准一维强关联Zigzag型材料的自旋动力学

在t-J模型和Fermion-spin理论框架下，研究了准一维强关联Zigzag型材料的自旋动力学.说明了当掺杂一定时，随着次近邻耦合强度的增大，系统出现公度到非公度的转变，而对于耦合强度一定的情况，随着掺杂浓度的增大，系统亦发生从公度到非公度的转变，并且非公度峰的权重随能量的增大而降低. 关键词： t-J模型')" href="#">t-J模型 Fermion-spin理论 Zigzag型材料     

空穴掺杂超导体的超导电性

在二维空穴掺杂t-t′-J-U模型和重整化平均场理论的框架下,用Gutzwiller方法研究了电子次近邻跃迁对空穴掺杂超导体的超导电性的影响。在掺杂浓度小于0.1的欠掺杂区,随着电子次近邻跃迁的增大,超导序参数在欠掺杂区域受到抑制,而在过掺杂区得到加强。     

用重整化群流方程方法求解t-J模型元激发能谱

t-J模型是研究电子强关联作用和高T_c超导理论的重要模型之一.将重整化群方法应用于t-J模型，得出相应的流方程，再由流方程求解t-J模型的元激发能谱，并利用函数的对称性，解出t-J模型在零温条件下能谱的具体表达式，最后与常规的格林函数方法所得的结果作了比较. 关键词： 重整化群 t-J模型 流方程     

次近邻跃迁对石墨烯纳米带输运性质的影响

根据紧束缚模型,利用格林函数的方法,将次近邻跃迁考虑在内,研究了扶手椅型石墨烯纳米带的输运性质.通过数值计算,给出了不同尺寸和不同次近邻跃迁能下系统的能量-电导和电流-电压特征曲线.结果表明,次近邻跃迁对扶手椅型石墨烯纳米带的输运性质有显著的影响.它破坏了电导共振峰关于能量的对称分布,增强了系统的导电性,减小了电子导电偏压阈值,加速了系统输运性能由半导体向导体转变. 次近邻跃迁能和石墨烯纳米带的尺寸越大,这种影响越明显     

Al~+离子3s~2 ~1S_0→3s3p~ (3,1)P_1~o跃迁同位素偏移的理论研究

在多组态Dirac-Hartree-Fock方法对Al~+离子3s~2~1S_0→3s3p~(3,1)p_1~o两个跃迁同位素偏移因子精细计算工作的基础上,细致研究了同位素偏移因子和能量本征值(或跃迁能)随着电子关联的收敛过程.研究发现:单个能级的同位素质量偏移因子随电子关联的收敛性与能量本征值随电子关联的收敛性之间有线性关系;对于跃迁而言,对电子关联的描述越充分,质量偏移因子和跃迁能随电子关联的收敛性之间的线性关系越明显.因此,在计算模型中包含大规模的电子关联的情况下,可以利用该线性关系根据跃迁能的误差评估同位素偏移因子的不确定度.     

超导材料的正常态下杂质锌引起的非均匀性

本文采用含有非磁性杂质的二维t-J模型来描述掺锌的高温氧化物超导材料,并利用非均匀双时格林函数理论对有限尺寸的材料进行了数值计算.在 Fermion-Spin 理论框架下,我们分别研究了非磁性杂质引起的电荷和自旋的不均匀性及对材料正常态特性的影响.我们发现:一方面非磁性杂质锌对其附近的自旋反铁磁关联有强烈的影响,能使周围的最近邻关联函数的绝对值比均匀情况增加很多;另一方面,空位子会受到其周围自旋的影响而出现相应的分布不均匀性,进而又影响自旋关联的不均匀性.并且,围绕杂质锌能够形成自旋激发和空位激发的局域态.     

纯有机聚合物磁性的模型研究

通过一个简单的紧束缚模型,初步研究了共轭有机聚合物的磁性问题.其中包括侧链基团与主链的共轭性对主链键序波的作用,电荷密度波的形成,次近邻跃迁和电子相互作用的影响等.特别针对有关聚乙炔侧链悬挂有机自由基团(CH₂)的具高自旋基态磁性聚合物(C₃H₃)_n的第一性原理计算结果,给出物理的解释和理解. 关键词：     

扩展Su-Schrieffer-Heeger模型在周期性边界条件下的相变

文章计算了含有三种跃迁项(最近邻(NN)、次近邻(NNN)、次次近邻(NNNN)跃迁项)的扩展Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型(模型ⅰ)的热力学特性.对仅含有二种跃迁项(NN、NNN跃迁项)的扩展SSH模型(模型ⅱ)、仅含有一种跃迁项(NN跃迁项)的SSH模型(模型ⅲ)也作了类似的计算.在低温下,每个模型都有相变且跃迁项的存在会降低相变温度.由于NNN跃迁项的存在,在极低温条件下,关于热容量与温度比(HCOTR)随温度变化的单调性,模型i与其它两个模型存在差异.在低温下,模型ⅰ的HCOTR的单调性,会受NN或NNN或NNNN跃迁项的影响并且NN或NNN跃迁项会影响其相变.     

金等离子体平均离化度随电子温度变化关系的研究

用Cowan的原子结构从头算程序和自旋轨道劈裂阵模型计算各阶电离的金离子能级和跃迁， 在碰撞辐射模型下求解能级布居数方程，计算给定等离子体密度和电子温度下等离子体中离子的分布，给出了平均离化度随电子温度的变化关系.发现稀薄的金等离子体中，在一定的电子温度范围内电子温度的升高平均电离度反而下降的反常现象.讨论了电离势对平均离化度的影响. 关键词： 金等离子体 碰撞辐射模型 布居数 平均电离度     

镶嵌正方晶格上Ising模型的近似解

采用格点自旋消约方法,将具有最近邻和次近邻耦合作用的镶嵌正方Ising晶格变换成等效的具有最近邻、次近邻和四体耦合作用的正方Ising晶格,得到系统近似解的临界点在K′C=0.4406868.结果表明:在相变点最近邻耦合作用K1和次近邻耦合作用K2之间满足一定关系.如果只计及镶嵌正方Ising晶格的最近邻耦合作用K1,则其严格解的临界点在K1C=0.7635.由此可以推断在正方格点间安放两个自旋的双镶嵌正方Ising晶格,在只计及最近邻耦合作用情况下,也是严格可解的.