散射

在电子入射方向平行于激光场的极化方向这种特殊的散射模式下，应用第二玻恩近似(SBA)理论，分别利用含有极化势的静电屏蔽势和单纯的静电屏蔽势这两种原子势模型对激光场中电子-氩原子散射进行了研究，并与低频近似和实验数据进行了比较.结果表明，第二玻恩近似理论给出的结果与实验符合较好.另外，极化势在激光辅助电子-原子散射中起着重要作用. 关键词： 极化势 第二玻恩近似 微分截面 激光场     

激光场中极化势对电子-氦原子散射影响

构建含有极化势的静电屏蔽势和单纯的静电屏蔽势这两种原子势模型,应用第二玻恩近似（SBA）理论,分别对激光场中电子-氦原子散射截面进行了理论计算。对比实验结果发现含有极化势的静电屏蔽势给出的结果与实验符合较好。表明极化势在激光辅助电子-原子散射中起着重要作用。     

激光场中极化势对电子-氦原子散射影响

构建含有极化势的静电屏蔽势和单纯的静电屏蔽势这两种原子势模型,应用第二玻恩近似(SBA)理论,分别对激光场中电子-氰原子散射截面进行了理论计算.对比实验结果发现含有极化势的静电屏蔽势给出的结果与实验符合较好.表明极化势在激光辅助电子-原子散射中起着重要作用.     

双光子激发ZnSe自由载流子超快动力学研究

采用Z扫描和抽运-探测实验技术, 在波长为532 nm、脉冲宽度为41 fs的条件下测得ZnSe晶体的双光子吸收系数, 并获得了不同激发光强下的自由载流子吸收截面、电子-空穴带间复合时间和电子-声子耦合时间. 研究发现, 随着激发光强的增大, 自由载流子吸收截面减小, 复合时间变短. 当激发光强增大导致载流子浓度大于10¹⁸ cm^-3时, 抽运-探测信号出现明显改变, 原因归结为强光场激发导致样品在短时间内带隙变窄和电子-空穴等离子体的形成.     

双模激光场中电子-原子散射

在一阶玻恩近似的基础之上,本文首次在激光场的极化方向平行于入射电子的方向这种散射模式下,应用二阶玻恩近似理论对双模激光场中电子-氩原子散射的自由-自由跃迁过程进行了研究,并与一阶玻恩近似结果进行比较.结果表明,二阶玻恩近似理论在多模激光场中的应用也是比较成功的.     

多模激光场中电子-原子散射

利用微扰理论对多模激光场中电子-原子散射进行了初步研究. 在激光场的极化方向平行于入射电子方向这种特殊的散射模式下, 计算得到了电子-原子微分散射截面与激光场的相移、交换光子数之间的关系. 结论和其它相关理论是一致的.     

电子被氩,氪,氙原子散射总截面的光学模型研究

文中基于光学模型势方法，详细分析并改进了一种准自由模型吸收势，把它作为光学模型的虚部，在能量０．１－３００ｅＶ的范围内计算了电子被Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ原子散射的总截面，计算结果与实验值进行了比较。     

相互作用势对激光辅助电子-氩原子散射的影响

在三种势模型下运用二级玻恩近似理论计算了电子与氩原子散射的微分散射截面. 结果显示这些势模型在激光辅助电子-氩原子散射系统中的运用非常成功. 另外,分析和讨论了静电势、交换势和极化势对散射截面的影响.     

扫描隧道显微镜中场蒸发过程的理论分析

从电热动力学(Electrothermodynamics)角度出发，分析了扫描隧道显微镜(STM)中场蒸发过程.引入了一个有效结合能，并推导得到了STM中的蒸发场强计算公式.用该公式计算得到了与实验一致的金离子的蒸发场强.同时发现传统的电荷交换模型与成象势垒模型，由于它们要求被蒸发原子完全电离并被蒸发到无穷远处，因而对STM计算的蒸发场强偏高. 关键词：     

Gd-Co-Cu三元系合金相图

Gd-Co-Cu三元系Gd≤34.8wt％合金相图的室温截面已经用X射线分析法测定出来。它包括五个单相区:Cu(以下简称α),Co(以下简称β),Gd₂Co₁₇(以下简称δ),GdCu₆(以下简称γ)和Gd(Co_1-xCu_x)₅(以下简称θ);七个二相区:β+δ,α+β,δ+θ,θ+γ,γ+α,θ+α,β+θ;三个三相区:α+β+θ,α+θ+γ和β+θ+δ。没有发现新相。Cu 关键词：     

二维电子气的关联函数

本文在少粒子体系波函数数值解的基础上讨论了强磁场中二维电子气的二体关联函数.在数值计算的意义上给出了有限集团体系二体关联函数的计算公式. 关键词：     

电子直线加速器束流均方根发射度变化方程

本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。     

稠苯芳环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳烃及其衍生物的环上和烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳环化合物用凯库勒式表示,用下式计算: δ=σ_j.c-c+σ_mi.ci σ_j.c-c为各种乙烯基的效应。σ_mi.ci,为各个苯环的六电子π轨道的净环流效应,其计算式为: σ_m.e=(1/2)^m×1,52 m=n-u m为净环流效应级数,等于质子到该苯环相隔的键数n减其中的顺式键数u。 在菲环和类似菲环的4,5位与9,10位质子需考虑菲环效应。蒄环上的质子需考虑蒄环效应。有取代基需考虑取代基的效应。 计算环上烷基质子的公式: δ=σ_p.CH3+ασ_2.CH3+βσ_t.CH3+σ_i.G 此公式在作者以前的文章中己经报道。σ_i,G为稠苯芳基的某级效应。     

银-锡-铝三元系富银合金固相平衡圖

银—锡—铅三元系富银合金固相平衡图已经用X-射线及金相显微镜两种方法测定了出来。并且每一相区的相边介都经过用X-射线方法作了精密确定。合金含量最高到30wt％锡及30wt％铝。室温相截面由四个单相(即α,β,μ及γ)相区,五个变相(即α+β,α+μ,β+γ,β+μ及β+δ)相区及两个三相(即α+β+μ及β+γ+δ)相区所构成。所有四个单相与二元系Ag-Sn及Ag-Al所存在的单相相同,没有新的单相出现。     

高频离子源参数研究

从自由电子在高频电场中的运动方程出发，研究了高频离子源的工作原理。由边界条件和电离条件推导出截止条件和最低点火电压的关系式。在此基础上编出了适于在各种气压下计算各种气体的Ｕｂ－ｆ曲线程序，作出了大量的计算结果。由计算结果讨论了高频离子源工作时各种参数之间的制约关系。所得结果将为利用高频离子源产生Ｈ＋ｎ离子团簇的实验提供重要的依据。     

铝-铜-镓三元系合金相图

铝-铜-镓三元系合金相图的室温截面已经用X射线方法测定出来了。室温固相截面包含11个单相(即α, γ₂, γ′, δ, ζ₁, ζ₂, η₂, θ, θ′,α_铝和镓)相区,14个双相(即α + ζ₁, α+ γ₂, α + γ′, γ₂ + γ′, γ′+ ζ₁, γ₂+δ, γ′+δ,δ +ζ₂, ζ₂+η₂, η₂+θ,η₂+ θ′, γ′ + θ′, θ′+ 镓和θ+α_铝)相区和9个三相(即α + γ′+ζ₁, α+ γ₂+ γ′, γ₂+ γ′ + δ,γ′ + δ + θ′, δ+ζ₂+θ′, ζ₂ + η₂ + θ′, η₂+ θ′ + 镓, η₂ +θ + 镓和θ +镓+ α_铝)相区。所有单相和三个二元系内室温存在的单相相同,没有新相出现。 关键词：     

感生电场与动生电场的等效性探究

本文认为在感生电场的情况下,磁场的强弱变化可以引起磁场自身的横向运动,使得线圈中电子相对于磁场发生运动,从而等效为一个动生电场,受到洛伦兹力的作用.借助磁感线模拟磁场的运动方式,得到圆形回路中任意一点与磁场相对运动速度的表达式,进而推得该＂等效动生电场＂中的洛伦兹力.以螺线管为例,验证该方法可以解释感生电场所满足的规律.将感生电场与动生电场的产生原因统一为导体中电子与磁场的相对运动,相应电动势的非静电力统一为洛伦兹力.     

强磁场下的输运过程与Liouville方程的两种定态解

本文中讨论了在外场中Liouville方程的两种定态解,指出在用Kubo公式计算输运系数时的关键之处是:在完成Kubo公式中的时间积分之前,必须把关联函数的时间行为表示成趋向平衡的形式。注意到这一点就能得到正确的输运系数表示式。用这种办法,我们重新计算了文献[1]中曾讨论过的强磁场下的电导率,得到了正确的非零的结果。 关键词：