三角点阵Quenched Eguchi-Kawai模型的Monte Carlo研究

本文对三角点阵Quenched Eguchi-Kawai模型进行Monte Carlo研究, 结果表明, 对三维情况弱耦合区的行为已有明显改进, 接近标本模型的结果.     

量子Monte Carlo簇团迭代法关于蜂窝状点阵QHAF模型研究

采用一种有效的簇团迭代法,对蜂窝状点阵量子Heisenberg反铁磁(QHAF)模型进行了MonteCarlo模拟.该方法避免了对于相应三维自旋模型迭代时出现的禁态和临界慢化效应.研究表明,该方法适用于普遍的具有A-B子格点阵的S=1/2反铁磁模型的研究. 关键词：     

三维随机点阵三态矢量Potts模型Monte Carlo模拟

在三维随机格点阵上对三态矢量Potts模型进行了Monte Carlo数值模拟,构造了N×N×N(N=8,10,12)三种不同大小点阵,分别计算了该自旋系统的能量密度、磁化强度、比热和磁化率等的温度曲线。结果表明该自旋系统在β₆≈0.16处存在着能表征一阶Z(3)对称破缺相变的能量热滞图和比热陡峰,磁化强度的跃变规律亦支持该结论,从而显示出该模型在随机点阵上的相变行为与正方点阵的已有结果的相似性。     

三维随机点阵Ising模型的集团Monte Carlo方法模拟

为了解决Monte Carlo模拟中的临界慢化问题,应用S-W方法,对一维随机点阵的模型进行了研究。找到该系统的相变点为β_c=0.075±0.001,与此同时,在相变点附近研究了SW方法的动力学性质,计算得动力学临界指数z=0.74±0.03,结果表明,SW方法对克服三维随机点阵Ising模型的临界慢化是非常有效的。 关键词：     

I_h对称性点阵上Ising相互作用自旋系统的簇团Monte Carlo研究

应用一种有效的簇团迭代方法，我门在具有Ｉｈ对称性点阵上作了关于Ｉｓｉｎｇ自旋相互作用系统的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟．热力学量的模拟计算结果显示，在μ＝０．６４温度点上系统的磁化率和比热存在一个明显的峰，表征出系统的磁有序性开始消失．该结果与高温级数展开的解析计算的结果一致．     

重离子径迹结构的Monte Carlo计算模型

阐述了一种称之为分段连续减慢近似的方法，建立了新的计算重离子等效生物组织－液态水径迹结构及能量沉积分布的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ计算模型，目的在建立细胞损伤强度和损伤范围与重离子参量之间的关系从理论上探索重离子生物效应的机理。     

3C-SiC体特性的Monte Carlo模型

采用Monte Carlo方法模拟了3C-SiC材料中电子的静态输运特性．在细致分析材料的能带结构和主要散射机构，建立了适于统计模拟的物理模型的基础上，采用自洽的SPMC方法进行模拟，得出了电子迁移率随温度、电子平均漂移速度随电场的变化规律，及电子的能量和动量弛豫时间随温度和电场的变化规律．所得结果与实验符合较好． 关键词：     

Ih对称性点阵上Ising相互作用自旋系统的族团Monte Carlo研究

应用一种有效的族团迭方法，我们在具有Ｉｈ对称性点阵上作了关于Ｉｓｉｎｇ自旋相互作用系统的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟，热力学量的模拟讲师结果显示，在β＝０．６４温度点上系统的磁化率和比热存在一个明显的峰，表征出系统的磁有序性开始消失，该结果与高温组数展开的解析计算的结果一致。     

铁磁键稀疏Blume-Capel模型相图的Monte Carlo研究

本文应用Monte Carlo方法求得铁磁键稀疏平方点阵的Blume-Capel模型的相图。利用有限尺寸的标度理论,得到晶场为零时的相变温度,并同其他方法所得的结果作了比较。同时用Monte Carlo方法确定了键稀疏时三临界点的值对键浓度的依赖关系。 关键词：     

系综Monte Carlo方法

本文系统地给出了Monte Carlo模拟的一般方法在各种系综条件下的表述以及它们的算法。     

多自旋相互作用Ising模型相变类型的Monte Carlo研究

利用Monte Carlo方法,我们发现在水平方向上具有m自旋相互作用而在竖直方向具有n自旋相互作用的二维Ising模型。当m=n=3时,其相变是一级相变,而当m=3,n=2时,其相变却是二级相变。 关键词：     

怀柔EAS阵列的Monte Carlo研究

用GENAS程序包为怀柔阵列产生了36万Monte Carlo模拟EAS事例,用它们研究了怀柔阵列的性能,确定了最佳的事例判造条件,对实验数据进行了正确性检验,得到了怀柔EAS Size(即簇射在观测面的总荷电粒子数)与初级宇宙线能量之间的转换关系.这项研究表明,怀柔阵列的EAS心位和方向测定精度分别好于3m和2.5°;EASSize测定误差典型值约8%;近垂直簇射的Size(N)与初能(E)的关系为E≈10^10.64N^0.84.     

核参数敏感度的Monte Carlo研究

对核参数敏感度和不确定性分析的理论方法进行了探讨，在敏感度系数的基础上所定义的积分指标Esum能定量地表示出两个不同核裂变装置的相似性，即可用于定量地比较一个基准核裂变实验装置与一个欲评估核裂变装置的相似程度。不确定性的分析提供了一个计算核裂变系统中由于截面数据方差而导致系统中七疆方差的方法，并且也提供了一个计算不同核裂变系统中Keff协方差的方法。不确定性的分析方法是将截面数据的方差信息通过与能量有关的敏感度系数传播给Keff行。某一材料截面数据的方差可以传播给所有含有该材料的临界装置。有着相同材料的临界装置将产生关联。     

放射源辐射场Monte Carlo模拟计算

选取Pu-238为放射源,采用简化的级联衰变链对其进行源项分析,得到放射源各衰变子体原子数及放射性活度的变化曲线,在此基础上,采用MCNP程序,对放射源进行了精确建模,对放射源辐射场及其有效屏蔽问题进行了模拟计算,得到放射源周围中子、能谱及辐射场分布,辐射场计算值与参考实验剂量吻合较好,屏蔽体的采用可有效降低放射源的辐射剂量,其中,剂量降低为裸源的0.1%左右,中子剂量降低为裸源的13%～17%。     

放射源辐射场Monte Carlo模拟计算

选取Pu-238为放射源,采用简化的级联衰变链对其进行源项分析,得到放射源各衰变子体原子数及放射性活度的变化曲线,在此基础上,采用MCNP程序,对放射源进行了精确建模,对放射源辐射场及其有效屏蔽问题进行了模拟计算,得到放射源周围中子、能谱及辐射场分布,辐射场计算值与参考实验剂量吻合较好,屏蔽体的采用可有效降低放射源的辐射剂量,其中,剂量降低为裸源的0.1%左右,中子剂量降低为裸源的13%～17%。     

超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.     

物理溅射的Monte Carlo模拟

模拟载能离子在固体传输及原子碰撞级联过程的Monte Carlo程序TCIS,已用于考察物理溅射问题。溅射过程中,低能原子碰撞是很重要的。因此,本文详细研究了二体碰撞计算中时间积分τ的数值大小及其对溅射计算的影响。对TCIS模拟溅射物理模型、输入参数作了介绍,并给出某些模拟研究结果。模拟程序可提供溅射的原子水平的信息,这对于开展有关机理的研究是很有用的。     

τ质量测量方案的Monte Carlo研究

在τ质量实验测量之前对多种测量方案进行了细致的Monte Carlo研究,并进行了比较.确定τ质量测量实验采用最大似然法,并给出可能的测量精度.研究了包括探测效率、束流能散等诸多因素对实验的影响,同时对实验的实现提出要求.