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本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度,硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶性好、低阻、高迁移率、深中心浓度低的外延层。以光泵浦作激发研究了OMVPE ZnSe薄膜的受激发射性质并测量其光学增益。利用ZnSe/GaAs的自然解理面形成的光反馈腔制成了激光器。该激光器的工作温度可以延续到150K。 相似文献
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本文通过不同激发光强度下的光致发光实验,把Zn0.67Cd0.33Te/ZnTe超晶格(SLs)样品的两个发光谱峰分别归结为与激子有关的和导带电子到受主的辐射复合过程.为进一步了解样品的发光特性,做了不同温度下的光致发光实验,得到了两个谱峰在高温区的激活能,即:高能峰为127meV,低能峰为132meV. 相似文献
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食源性致病菌是引发和威胁公众健康的主要因素之一.由于食源性致病菌种类繁多,常规检测方法复杂耗时要求高,因此迫切需要一种更加快速精确的致病菌检测技术.在传统红外光谱检测致病菌的流程中,如经典的溴化钾压片法,除了压片本身的操作之外通常还需对样品进行冷冻干燥(约需2 d)等耗时前处理过程,因而不利于高通量快速检测.本研究利用... 相似文献
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掠射X射线荧光分析技术是实验室分析薄膜特性的一种重要工具。文章简述了利用掠出射X射线荧光技术分析薄膜厚度的原理和方法,介绍了一种可在实验室里实现薄膜特性测试的掠发射X射线荧光分析装置,该装置采用波长色散方式结合超薄窗流气正比计数管,可实现对轻元素的探测。最后从理论上计算了Si片上不同厚度的几种单层薄膜的X射线荧光强度和掠出射角的依赖关系。证明了掠发射X射线荧光分析是一种精确的分析薄膜厚度等特性的方法。 相似文献
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光伏发电是将“取之不尽、用之不竭”的清洁能源太阳能直接转化为电能的一种新能源技术。大力发展光伏技术并促进其大规模应用是推进能源结构转型的重要途径。光伏发电是通过太阳能电池实现的,经过60多年的发展,涌现了各类太阳能电池,其中硅太阳能电池一直占据主导地位,极大地推动了光伏产业的大规模应用。但硅太阳能电池进一步降低成本愈发困难,而新型薄膜太阳能电池拥有低成本、高效率,且适于多场景应用的优点,成为明日之星。铜锌锡硫硒太阳能电池作为一种新型薄膜太阳能电池,其吸光系数高、弱光响应好、稳定性高、环境友好、组成元素储量丰富且价格低廉,具有很大的发展潜力,近年来受到越来越多的关注。文章重点介绍铜锌锡硫硒太阳能电池的工作原理、关键材料与器件的研究进展以及未来的发展前景。 相似文献
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采用一种简单有效的原位水热合成方法,使用石墨烯氧化物(GO)作为反应物和晶体生长基底成功制备出了还原氧化石墨烯/硒化锌(r-GO/ZnSe)纳米复合材料。采用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及红外-可见光谱(FT-IR)等方法对r-GO/ZnSe纳米复合材料进行了检测。结果表明,平均粒径在30 nm的立方闪锌矿晶体结构的ZnSe粒子均匀分散在氧化石墨烯片层上,构成纳米复合结构。 UV-Vis光谱显示,纳米复合材料的光学吸收的起始波长在445 nm附近。PL光谱显示,纳米复合材料在470 nm附近存在一个很强的发射峰。这种石墨烯基纳米复合材料在白光二极管领域中有重要的应用价值。 相似文献
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采用共溅射法结合后硒化成功制备出CZTSSe薄膜,主要研究了不同的硒化温度对CZTSSe薄膜与电池性能的影响。分别采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔效应测量仪及数字电源表对不同硒化温度下制备的CZTSSe薄膜的结构、形貌、光电与太阳电池性能进行了表征与分析。结果表明,当硒化温度为580℃时,CZTSSe薄膜的结晶性最好,薄膜表面均匀致密且其电阻率和载流子浓度达到最小值和最大值,分别为1.57Ω·cm和8.2×10~(17)cm~(-3),该硒化温度下制备得到的CZTSSe太阳电池的短路电流和转换效率最高达到30.68 m A/cm~2和5.17%。相对于550℃和600℃硒化温度下的CZTSSe太阳电池,其光电转换效率分别提高了36%和6%。另外,随着硒化温度的升高,CZTSSe薄膜在XRD中的(112)峰位和Raman中的A1模式振动峰位都向小衍射角和短波数方向移动,薄膜的禁带宽度也从1.26 e V减小至1.21 e V。 相似文献
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采用wx-AMPS模拟软件对硒化锑(Sb_2Se_3)薄膜太阳电池进行建模仿真,将CdS, ZnO和Sn02的模型应用到Sb_2Se_3太阳电池的电子传输层中.结果显示,应用CdS和ZnO都能实现较高的器件性能,并发现电子传输层电子亲和势(Xe-ETL)的变化能够调节Sb_2Se_3太阳电池内部的电场分布,是影响器件性能的关键参数之一.过高或者过低的Xe-ETL都会使电池的填充因子降低,导致电池性能劣化.当Xe-ETL为4.2eV时,厚度为0.6μm的Sb_2Se_3太阳电池取得了最优的7.87%的转换效率.应用优化好的器件模型,在不考虑Sb_2Se_3层缺陷态的理想情况下,厚度为3μm的Sb_2Se_3太阳电池的转换效率可以达到16.55%(短路电流密度J_(SC)=34.88 mA/cm~2、开路电压V_(OC)=0.59 V、填充因子FF=80.40%).以上模拟结果表明,Sb_2Se_3薄膜太阳电池在简单的器件结构下就能够获得优异的光电性能,具有较高的应用潜力. 相似文献
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本文论述应用光学薄膜技术对汽车窗口玻璃和塑料的若干性能进行改进的技术发展水平,这些性能包括塑料表面的硬化,红外区的反射,紫外区的吸收,偏振化作用,双折射,憎水性以及光学角度选择性等,评论等离子体处理和物理蒸汽淀积薄膜工艺近来应用的一些例子。对于物理蒸汽淀积薄膜所提供的异常功能连同实际使用中它们的耐久性作了特殊的强调。 相似文献
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近年来,随着宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究[2,3],同时对电场调制下的ZnSe基超晶格的受激发射也有过报导[4].但对于电场调制下的ZnCdSe/ZnSe基单量子阱的激射行为研... 相似文献
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磁性薄膜研究的现状和未来 总被引:14,自引:0,他引:14
概括介绍了近十几年来磁性薄膜研究的主要成果、应用和可能的发展情况,主要内容有:钙钛矿结构氧化物薄膜的磁性和庞磁电阻效应,磁性金属多层 膜的层间耦合和巨磁电阻效应及磁电阻磁头应用情况,光存储技术纳米点阵存储技术,磁电子学。 相似文献
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采用实际的生长模型和物理参量,用Monte Carlo方法对高温下金属薄膜的生长过程进行了模拟研究.综合考虑了原子沉积、扩散、成核、生长和扩散原子的再蒸发、原子沿岛周界扩散和岛的合并等众多过程后,模拟得到与实验结果相当一致的薄膜生长形貌及其相应的定量结果.通过动态统计薄膜生长过程中的岛数目及薄膜生长率,得到实验中不易直接获得的高温下薄膜生长的许多细节,如岛数目和薄膜生长率随表面温度、覆盖度变化的详细情况等
关键词:
薄膜
Monte Carlo模拟
成核
岛密度
薄膜生长率 相似文献
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提出了金刚石在衬底表面凹缺陷内成核的理论,指出凹缺陷尺度对于金刚石成核有着决定性作用,合适的凹缺陷将使成核率达到最大。并且讨论了该理论对于试图通过控制衬底表面缺陷来控制金刚石成核密度等人工微结构设计研究的意义。 相似文献
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SiO2薄膜的制备方法与性质 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用光电子能谱和扫描电镜方法研究了溅射沉积条件对SiO2薄膜的表面上的针孔、薄膜原子结构的影响,并分析了不同条件下制备的SiO2薄膜中电子的输运过程. 相似文献
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较系统地研究了不同衬底材料对制备氮化硼薄膜的影响。用热丝增强射频等离子体CVD法,以NH3,B2H6和H2为反应气体,在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上,成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜,还用13.56MHz的射频溅射系统将c-BN薄膜沉积在Si衬底上,靶材为h-BN(纯度为99.99%),溅射气体为氩气和氮气的混合气体,所得到的氮化硼薄膜中立方相含量高于90%,用X射线衍射谱和傅里叶变换红谱对样品进行了分析表明,衬底材料与c-BN的晶格匹配情况,对于CVD生长立方氮化硼薄膜影响很大,而对溅射生长立方氮化硼薄膜影响不大。 相似文献